离子注入：它的掺杂剂是以离子的形式进入 材料。
它会引导离子扫过半导体表面，离子的加速 度决定了它们穿透材料的深度，离子流的大 小和注入时间决定了剂量。因此离子法可以 独立控制注入深度和剂量。
副作用：破坏晶格。即高能量注入过程中原 子核碰撞，造成衬底原子移位，使材料出现 缺陷，可采用退火工序解决。
版图几何设计规则
Poly相关的设计规则列表
编号
描述
尺寸
目的与作用
3.1
多晶硅最小宽度
3.0
保证多晶硅线的必要电导
3.2
多晶硅间距
2.0
防止多晶硅联条
3.3
与有源区最小外
间距
3.4
多晶硅伸出有源
区
3.5
与有源区最小内
间距
1.0
保证沟道区尺寸
1.5
保证栅长及源、漏区的截断
3.0
保证电流在整个栅宽范围内均匀
扩散区（n+ 和p+），它们定义了可以形成晶体
管的区域，这些区域通常称为有源区。
一个或多个多晶硅层，用以形成晶体管的栅电极（同 时也可用做互连层）。
多个金属互连层。
接触孔和通孔，提供层与层之间的连接。
版图几何设计规则
• NWELL硅栅的层次标示
层次表示
含义
NWELL
N阱层
Locos
流动
版图几何设计规则
Poly相关设计规则示意图
版图几何设计规则
Contact相关的设计规则列表
编号
描述
尺寸
目的与作用
4.1
接触孔大小
2.0x2.0
保证与铝布线的良好接触
4.2
接触孔间距
2.0
保证良好接触
4.3
多晶硅覆盖孔
1.0
防止漏电和短路
4.4
有源区覆盖孔
1.5
防止PN结漏电和短路
4.5
第五步：酸刻蚀，去掉圆片上未被光刻胶覆盖部分的材料。如二氧化硅
第六步：旋转、清洗和干燥，采用一种特殊的工具用去离子水来清洗圆片， 再用氮气进行干燥。
第七步：各种工艺加工步骤，现在便可以对圆片的暴露部分进行各种加工， 如离子注入、金属刻蚀等。
第八步：去除光刻胶，用高温等离子体有选择地去除剩下的光刻胶而不破坏 器件层。
有源区孔到栅距离
1.5
防止源、漏区与栅短路
4.6
多晶硅孔到有源区距
1.5
离
4.7
金属覆盖孔
1.0
防止源、漏区与栅短路 保证接触，防止断条
版图几何设计规则
contact设计规则示意图
版图几何设计规则
Metal相关的设计规则列表
编号 5.1
描述
尺寸
金属宽度
2.5
目的与作用 保证铝线的良好电导
＜出错条件＞ ＜出错输出＞
在运行过程中，如果所画版图出现符合＜出错 条件＞的情形，则执行＜出错输出＞。则此出错条 件是由设计人员按照设计规则编写的。在DRC执行 过程中，计算机会自动对照查验图形和出错条件。
关于＜出错输出＞语句，可以在其中列出出错 单元的名称(Cell Name)及层次(layName)，并写成 ：＜OUTPUT CellName layName＞。
(c)接着利用有源区掩膜的互补区域进行等离子刻蚀，以形成隔离器件的沟槽。
(d)沟槽填充氧化物、CMP平整化及 移去氮化硅牺牲层后
(d)在完成沟道阻挡注入后，沟槽内填满SiO2，接着进行一系列的工序来平整表面。 这时，氮化硅牺牲层被移去。
(e) N阱和VTP调整的离子注入
(e)用n阱掩膜只暴光n阱区域（圆片的其余部分为一层厚缓冲材料所覆盖），之后 进行注入-退火工序来调整阱的掺杂。接着是第二次注入步骤以调整P管的阈值 电压。这一注入只对栅氧下面的区域的掺杂产生影响。
接下来的工艺步骤是淀积多层金属互连层、接触孔、通孔等
(i) SiO2绝缘层淀积及接触孔 刻蚀后
(j) 第一层铝淀积及图形形成后
(k) SiO2绝缘层淀积、通孔刻 蚀及第二层铝淀积和图形 形成后
(i~k)淀积绝缘材料（多为SiO2),刻蚀接触孔或通孔，淀积金属（多为铝和铜，但在 较低的互连层中也常使用钨），以及形成金属层图形。 在这中间的平面化步骤采用化学机械抛光以保证即便存在多个互连层时表面 仍保持适度的平整。
5.2
金属间距
2.0
防止铝条联条
版图几何设计规则
Metal设计规则示意图
反相器实例
层内限制规则:它定义了每一层中图形的 最小尺寸,以及在同一层中图形间的最小 间距.
层间限制规则:它考虑的是层与层之间的 连接关系.
