高职计算机电路复习题一一、填空题1、根据导电的程度，物质可分为导体、绝缘体和半导体。

2、半导体的导电性能具有两个显著特点是敏感性和掺杂性。

3、半导体按导电类型可分为 P型半导体和 N型半导体。

4、带有一定电量且能在电场力作用自由运动称为载流子。

5、物体的导电能力取决于该物体载流子的浓度和运动速度。

6、半导体的重要特点是自由电子和空穴同时参加导电。

7、N型半导体是在本征半导体中加入微量的五价元素，它的多数载流子是自由电子，少数载流子是空穴，产生的电流主要是电子流。

8、P型半导体是在本征半导体中加入微量的三价元素，它的多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子，产生的电流主要是空穴电流。

9、PN结的最基本的性质是单向导电性性。

10、反向连接：PN结的外加电源正极接 N型区，负极接 P区11、正向连接：PN结的外加电源正极接型区，负极接区12、二极管是具有单向导电性性的两极器件。

13、PN结的单向导电性：（1）当PN结两端加上正向电压时，PN结处于导通状态。

此时形成正向的电流，呈现的电阻阻值小。

（2）当PN结两端加上反向电压时，PN结处于截止状态。

此时形成反向的电流，呈现的电阻阻值较大。

14、P型半导体上引出的电极叫正极或阳极，用符号“+”表示。

15、N型半导体上引出的电极叫负极或阴极，用符号“-”表示。

16、二极管的符号是。

17、二极管按材料分锗二极管、硅二极按结构分点接触型二极管、面接触型二极管。

18、点接触型二极管由于PN结的面积很小，故适用于高频信号的检波，适合微小电流的整流及脉冲电路。

19、面接触型二极管由于PN结的面积大，能承受较大的电流，适用于整流，不适用于高频电路。

20、二极管的伏安特性，是指加到二极管两端的电压与流过二极管的电流之间的关系曲线。

21、二极管的伏安特性：（1）正向特性：a、分两个区分别是导通区、死区。

b、死区：外加正向电压很小时，正向电流很小，二极管表现出有较大的电阻，我们把这个基本截止状态的区域称为“死区”。

c、死区电压：硅管 0.5 V，锗管 0.2 V。

d、正向导通区：当加在二极管两端的电压超过一定的数值以后，二极管的电阻变得很小，正向电流开始显著增加，二极管处于正向导通时，其正向电压变化不大。

e、导通电压：硅 0.6～0.7 V，锗管 0.2～ 0.3 V。

(2)反向特性：a、分两个区分别是反向饱和区、b、二极管两端加反向电压时，外加电压在一定围变化，反向电流很小，且基本维持不变，且和反向电压的数值无关、反向电流随温度的上升增长很快。

c、在同样温度下，硅管的反向电流比锗管小得多。

d、反向电流也称为反向饱和电流，它的大小是衡量二极管质量好坏的一个重要标志。

反向电流越大，说明二极管单向导电性能越差。

e、反向击穿：当反向电压增大到一定数值后，反向电流会突然增大，这时二极管失去单向导电性，这种现象称为反向击穿。

f、发生击穿时的电压称为反向击穿电压，二极管反向击穿后，反向电流很大，会导致PN 结烧坏。

g、二极管的电阻不是一个常数，它的伏安特性曲线不是一条直线，二极管是一个非线性电阻器件。

22、晶体二极管的主要参数它是反映器件性能的质量指标，是正确选择和使用管的依据。

（1）最大整流电流：是指二极管允许通过的最大正向平均电流，是为了保证二极管的温升不超过允许值而规定的限制。

（2）最高反向工作电压；二极管反向电压高时会引起二极管反向击穿，因此要限制反向工作的电压。

（3）反向饱和电流：是指管子未击穿时的反向电流值，它越小说明管子的单向导电性能越好，它受温度影响很大。

二、综合题1、PN结的单向导电性。

2、二极管的反向击穿。

高职计算机电路复习题二一、填空题1、导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体2、在N型半导体中，主要依靠自由电子导电，在P型半导体中主要依靠空穴导电。

