当前位置:文档之家› 2014年苏州大学模电选择填空题汇编要点

2014年苏州大学模电选择填空题汇编要点

2014年苏州学院模电复习试题--仲济磊命制(I)一、填空题(本大题共10小题,每空1分,共10分)请在每小题的空格中填上正确答案。

错填、不填均无分。

1.变容二极管是利用PN结的势垒电容而制成的,应工作在反偏状态。

2.晶体三极管的三个电极对地电位分别为V A=-2V,V B=-2.2V,V C=-6V,则该管的管型是_PNP 型锗管__。

3.负反馈放大电路产生自激振荡的条件是___AF..=-1__。

4.MOS管作为开关应用时,其工作状态应在非饱和区和_截止区__之间转换。

5.晶体管的高频参数f T是指β(ω)下降到___0_dB时所对应的频率。

6.集成运算放大器最大输出电压为±V om,若该运放工作在开环或正反馈状态,其输出电压是_正负Vom_。

7.在放大电路中,要稳定输出电压,应引入_电压_负反馈。

8.在差分放大器中,已知V i1=15mv,V i2=10mv,则输入差模电压V id=_5mv=Vi1-Vi2_。

9.理想集成运放的共模抑制比为__正无穷大,因此具有很强的抑制共模信号的能力。

10.场效应管工作在饱和区时,其漏极电流i D和栅源电压V GS之间呈_平方_关系。

二、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分)在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。

错选、多选或未选均无分。

1.二极管的伏安方程是( A )A.i D=I s(错误!未找到引用源。

-1)B.i D=I sC.i D=-I sD.i D=I s错误!未找到引用源。

2.晶体三极管工作在饱和状态时,其两个PN结的偏置状态是( A )A.发射结正偏,集电结正偏B.发射结正偏,集电结反偏C.发射结反偏,集电结正偏D.发射结反偏,集电结反偏3.场效应管共漏极放大电路的信号是从( C )A.栅极输入,漏极输出B.源极输入,漏极输出C.栅极输入,源极输出D.漏极输入,源极输出4.设计一运算电路实现三角波——方波的变换,应选用______实现。

( D )A.同相比例电路B.反相比例电路C.积分电路D.微分电路5.当集成运放工作在线性放大状态时,可运用______两个重要的概念。

( B )A.开环和闭环B.虚短和虚断C.虚短和虚地D.线性和非线性6.要增大放大器的输出电阻及减小输入电阻,可采用______放大电路。

( A )A.电流并联负反馈B.电压并联负反馈C.电流串联负反馈D.电压串联负反馈7.由运算放大器构成的电压比较器,抗干扰能力最强的是( C )A.单限电压比较器B.过零电压比较器C.迟滞电压比较器D.窗口电压比较器8.负反馈放大电路的开环增益是A,反馈系数为k f,则闭环增益A f的表达式是( A )A.错误!未找到引用源。

B.错误!未找到引用源。

C.Ak fD.1+Ak f9.设计一负反馈放大器,实现电压——电流的变换,应引入( C )A.电压串联负反馈B.电压并联负反馈C.电流串联负反馈D.电流并联负反馈10.放大电路在信号的高频段时,放大倍数下降的原因是( B )A.耦合电容和旁路电路的存在B.晶体管极间电容和分布电容的存在C.晶体管非线性的影响D.放大电路的静态工作点设置不合理11.放大器产生零点漂移的主要原因是( B )A.电压增益太大B.环境温度变化C.采用直接耦合方式D.采用阻容耦合方式12.由NPN管组成的单级共发射电路,当集电极电阻R c增大时,工作点Q的I CQ和V CEQ的变化是( C )A.I CQ增大、V CEQ增大B.I CQ增大、V CEQ减小C.I CQ不变、V CEQ减小D.I CQ不变、V CEQ不变13.随着温度的升高,晶体三极管的______将减小。

( B )A.βB.V BE(on)C.I CBOD.I CEO14.集成运算放大电路的输入级通常采用______电路。

( C )A.共集电极放大B.共发射极放大C.差分放大D.共基极放大15.设计一单级晶体管放大器,要求输入电阻大,输出电阻小,应选择______电路。

( D )A.共发射极放大B.共基极放大C.共源极放大D.共集电极放大(II)一、填空题(本大题共10小题,每小题1分,共10分)请在每小题的空格中填上正确答案。

错填、不填均无分。

1.在N型半导体中,掺入__+5__价杂质元素。

2.半导体中有__自由电子__和空穴两种载流子。

3.晶体三极管工作在放大状态时,其发射结应正偏,集电结应__反偏___。

4.PNP型晶体三极管处于放大状态时,三个电极中_发射__极电位最高。

5.N沟道MOS管,V GS越向正值方向增大,I D越_大___。

6.MOS场效应管按栅极开路时有无导电沟道分为增强型和_耗尽型__两种类型。

7.与共发、共集组态相比较,共基组态的输入电阻较__小_。

8.晶体管放大电路的非线性失真分为饱和和_截止__两种。

9.希望增大放大电路的输入电阻并稳定输出电流,应引入___电流串联__负反馈。

10.某一放大电路,其信号源内阻很大,应引入__并联__负反馈电路,才能使反馈更加有效。

二、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分)在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。

