在基本放大电路的三种组态中，输入电阻最大的放大电路是[ ] A.共射放大电路 B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定在基本共射放大电路中，负载电阻RL 减小时，输出电阻RO将[ ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定在三种基本放大电路中，输入电阻最小的放大电路是[ ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定在电路中我们可以利用[ ]实现高内阻信号源与低阻负载之间较好的配合。
A 共射电路B 共基电路C 共集电路D 共射-共基电路在基本放大电路的三种组态中，输出电阻最小的是[ ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定在由NPN晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了底部削平的失真，这种失真是[ ]A.饱和失真B.截止失真C.交越失真D.频率失真以下电路中，可用作电压跟随器的是[ ] A．差分放大电路 B．共基电路C．共射电路 D．共集电路晶体三极管的关系式iE =f(uEB)|uCB代表三极管的A.共射极输入特性B.共射极输出特性C.共基极输入特性D.共基极输出特性对于图所示的复合管，穿透电流为（设ICEO1、ICEO2分别表示T1、T2管的穿透电流）A.ICEO = ICEO2ICEOB.ICEO =ICEO1+ICEO2C.ICEO =（1+2）ICEO1+ICEO2D.ICEO =ICEO1图 [ ]在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了顶部削平的失真，这种失真是[ ] B.饱和失真 B.截止失真 C.交越失真 D.频率失真对于基本共射放大电路， Rb 减小时，输入电阻Ri将[ ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定在基本共射放大电路中，信号源内阻RS 减小时，输入电阻Ri将[ ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定在三种基本放大电路中，电压增益最小的放大电路是[ ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定在三种基本放大电路中，电流增益最小的放大电路是[ ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定某放大电路的负载开路时的输出电压为4V，接入3K的负载电阻后输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为。
双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结、集电结。
对于基本共射放大电路，试判断某一参数变化时放大电路动态性能的变化情况(a.增大，b.减小，c.不变)，选择正确的答案填入空格。
1、Rb 减小时，输入电阻Ri。
2、Rb 增大时，输出电阻Ro。
3、信号源内阻Rs 增大时，输入电阻Ri。
4、信号源内阻Rs 减小时，电压放大倍数||||oussUAU=。
5、负载电阻RL 增大时，电压放大倍数||||oussUAU=。
6、负载电阻RL 减小时，输出电阻Ro。
选择正确的答案填空。
1、复合管的额定功耗是。
(a.各晶体管额定功耗之和；b.前面管子的额定功耗；c.后面管子的额定功耗；d.各晶体管额定功耗的平均值)2、复合管的反向击穿电压等于。
(a.各晶体管反向击穿电压之和；b.前面管子的反向击穿电压；c.后面管子的反向击穿电压；d.各晶体管反向击穿电压值中的较小者)3、复合管的集电极最大允许电流等于。
(a.各晶体管集电极最大允许电流之和；b.前面管子的集电极最大允许电流；c.后面管子的集电极最大允许电流；d.各晶体管集电极最大允许电流值中的较小者)4、有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。
在负载开路的条件下测得A的输出电压小。
这说明A的。