3、PN结具有单向导电性性能。

4、PN结的正向接法是电源的正极接 P 区，电源的负极接 N区。

5、硅二极管的死区电压约为 0.5 V，锗二极管的死区电压为约为 0.2 V。

6、二极管导通后，硅管管压降约为 0.7 伏，锗管压降为 0.3 伏。

7、三极管是由两个PN结及其划分为三区组成。

8、三极管的两个结分别称为发射结和集电结。

9、三极管具有电流放大作用。

10、三极管具有电流放大作用的条件是发射结正向偏置，集电结反向偏置。

11、三极管的β值太小，则其电流放大能力较差。

12、场效应管这是电压控制型器件。

13、PN结加正偏电压时导通，加反偏电压时截止，这就是PN结的单向导电性导电性。

14、三极管具有电流放大的作用，即 Ib 的微小变化控制了 Ic 的较大变化。

15、三极管的三种工作状态即饱和状态，截止状态，放大状态。

16、三极管构成放大器时，有三种基本连接方式，即共射极连接，共集电极连接，共基极连接。

17、二极管的单向导电性，即正偏导通，反偏截止；导通后，硅管的管压降约为 0.7 v 锗管的管压降约为 0.3 V。

=9mA,该管的电流放大系数β=50，则其输入电流IB= 0.18mA。

18、三极管集电极输出电流IC19、在硅或锗单晶片上经过特殊的工艺加工，在P型区和N型区的结合部有一个特殊的薄层，称为 PN结。

20、由半导体二极管的伏安特性曲线可知：二极管的导电性能可分为和两部分，前者又可分为区和区，后者分为区和区。

21、要求导通电压低时应选用锗管，要求反向电流小时应选用硅管，22、工作在放大状态的NPN管三个电极的电位关系是 Uc>Ub>Ue 。

工作在放在状态的PNP管三个电极的电位关系是Uc<Ub<Ue 。

23、三极管的结构有两种形式分别为双极型和场效应型。

24、三极管的两个结分别是发射结和集电结。

25、三极管的三个区分别是发射区、集电区、基区。

26、三极管的三个极分别是发射极、基极、集电极。

27、NPN晶体管的符号是28、PNP晶体管的符号是29、三极管并不是两个PN结的简单组合，它不能用两个二极管代替。

30、一般不可以将发射结和集电极互换。

31、目前国产晶体三极硅管多为 NPN 型平面管，锗管多为 PNP 型合金管。

32、三极管放大的外部条件：一、必须给发射结施加一个正向 EB，硅管一般为 0.6-0.8 v ，锗管一般为 0.2-0.3 v 。

二、还应给集电结施加一个反向 Ec。

33、三极管三个电极中的电流分配关系为Ie=Ic+Ib。

因为基极电流最小，所以 Ie≈Ic 。

34、直流电流放大系数为β。

35、三极管的共射极交流放大系数为β= 。

36、β和β在意义上虽然为不同但数值较相似。

37、当IB =0时，IC=IE=ICEO,这里ICEO称为穿透电流，ICEO越小管子的性能越稳定。

38、三极管具有电流放大作用。

一个 Ib 的变化，可以换来一个大的 Ic 变化，从而实现以小控制大的目的。

39、三极管有三种连接方式分别是共射极、共集电极、共基极连接，无论哪种连接方式，为了保证管子具有放大作用，电路必须满足发射结正向偏置、集电结反向偏置条件。

40、三极管输出特性曲线的三个区分别是饱和区、放大区、截止区。

41、截止区：在IB=0时，这条曲线以下的区域称其为截止区。

特点是：两结都处于反向或零偏置，如果IB 再增大， Ic 将增加很小，甚至不再增加。

饱和区的电压UCE称为饱和压降，记作 Uces 。

42、放大区：发射结正偏，集电结反偏，电流 Ib 对 Ic控制作用。

43、交流电流放大系数是衡量三极管放大能力的重要指标，β太小，则电流放大能力差；β太大，则稳定性性差，一般β值在20—200之间为宜。

44、ICE、ICB 愈小的管子其稳定性能愈大，硅管的温度稳定性比锗管好。

45、三极管的极限参数（1）集电极最大允许电流Icm 当三极管的IC增加到一定数值时，放大系数β值将显著下降当IC超过极限值太多，极可能烧坏管子。

（2）集电极—基极击穿电压BUceo 这是指发射极开路时，集电极、基极间所能承受的最在反向电压。

（3）集电极–发射极击穿电压BUceo 这是指基极开路时，集电极、发射极间所能承受的最大反向电压、否则甚至烧坏管子。

