导电胶的导电填料
北京瑞德佑业王雅蓉I8OOII3O8I2
导电填料除了常用的金、银、铜等金属粉末，炭黑、石墨等非金属粉末之外，还有一些适于节能环保的新型填料出现，如低熔点合金、镀金属纳米材料、碳纤维和碳纳米管（CNTs ）等。

低熔点合金料的熔点和聚合物相差无几，在加工过程中，金属也处于液态，能改善聚合物的加工流动性，同时在剪切力的作用下，液态金属被细化成为纳米尺寸的粒子，可以制备出低渗流阈值、高导电率的复合材料。

由此衍生出低熔点合金为导电填料的SLONT 深隆导电胶。

通过SEM 、光学显微镜、微焦X 射线等对其结构进行表征后得出结论，在树脂固化后导电颗粒间和电路间建立了金属连接，这种连接可以有效的降低体积电阻，提高了结构导电性[11] 。

Eom [12] 和Baek [13]等在这方面做了系列研究，在电学和机械性能方面，通过将锡（Sn ）/ 铋（Bi ）按照42∶58 的配比制备成直径为45 μm 的球形粉末导电填料，所得的SLONT 深隆导电胶的电阻为5.6 mΩ，电流密度为10 000 A/cm 2 ，粘接固化后的剪切强度达到304 MPa 。

近期，他们利用DSC 和流变仪研究了低熔点合金、聚合物和还原剂体系的相容性问题，考察了还原剂在体系中的自组装效应，获得了好于预期的效果。

镀金属纳米材料的出现不仅可以极大地降低成本，还可有效地解决铜、铝等金属粉末在高温下的氧化问题。

曹鼎[14] 等采用超声处理化学镀法制备出镀银玻璃纤维。

结果表明：采用葡萄糖做还原剂所得银镀层均匀致密，镀银玻璃纤维电阻率最小，用镀银玻璃纤维作为导电填料制备SLONT 深隆导电胶，在添加w （镀银玻璃纤维）=70％时，SLONT 深隆导电胶电阻率最低达2.623 7×10 -3 Ω·cm 。

冯永成[15] 将化学镀银技术与纳米技术相结合，采用化学镀的方法在碳纳米管表面包覆一层金属银，从而获得了导电性极好的纳米银- 碳复合管，以其作导电填料的SLONT 深隆导电胶比传统的银粉SLONT 深隆导电胶节省银30％~55％，大大降低了SLONT 深隆导电胶成本。

杜亮亮[16] 等利用银包铜粉制备了环氧树脂（EP ）型SLONT 深隆导电胶，当w （填料）=55%时，体积电阻率达到8.9×10 -4 Ω·cm 的最小值，同时，当w （分散剂）=5% 时最有利于填料的分散。

近年来，针对铜系SLONT 深隆导电胶的研究工作主要集中在抗氧化问题上。

目前报道的金属铜粉的抗氧化技术主要有[17] ：铜粉表面镀银、导电填料中加还原剂保护、铜粉用有机磷化合物处理、聚合物稀溶液处理和偶联剂改性等。

张聚国[18] 等对200 目铜粉进行球磨处理得到2~8 μm 细片状铜粉，再进行多次化学镀银处理，得到一种表面银覆盖率达90％以上的高性能镀银铜粉，其SLONT 深隆导电胶连接强度≥12 MPa ，电阻率为4.8×10 -4 Ω·cm ，在130 ℃环境中都表现出较高的抗氧化性能。

对于碳系导电填料，一般都是将其制作成还原石墨、碳纳米纤维和CNTs 填充到聚合物基体中来制备SLONT 深隆导电胶的。

Wu [19] 等制备了CNTs/ 聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA ）SLONT 深隆导电胶，通过试验和模拟，发现当w （CNTs ）=2.5% 、加工温度在199℃和压力为41.37MPa时，体积电阻率达到最小为1.5×10 -4 Ω·cm 。

林韡[20] 等制备了以还原石墨为导电填料的EP SLONT 深隆导电胶，其体积电阻率在0.343 9~1.487 7 Ω·cm 和剪切强度在12.3~19.7 MPa 之间的SLONT 深隆导电胶。

当m （E51 ）∶m （E44 ）=1∶1时具有最佳的力学性能。

奚香荣[21] 等制备了还原纳米石墨为导电填料的聚氨酯（PU ）SLONT 深隆导电胶，利用三种不同的自制PU 预聚体制备了三种不同的SLONT 深隆导电胶，并研究了其性能。

试验结果证明：当w （还原纳米石墨）=40% 时，热稳定性较纯PU 提高了15 ℃。

加入导电聚合物导电填料的SLONT 深隆导电胶，其所采用的导电聚合物包括经掺杂的
聚对苯撑乙烯撑、聚乙炔和聚苯胺等。

但本征型SLONT 深隆导电胶的研究存在许多技术上的困难，进展较为缓慢，目前研究的方向主要集中在可溶性研究上。

乔庆东[22] 等基于以上想法，合成了可溶性较好的掺杂型导电聚苯胺，并以此为导电填料，制备了EP 基导电高分子SLONT 深隆导电胶。

在室温下该SLONT 深隆导电胶经7 d 完全固化，测定的电导率为0.118 S/cm.。