高频电子线路读书笔记【篇一：晶体管放大电路设计读书笔记】一、放大电路的工作1、功率开关mos管结构：在内部将大量fet并联连接起来的，每一个单元中流过的电流很小，防止局部的电流集中，同时改善高频特性。

2、耦合电容：使输入信号与电路或电路与者电路与电路的耦合。

3、电源的去耦电容：降低电源对gnd的交流阻抗的电容(旁路电容)，当没有这个电容时，电路的交流特性变的很奇特，严重时电路产生震荡。

4、在低频电路中，去耦电容的安装位置不是问题；但在高频电路中，安装位置比什么都重要，引线也要短。

5、 npn型的ttl三极管可以理解为：由集电极进行输出的电流源。

6、在共射电路中，发射极接个电阻re,可以认为在改电路中加了负反馈，由于负反馈，re有抑制hfe(电流放大系数)的分散性和vbe的温度变化而产生的发射极电流变化的作用。

7、 ttl三极管共射电路中：发电极电位设定在vcc与ve的中点。

二、增强输出电路1、ttl三极管工集电路中：集电极电位设定在vcc与gnd的中点。

2、射机跟随器大多数用在电路的输出极，因为需要经常处理大电流，所以必须注意晶体管和电阻的发热问题。

3、将射极跟随器组合在共发射极放大电路上来降低输出阻抗的放大电路。

4、由于集电极电容接地，故不会发生密勒效应，因此频率特性变好。

5、在晶体管电路中，通常越提高放大率，噪音就越增加，这是由于进行放大的同时，电路内部产生的噪音也被放大的缘故。

6、当op放大器需要驱动大的负载时，需要将op放大器与射极跟随器相互结合。

三、功率放大器的制作与设计1、功率放大器的一般规律：首先电压放大得到必要的输出；之后放置能驱动低阻抗负载的电流缓冲放大器。

2、解决发热问题是制作功率放大器的重点。

3、用一个晶体管进行工作的集电极电流的适当值为最大电流的1/3左右。

四、拓宽频带特性1、由于共基极放大电路的输出阻抗比较高，所以在输出信号长距离传输时，输出阻抗与布线杂散电容形成低通滤波器，就不能够显示出共基极放大电路本来的频率特性有点，为了改进这一点，在共基极放大电路的后级接上射极跟随器。

2、在共基极放大电路中，发射极等效于交流接地。

3、在共基极放大电路中，可以将信号直接输入到发射极上。

但由于由于电路的输入阻抗只有数欧那样低的值，所以它通常难以使用，为此，除了在高频范围，一般不使用该电路。

五、视频选择器的设计和制作1、在高频电路中，用一定的输出阻抗进行发送，用一定的输入阻抗进行接收，以此来作为信号的传送。

2、通常晶体管流过大一些的发射极电流时，则频率特性变好。

【篇二：电子电路读书笔记】电子电路读书笔记1、 hc为coms电平，hct为ttl电平2、 ls输入开路为高电平，hc输入不允许开路， hc一般都要求有上下拉电阻来确定输入端无效时的电平。

ls 却没有这个要求3、 ls输出下拉强上拉弱，hc上拉下拉相同4、工作电压：ls只能用5v，而hc一般为2v到6v5、 cmos可以驱动ttl，但反过来是不行的。

ttl电路驱动coms电路时需要加上拉电阻，将2.4v~3.6v之间的电压上拉起来，让cmos 检测到高电平输入6、驱动能力不同，ls一般高电平的驱动能力为5ma，低电平为20ma;而cmos的高低电平均为5ma7、 rs232电平为+12v为逻辑负，-12为逻辑正8、 74系列为商用，54为军用9、 ttl高电平2.4v,ttl低电平0.4v, 噪声容限0.4v10、 oc门，即集电极开路门电路(为什么会有oc门?因为要实现“线与”逻辑)，od门，即漏极开路门电路，必须外界上拉电阻和电源才能将开关电平作为高低电平用。

否则它一般只作为开关大电压和大电流负载，所以又叫做驱动门电路。

并且只能吸收电流，必须外界上拉电阻和电源才才能对外输出电流11、 coms的输入电流超过1ma，就有可能烧坏coms12、当接长信号传输线时，在coms电路端接匹配电阻13、在门电路输入端串联10k电阻后再输入低电平，输入端出呈现的是高电平而不是低电平14、如果电路中出现3.3v的coms电路去驱动5v cmos电路的情况，如3.3v单片机去驱动74hc,这种情况有以下几种方法解决，最简单的就是直接将74hc换成74hct的芯片，因为3.3v cmos 可以直接驱动5v的ttl电路;或者加电压转换芯片;还有就是把单片机的i/o口设为开漏，然后加上拉电阻到5v，这种情况下得根据实际情况调整电阻的大小，以保证信号的上升沿时间。