版图验证
设计规则的验证（DRC）
设计规则的验证（DRC）由下述命令格式书写 成检查文件：
在此之后，刻蚀掉未被多晶硅覆盖的栅氧薄层，同样的注入也用来对多晶硅表面 进行掺杂以减小它的电阻率。因为未掺杂的多晶硅具有非常高的电阻率。
注意：在掺杂之前形成图形的多晶硅栅实际确定了沟道的确切位置，从而也确定了 源区和漏区的位置——这一过程称为自对准工艺，它使源和漏这两个区域 相对于栅具有非常精确的位置，并有助于减小晶体管中的寄生电容。
N+或P+有源区层
Poly
多晶硅层
Contact
接触孔层
Metal
金属层
Pad
焊盘钝化层
标示图
版图几何设计规则
NWELL层相关的设计规则
编号
描述
尺寸
目的与作用
1.1
N阱最小宽度
10.0
保证光刻精度和器件尺寸
1.2
N阱最小间距
10.0
防止不同电位阱间干扰
1.3
N阱内N阱覆盖P+
2.0
保证N阱四周的场注N区环的尺寸
➢衬底或阱； ➢扩散区（n+和p+),他们定义了可以形成晶体管的区域，这些区域通常称为有源区， ➢ 再在有源区上掺杂形成晶体管。掺杂的区域称为注入区； ➢一个或多个多晶硅层，用以形成晶体管的栅电极（也可用做互连层）； ➢多个金属互连层； ➢接触孔和通孔，提供层与层之间的连接。
层内限制规则 第一组规则定义了在每一层中图形的最小尺寸，以及在同一层中图形间的 最小间距。
1.4
N阱外N阱到N+距离
8.0
减少闩锁效应
版图几何设计规则
N阱设计规则示意图
版图几何设计规则
P+、N+有源区相关的设计规则列表
编号 描 述
尺
寸
目的与作用
2.1
P+、N+有源区宽度
3.5
保证器件尺寸，减少窄沟道效
应
2.2
P+、N+有源区间距
3.5
减少寄生效应
版图几何设计规则
P+、N+有源区设计规则示意图
版图几何设计规则
• 有几种方法可以用来描述设计规 则。其中包括：
＊以微米分辨率来规定的微米规则 ＊以特征尺寸为基准的λ规则
版图几何设计规则
层次 人们把设计过程抽象成若干
易于处理的概念性版图层次，这 些层次代表线路转换成硅芯片时 所必需的掩模图形。
衬底或阱，它们有P型（对NMOS器件） 和n型（对PMOS管）。
２、第二步：涂光刻胶，通过旋转圆片在其上均匀涂上一层厚约为１um的光敏 聚合物，它原本溶于有机溶剂，暴光后不可溶。这为负胶，正胶相反。
３、第三步：光刻机暴光，把一个含有我们要转移到硅上的图形的光栅（玻璃掩模） 靠近圆片，若采用负光刻胶，则掩模上需要加工的区域是不透明的， 其余部分是透明的。
４、第四步：光刻胶的显影和烘光，用酸或碱溶液显影圆片，去掉为暴光部分的 光刻胶，然后把圆片放在低温下慢慢烘光使留下的光刻胶变硬。
层间限制规则 由于涉及到许多层，所以对版图的理解需要具有将所画的二维版图想象成 三维实际器件的能力。 1.晶体管规则。一个晶体管是由有源层和多晶层重叠而成。 2.接触孔和通孔规则。 3.阱和衬底接触。为了在用metal1实现的电源线和一个P型材料间建立起一个
欧姆接触，必须提供一个P+扩散区。
接触孔和通孔的说明
2.2.4简化的CMOS工艺流程
（a)基础材料：P+衬底及P外延层 (a)整个工艺从一个P型衬底开始，它的表面是一层轻掺杂的P型外延层
（b)淀积栅氧和氮化硅牺牲层 （作为缓冲层）后
(b)之后淀积一层很薄的SiO2，它在以后将成为晶体管的栅氧层，然后再淀积一层 较厚的氮化硅牺牲层。
(c)采用有源区掩膜互补区进行等离子 刻蚀绝缘沟槽后
掩模版的作用
掩膜上的图形决定着芯片上器 件或连接物理层的尺寸。因此 版图上的几何图形尺寸与芯片 上物理层的尺寸直接相关。
设计规则
由于器件的物理特性和工艺的限制，芯片 上物理层的尺寸进而版图的设计必须遵守 特定的规则。
这些规则是各集成电路制造厂家根据本身 的工艺特点和技术水平而制定的。
淀积：即在圆片上反复淀积材料层。例如 可化学气相淀积（CVD）产生多晶，采用 溅射工艺形成铝互连层。
刻蚀：材料一旦淀积后，就可以用有选择的刻蚀来形成如 连线或接触孔这样的图形。例如在刻蚀SiO2时常用HF酸。
平面化：如果要在圆片表面可靠的淀积材料层，则保证半 导体表面的平整是非常重要的。否则一层一层的金属叠在 一起会导致台阶的产生。
集成电路最小特征尺寸的不断缩小已成 为半导体制造设备开发者的沉重负担。 因为要转移的特征尺寸超出光源的波长 范围使达到所需要的分辨率和精度变得 越来越困难。
当线宽小到和光源波长可以比拟时，便 会产生衍射现象，这时根本就无
扩散和离子注入:这两个步骤可要求改变材料某些 部分的掺杂浓度。例如：源区漏区、阱和衬底接触 的形成，多晶掺杂以及器件阈值的调整。 它要求要掺杂的区域暴露在外，而圆片的其余部分 用SiO2。 扩散：将圆片放在石英管内，再放入加热炉中， 并向管内通入含有掺杂剂的气体，最终使得掺 杂剂同时垂直和水平地扩散入暴露的表面部分。 最终掺杂剂的浓度在表面最大并随进入材料的 深度按高斯分布降低。