错选、多选或未选均无分。

1.当PN结外加正向电压时,阻挡层的宽度将( B )A.增大B.减小C.不变D.近似不变2.当PN结反向工作时,其结电容主要是( A )A.势垒电容B.扩散电容C.平面电容D.势垒和扩散电容并存3.晶体三极管工作在饱和区时,要求( B )A.发射结正偏,集电结反偏B.发射结正偏,集电结正偏C.发射结反偏,集电结反偏D.发射结反偏,集电结正偏4.三极管的I CEO大,说明其( D )A.工作电流大B.击穿电压高C.寿命长D.热稳定性差5.结型场效应管的基本工作原理是( B )A.改变导电沟道中的载流子浓度B.改变导电沟道中的横截面积C.改变导电沟道中的有效长度D.改变导电沟道中的体积6.衡量场效应管控制能力的主要参数是( C )A.电流放大倍数B.电压放大倍数C.跨导D.转移电阻7.有两个放大电路Ⅰ和Ⅱ,其|A v|都为100,它们分别与具有相同内阻的电压源连接后,测得V01=4.85V,V02=4.95V,由此得知电路Ⅱ比Ⅰ好,因为它的( B )A.放大倍数大B.输入电阻高C.输出电阻小D.频带宽8.在差动放大电路中,共模输入信号等于两个输入信号的( D )A.和值B.差值C.迭加D.平均值9.已知某一放大器的A=100,现要求引入负反馈后,增益A f=10,问反馈系数k f应为多少?( C )A.0.01B.0.05C.0.09D.0.1010.反馈量是指( B )A.反馈网络从放大电路输出回路中取出的信号B.反馈到输入回路的信号C.前面两信号之比D.前面两信号之差11.稳压二极管正常工作时,它处在______状态。

( B )A.截止B.击穿C.导通D.不定12.已知三极管的I CQ=1mA,则在常温下跨导g m为( B )A.19.2msB.38.5msC.77msD.154ms13.已知场效应管的λ=0.01,I DQ=1mA,则r ds为( C )A.10kΩB.50kΩC.100kΩD.200kΩ14.下列哪个答案不是共集电极电路的特点?( D )A.输入电阻很高B.电压增益约为1C.输出电阻很低D.输入输出电压反相15.某放大电路的增益为105,则折算成dB数为( C )A.60dBB.80dBC.100dBD.120dB(III)一、填空题(本大题共10小题,每小题1分,共10分)请在每小题的空格中填上正确答案。

错填、不填均无分。

1.温度升高,对二极管的各种参数将发生影响,其中反向饱和电流将_变大___。

2.半导体有两种导电方式:在外加电场作用下将形成__漂移_电流。

3.晶体三极管I CEO的中文含义是_ 基极开路时集射极之间穿过的电流_____。

4.晶体三极管工作在放大区时具有_电流放大_作用。

5.MOS管作开关应用时,其工作状态应在截止区和__非饱和区__之间转换。

6.场效应管的非饱和区又称变阻区,它是沟道未被__夹断__的工作区。

7.三种基本组态晶体管放大电路中,_共基__组态输入电阻最低。

8.在单级放大电路中,若输入电压为正弦波形,用示波器观察v0和v i的波形,当放大电路为共射电路时,则v0和v i的相位__相反_。

9.某一放大电路,要使输出电压稳定,应引入_电压_负反馈电路。

10.已知放大电路输入信号电压为1mV,输出电压为1V,加入负反馈后,为达到同样输出时需要的输入信号为10mV,该电路的反馈系数F为_0.009_。

二、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分)在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。

错选、多选或未选均无分。

1.PN结击穿后,它的反向电流将( D )A.急剧减小B.减小C.几乎不变D.急剧增大2.PN结反向工作时,流过的电流主要是( B )A.扩散电流B.漂移电流C.传导电流D.扩散和漂移电流并存3.工作在放大状态的某NPN晶体三极管,各电极电位关系为( B )A.V C<V B<V EB.V C>V B>V EC.V C<V E<V BD.V C>V E>V B4.以下晶体管的参数中,不属于管子的极限参数的是( D )A.V BR(CEO)B.I CMC.P CMD.β5.场效应管工作在饱和区时具有______的转移特性。

( C )A.线性B.指数律C.平方律D.对数律6.场效应管是一种( A )A.电压控制器件B.电流控制器件C.双极型器件D.少子工作的器件7.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V,接入12kΩ的负载电阻后,输出电压降为3V,这说明放大电路的输出电阻为( C )A.10kΩB.2kΩC.4kΩD.3kΩ8.设单级共射放大电路A vsm=100dB,f H=105Hz,当输入信号频率f=106Hz时,该电路的电压放大倍数约为( C )A.100dBB.90dBC.80dBD.70dB9.反馈放大电路的含义是( B )A.输出与输入之间有信号通路B.电路中存在反向传输的信号通路C.除放大电路以外还有信号通路D.电路中存在使输入信号削弱的反向传输通路10.负反馈放大电路产生自激的条件是( B )A.T (jωo)=1B.T (jωo)=-1C.T (jωo)<1D.T (jωo)>111.在纯净的半导体中加入少量的+5价元素,形成( B )A.本征半导体B.N型半导体C.P型半导体D.杂质半导体12.温度减少时,晶体三极管的______将增加。

相关主题