电子线路试题及参考答案试 题一、单项选择题（在下列各题的四个选项中，只有一项是最符合题意的。

本大题共35小题，每小题2分，共70分）1．在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（ ）A ．掺杂工艺B ．温度C ．杂质浓度D ．晶体缺陷2．在半导体材料中，其正确的说法是（ ）A ．P 型半导体和N 型半导体材料本身都不带电。

B ．P 型半导体中，由于多数载流子为空穴，所以它带正电。

C ．N 型半导体中，由于多数载流子为自由电子，所以它带负电。

D ．N 型半导体中，由于多数载流子为空穴，所以它带负电。

3．由理想二极管组成的电路如图1所示，其A 、B 两端的电压为（ ）A ．–12VB ．+6VC ．–6VD ．+12V 4．使用万用表直流电压挡，测得电路中晶体管各极相对于某一参考点的电位如图2所示，从而可判断出该晶体管工作在（ ）A ．饱和状态B ．放大状态C ．截止状态D ．倒置状态5．对于图3所示复合管，设r be1和r be2分别为T 1、T 2管的输入电阻，则复合管的输入电阻r be 为（ ）A ．r be =r be1B ．r be =r be2C ．r be =r be1+(1+ )r be2D ．r be =r be1+r be26．在图4电路中，设c 1、c 2对交流信号影响可忽略不计。

当输入f =1kHz 的正弦电压信号后，用示波器观察V i 和V o ，则二者相位关系为（ ）A ．相差90°B ．相差45°C ．同相D ．相差180° 7．为了减小温漂，通用型运放的输入级大多采用（ ） A ．共射电路 B ．差分放大电路C ．OCL 电路（互补对称电路）D ．共集电路8．差分放大电路用恒流源代替长尾电阻R e 是为了（ ）A ．提高共模电压放大倍数B ．提高差模电压放大倍数C ．提高差模输入电阻图 1图 2 图 3图4D ．提高共模抑制比9．测得放大电路的开路电压放大倍数为6V ，接入2k Ω负载电阻后，其输出电压降为4V ，则此放大器的输出电阻R o 为（ ）A ．R o =1K ΩB ．R o =2K ΩC ．R o =4K ΩD ．R o =6K Ω10．电路如图5所示，设集成电路具有理想的特性，电阻R 2=10K Ω，当R 1的阻值为下列哪种情况时，可以产生较好的正弦波振荡。

（ ）A ．R 1=4.7K Ω（可调）B ．R 1=10K Ω+4.7K Ω（可调）C ．R 1=15K Ω+4.7K Ω（可调）D ．R 1=18K Ω+4.7K Ω（可调）11．电路如图6所示，其输出电压V 0为（ ）A ．V 0=2VB ．V 0=1VC ．V 0=3VD ．V 0=4V 12．分压式共射放大电路如图7所示。