（4）集电极最大允许功率损耗Pcm 是指集电极电压Uce 和流经电流Ic 的乘积，功率损耗将引起管子发热、结温上升。

最终将烧坏管子。

46、场效应管：利用输入电压产生的电场效应来控制输出电流而得名。

47、场效应管只依靠自由电子或空穴中的一种多数载流子形成电流。

48、场效应管按结构不同可分为结型FET 和绝缘栅FET 。

49、发光二极管即LED能把电能直接快速地转换成光能管，当给它的PN结注入一定的正向电流时，就会发光，发光的颜色分为红橙黄绿等。

50、双极型晶体管是电流控制型器件，而效应晶体管则是电压控制型器件。

51、在同样的温度下，硅管的反向电流比锗管小。

52、二极管是一个非线性性电阻器件。

它的伏安特性曲线是一条曲线.53、反向电流大小是衡量二极管质量好坏的一个重要标志，54、已知某三极管的IB1=10μA时IC1=0.8mA,当IB2=40μA时IC2=2.4mA,该三极管的β值为 53.355、测得工作在放大电路中的PNP型三极管两个电极的电压分别为：U1=3.5V、U2=2.8V、 U3=15V。

则三极管是_________， U1_____极、U2____极、 U3=_____极。

56、一个放大器的输入信号为75mV，其输出信号为5V，其电压放大倍数是__________二、选择题1、在P型半导体，主要依靠 B 来导电。

A、电子B、空穴C、电子和空穴2、PN结的P区接电源负极，N区接电源正极，称为 B 偏置接法。

A、正向B、反向C、零3、在二极管正向导通时，二极管呈现 A 电阻。

A、较小B、较大C、不确定4、二极管正向导通的条件是其正向电压值 CA、大于0B、大于0.3VC、大于死区电压5、二极管的正极电位是20V，负极电位是10V，则二极管处于 AA、正偏B、反偏C、不稳定6、三极管是由 B 个PN结所组成。

A、1B、2C、37、在一般情况下，三极管的电流放大系数随温度的增加而 A 。

A、增加B、减小C、不变8、处于放大状态的三极管，其发射极电流是基极电流的 C 倍。

A、1B、βC、1+β9、三极管在饱合状态时，IC B IB控制A、受到B、不在受C、等待10、穿透电流在温度升高时 B 。

A、增加B、减小C、不变11、工作在放大区的某三极管，当IB1=20μA，IC1=1mA, IB1=40μA，IC1=2.05mA,则β值为 BA、50B、52.5C、55D、57.512当锗晶体二极管加上0.3V正向电压时，该管的状态为AA、导通B、截止C、放大D、饱和13、三极管的两个PN结都反偏，则三极管的状态为BA、导通B、截止C、放大D、饱和14、测得NPN三极管的三个电极电压分别是UB =0.9V,UE=0.2V,UC=9V,该三极管处于 AA、导通B、截止C、放大D、饱和15、在放大电路中，若测得管的三个电位分别是1V、1.2V、6V，这个三极管的类型是 CA、PNP型锗管B、PNP型硅管C、NPN型锗管D、NPN型硅管16、在放大电路中，若测得NPN三极管的三个电极电压分别是U1=0.9 U2=0.2V U3=9V,则分别代表三极管的三个极是 AA、becB、bceC、ebcD、cbe17、NPN型三极管处于放大状态时，各极电位关系是 AA、UC >UB>UEB、UC<UB<UEC、UE>UC>UBD、UE>UC>UB18、工作在放大区的三极管，如果当IB 从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA,那么它的β约为 CA、83B、91C、10019、电路中的一只二极管的正极电位是5V，负极电位是3V，则该二极管 AA、正向导通B、截止C、击穿D、开路20、三极管的两个PN结都反偏，则晶体三极管的状态是 CA、放大B、饱和C、截止D、导通21、PN结的最基本特性是 DA、电流控制型器件B、电流放大作用C、电压放大作用D、单向导电性22、下列不是晶体二极管的特点是 DA、单向导电性B、非线性电阻器件C、有整流作用D、有电流放大作用23、晶体三极管的特点是 CA、电压放大作用B、单向导电性C、电流放大作用D、有整流作用24、场效应管是 A 型半导体三极管。