a.输入电阻大b.输入电阻小c.输出电阻大d.输出电阻小在实验桌上放有下列仪器：A、WQ-2-A型直流稳压电源：输出电压在0~30V范围内可调；B、FG-163型函数发生器：可产生正弦波、三角波、方波等信号，频率范围为~20MHz，输出电阻约为50Ω；C、DA-16型晶体管毫伏表：频率范围为20Hz~1MHz，输入电阻在频率为1kHz 时大于1MQ，输入电容为50~70pF；D、DT-830型数字万用表：交、直流挡的输入电阻均为10MΩ，交流电压挡的频率范围45~500Hz，输入电容为100pF；E、CS-1830型示波器：频率范围为0~30MHz，输入电阻为1MΩ，输入电容为23pF。
问测量放大电路的下列性能指标需用哪些仪器设备？（只需写出上述仪器设备的标号，如A、B等）1、静态工作点：2、电压放大倍数：3、输入电阻：4、输出电阻：5、上限截止频率（预计约1MHz）：为了测量交流放大电路的电压放大倍数，需要在放大电路的输入端加进10mV 的正弦信号。
问下列几种获取信号的方法是否正确？为什么？1、调整信号发生器的电压幅度，利用信号发生器上的表头指示和衰减倍数产生10mV的正弦电压，然后将它加到放大电路的输入端。
2、调整信号发生器的电压幅度，利用晶体管毫伏表测量其输出端电压，从而得到10mV信号。
然后将它接到放大电路的输入端。
3、先将尚无输出电压的信号发生器连接到放大电路的输入端，然后由小到大地调节信号源的电压幅度，用晶体管毫伏表测量其大小，使之达到10mV。
某同学为验证基本共射放大电路电压放大倍数与静态工作点的关系，在线性放大条件下对同一个电路测了四级数据。
试找出其中错误的一组。
=，Ui =10mV，Uo==，Ui =10mV，Uo==，Ui =10mV，Uo==2mA，Ui =10mV，Uo=判断下列说法是否正确，对的画√，错的画×。
1、晶体管的输入电阻rbe是一个动态电阻，故它与静态工作点无关。
（）2、在基本共射放大电路中，若晶体管的β增大一倍，则电压放大倍数也相应地增大一倍。
（）3、共集放大电路的电压放大倍数总是小于1，故不能用来实现功率放大。
（）4、只有当两个晶体管的类型相同（都为NPN管或都为PNP管）时才能组成复合管。
（）5、复合管的类型（NPN或PNP）与组成它的最前面的管子类型相同。
（）6、只要把两个晶体管的复合管，一定可以提高管子的输入电阻。
（）7、复合管的β值近似等于组成它的各晶体管β值的乘积。
（）8、复合管的空透电流等于组成它的各晶体管的空透电流之和。
（）9、两个同类晶体管（例如都是NPN管）复合，由于两管的UBE叠加，受温度的影响增大，所以它产生的漂移电压比单管大。
（）10、由于场效应管的栅极几乎不取电流，所以两个场效应管不能组成复合管。
（）11、由于场效应管的栅极几乎不取电流，所以场效应管与双极型晶体管也不能级成复合管。
（）用两个晶体管分别组成下面的两种复合管：1、输入电阻与单管相同的NPN型复合管；2、输入电阻明显增大的PNP型复合管。
3、用一个NPN和一PNP型晶体管，分别组成一个NPN和一个PNP型的复合管；4、用两个NPN 型晶体管组成一个NPN 型的复合管。
通常功率管的电流放大系数β较小，而小功率管的β较大，现需要一个β较大而基-射极电压UBE 温漂较小的NPN 型大功率管，拟采用复合管的结构来实现。
试画出该复合管的接线图。
设图所示电路中各电容对交流信号可视为短路，晶体管的=50，r bb’=200,U BEQ =,求：1） 静态工作点I CQ 、U CEQ 各为多少？2） 输入电阻Ri ,输出电阻Ro 各为多少？ 3） 电压放大倍数Au 为多少？在图的电路中，T1、T2特性相同，且很大，求I C2和U CE2 的值。
设U BE =。
判断如图、b 所示电路是否可能对正弦信号实现放大，不能放大的说明原因。
图 图2．28设图所示电路中各电容对交流信号可视为短路，晶体管的β=50,rbb’=200Ω,UBEQ=,求:①.求静态工作点ICQ=?②.该电路的输入电阻Ri输出电阻Ro各为多少?③.该电路的电压放大倍数Au为多少?在右图所示电路中，设Vcc=12V，Rc=Ω，R1=R2=150KΩ，Rs=300Ω，RL=∞，晶体管的=49，rbb’=300Ω，UBE=，设各电容对交流信号均可视为短路。
1．估算静态工作点ICQ 和UCEQ；2．画出该电路的简化h参数微变等效电路；3．计算出AU =UO/Ui、AUS=UO/US、Ri和RO的值；图图图4．若将C3开路，试问对该电路的Q 点、AUS、Ri和Ro有何影响？指出并改正图电路中的错误使电路能够正常放大信号。
图图。