若更换管子使β由50变为100，则电路的电压放大倍数（ ）A ．约为原来的0.5倍B ．约为原来的2倍C ．基本不变D ．约为原来的4倍13．在OCL 电路中，引起交越失真的原因是（ ）A ．输入信号大B ．晶体管β过大C ．电源电压太高D ．晶体管输入特性的非线性14．电路如图8所示，运放具有理想特性，其输入电阻为（ ）A ．1k ΩB ．2k ΩC ．10k ΩD ．∞15．某场效晶体管的转移特曲线如图9所示，该管为（ ）A ．P 沟道强制型MOS 管B ．N 沟道结强型MOS 管C ．N 沟道结型MOS 管D ．N 沟道耗尽型MOS 管图8 图916．直流负反馈是指（ ）A ．存在于RC 耦合电路中的负反馈B ．直流通路中的负反馈C ．放大直流信号时才有的负反馈D ．只存在于直接耦合电路中的负反馈17．负反馈反能抑制的干扰和噪声是（ ）A ．输入信号所包含的干扰和噪声B ．反馈环外的干扰和噪声C ．反馈环内的干扰和噪声D ．输出信号中的干扰和噪声18．电路如图10所示，电容C 足够大，若V 2的有效值为20V ，则负载上的直流电压平均值为（ ）图5 图6图7图10A．20V B．18VC．9V D．24V19．单相半波可控整流电路的最大控制角是（）A．180°B．90°C．270°D．360°20．在电阻性负载可控整流电路中，负载两端的电压和通过负载的电流波形（）A．形状相同、幅度不同B．电压相位滞后于电流相位C．电压相位超前于电流相位D．形状和幅度都不同21．有两个放大电路相同、输入和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源进行大，在负载开路的条件下测得A的输出电压小，这说明A的（）A．输入电阻大B．输入电阻小C．输出电阻大D．输出电阻小22．开关电路如图11所示，如果状态赋值规定用1表示开关闭合和灯亮；用0表示开关断开和灯灭，则F是A、B的（）A．与函数B．或函数C．与非函数D．或非函数图11 23．A⊙B的函数表达式的（）A．BBA+B．ABAAB+C．A+B D．BA+ 24．二进制数1001101转换成十进制数是（）A．97 B．75 C．77 D．141 25．8421BCD码1111001表示十进制数为（）A．59 B．75 C．91 D．7926．八位二进制数能表示十进制数的最大值是（）A．248 B．192 C．255 D．51227．构成计数器的基本电路是（）A．与门B．与非门C．或非门D．触发器28．若要产生周期性的脉冲信号，应采用的电路是（）A．多谐震荡器B．双稳态触发器C．单稳态触发器D．施密特触发器29．逻辑函数EF+，化简后答案是（）E+FEFA．EF B．FE+C．E+F D．E+FFE30．逻辑函数式Y=EFC，可以写作（）A．G=B．EFG+EY+FY=C．GE=Y+=D．FG⋅EY⋅F31．逻辑函数式C+=的逻辑值为（）+F+BAABCA．ABC B．1 C．A D．032．基本RS触发器电路中，触发脉冲消失后，其输出状态（）A．恢复原状态B．保持现状态C．出现新状态D．不停地翻转33．触发器与组合门电路的比较（）A．两者都有记忆能力B．两者都没有记忆能力C．只有组合逻辑门电路有记忆能力D．只有触发器有记忆能力34．TTLJK触发器。

当J、K均悬空或接高电平时，该触发器的功能是（）A．计数（即翻转）B．置1 C．置0 D．不定35．已知组合电路及输入波形如图12所示，则输出波形为（）图12二、双项选择题（在下列各题的四个选项中，只有两项是最符合题意的。

本大题共30小题，每小题2分，共60分）36．二极管两端所加的反向电压增大时，将会使得（）A．阻挡层变宽B．阻挡层变窄C．反向电流变小D．反向电流基本不变37．在晶体管放大电路中，测得管子各极的电位如图13所示。

为NPN型晶体管的是（）图1338．晶体管用来放大时，应满足的外部条件是（）A．发射结反偏B．发射结正偏C．集电结正偏D．集电结反偏39．当温度升高时，半导体三极管各参数的变化趋势是（）A．β值变小B．β值变大C．穿透电流变大D．穿透电流变小40．增强型MOS管的开启电压应是（）A．P沟道增强型MOS管的开启电压为正值B．P沟道增强型MOS管的开启电压为负值C．N沟道增强型MOS管的开启电压为正值D．N沟道增强型MOS管的开启电压为负值41．射极输出器具有的特点是（）A．输入电阻高B．输入电阻低C．输出电压放输入电压同相D．输出电压和输入电压反相42．在图14所示电路中，能正常放大信号的电路是（）图1443．在图15所示电路中，其输入电阻R i和输出电阻R o分别是（）A．R i=R b//(R e//R L)B．R i=R b//[r be+(1+β)(R e//R L)]C．R o=R e//R L图15D．R o=R e//[r be+(1+β)]≈R be/(1+β)44．电路如图4所示，要使静态时的V CE增大，可采用的方法是（）A ．增大R bB ．减少R bC ．增大R LD ．减小R L45．在图7所示的电路中，稳定静态工作点的措施是（ ）A ．R b1、R b2的阻值很大B ．使基极电位基本不变C ．取较大的R oD ．取较大的R c46．电路如图16所示。

其直流负载线为MN ，静态工作点为Q ，当分别减小R c 的阻值和增大电压时，对负载线和工作点的影响是（ ）A ．减小R c 负载线为MA ，工作点移向Q 1B ．减小R c 负载线为MB ，工作点移向Q 3C ．增大V CC 负载线为CD ，工作点移向Q 2D ．增大V CC 负载线为EF ，工作点移向Q 447．为了尽量减小向信号源取用的信号电流并且有较强的带负载的能力，则应引入的反馈类型应为（ ）A ．电压负反馈B ．电流负反馈C ．串联负反馈D ．并联负反馈48．多级放大电路与单级放大电路相比（ ）A ．电压增益提高B ．电压增益减小C ．通频带变宽D ．通频带变窄49．为了尽量减小向信号源取用的信号电流，并且有较强的带负载能力，则多级放大器的输入级和输出级应满足的条件是（ ）A ．输入级的输入电阻较大B ．输入级的电阻越小越好C ．输出级的输出电阻要小D ．输出级的输出电阻要大50．图17所示电路中，R 1所引入的反馈类型是（ ）A ．电压串联负反馈B ．电压并联负反馈C ．交流反馈D ．交支流反馈51．OCL 电路（互被功放）在理想条件下（ ）A ．最大效率为78.5%B ．最大效率为50%C ．管子承受的最大电压为2V CCD ．管子承受的最大电压为CC 2V52．引入负反馈，对放大器性能的改善是（ ）A ．提高放大倍数B ．消除自激振荡C ．展宽频带D ．改善环内放大器的非线性失真53．振荡器维持振荡的幅值条件和相位条件是（ ）A ．AF =1B ．AF >1C ．)210(2F A ±±=π=+，，n n ΦΦD ．)210()12(F A ±±=π+=+，，n n ΦΦ54．晶闸管导通必须具备的条件是（ ）图16图17A ．承受反向阳极电压B ．承受正向阳极电压C ．承受正向门极电压D ．承受反向门极电压55．电路如图18所示，当V 1为3V 时，其基极电流i B 和输出电压V o 分别是（ ）A ．iB =0.24mAB ．i B =0.43mAC ．V o ≈0VD ．V o =12V 56．电路如图19所示，逻辑关系正确的是（ ）图19 57．电路如图20所示，能实现AB F =的是（ ）图2058．将二进制数转换成十进制数，结果正确的是（ ）A ．(11000)2=(25)10B ．(11110)2=(27)10C ．(10111)2=(23)10D ．(10101)2=(21)1059．下列各式中，结果正确的是（ ）A ．(64)16=(100)10B ．(64)16=(1100100)2C ．(64)16=(98)10D ．(64)=(1100110)260．组合电路的特点是（ ）A ．输入信号仅取决于该时刻的输入信号B ．输出与输入间含有记忆单元C ．输出与输入间不含任何记忆单元和反馈单元D ．输出信号和电路的原状态有关61．电路如图21所示，逻辑函数F 的关系式是（ ）A ．F=C AB + B ．AB F =C ．C AB F ⋅=D ．B A F +=62．逻辑函数F 的真值表已知，则F 的表达式是（ ）A ．F=A+BB ．F=ABC ．F=B A +D ．B A F ⋅= 63．和CD AB F ⋅=有相同逻辑关系的表达式是（ ）A ．D)B)(C (A F ++=B ．F=AB+CDC ．CD B A F ++= D ．CD AB F +=64．电路如图22所示。