15、逻辑门输出为高电平时的负载电流(为拉电流)，逻辑门输出为低电平时的负载电流(为灌电流)16、由于漏级开路，所以后级电路必须接一上拉电阻，上拉电阻的电源电压就可以决定输出电平。

这样漏极开路形式就可以连接不同电平的器件，用于电平转换。

需要注意的一点：在上升沿的时候通过外部上拉无源电阻对负载进行充电，所以上升沿的时间可能不够迅速，尽量使用下降沿17、几种电平转换方法：(1) 晶体管+上拉电阻法就是一个双极型三极管或mosfet，c/d极接一个上拉电阻到正电源，输入电平很灵活，输出电平大致就是正电源电平。

(2) oc/od 器件+上拉电阻法跟 1) 类似。

适用于器件输出刚好为 oc/od 的场合。

(3) 74xhct系列芯片升压(3.3v→5v)凡是输入与 5v ttl 电平兼容的 5v cmos 器件都可以用作3.3v→5v电平转换。

——这是由于 3.3v cmos 的电平刚好和5v ttl电平兼容(巧合)，而 cmos 的输出电平总是接近电源电平的。

廉价的选择如 74xhct(hct/ahct/vhct/ahct1g/vhct1g/...)系列 (那个字母 t 就表示 ttl 兼容)。

(4) 超限输入降压法(5v→3.3v, 3.3v→1.8v, ...)凡是允许输入电平超过电源的逻辑器件，都可以用作降低电平。

这里的超限是指超过电源，许多较古老的器件都不允许输入电压超过电源，但越来越多的新器件取消了这个限制 (改变了输入级保护电路)。

例如，74ahc/vhc 系列芯片，其 datasheets 明确注明输入电压范围为0~5.5v，如果采用3.3v 供电，就可以实现5v→3.3v 电平转换。

(5) 专用电平转换芯片最著名的就是 164245，不仅可以用作升压/降压，而且允许两边电源不同步。

这是最通用的电平转换方案，但是也是很昂贵的 (俺前不久买还是￥45/片，虽是零售，也贵的吓人)，因此若非必要，最好用前两个方案。

(6) 电阻分压法最简单的降低电平的方法。

5v电平，经1.6k+3.3k电阻分压，就是3.3v。

(7) 限流电阻法18、无极性电容和有极性电容：前者的封装基本为0805，0603。

后者用的最多为铝电解电容，好一点的钽电容19、 pqfp(plastic quad flat package,塑料四边引出扁平封装),bga(ball grid arraypackage,球栅阵列封装),pga(pin grid array package,针栅阵列封装),plcc(plastic leaded chipcarrier,塑料有引线芯片载体),sop(small outline package,小尺寸封装),tosp(thin small outlinepackage,薄小外形封装),soic(small outline integrated circuitpackage,小外形集成电路封装)集成电路常见的封装形式qfp(quad flat package)四面有鸥翼型脚(封装)bga(ball grid array)球栅阵列(封装)plcc(plastic leaded chip carrier)四边有内勾型脚(封装)soj(small outline junction) 两边有内勾型脚(封装)soic(small outline integrated circuit)两面有鸥翼型脚(封装)20、屏蔽线对静电有很强的抑制作用，双绞线对电磁感应也有一定的抑制效果21、模拟信号采样抗干扰技术：可以采用具有差动输入的测量放大器，采用屏蔽双胶线传输测量信号，或将电压信号改变为电流信号，以及采用阻容滤波等技术22、闲置不用的ic管脚不要悬空以避免干扰引入。

不用的运算放大器正输入端接地，负输入端接输出。

单片机不用的i/o口定义成输出。

单片机上有一个以上电源、接地端，每个都要接上，不要悬空23、电阻阻值色环表示法：普通的色环电阻器用4环表示,精密电阻器用5环表示24、电阻的作用为分流、限流、分压、偏置、滤波(与电容器组合使用)和阻抗匹配等25、电容的作用:隔直流,旁路,耦合,滤波,补偿,充放电,储能等26、一般电容的数字表示法单位为pf，电解电容一般为uf27、电容器的主要性能指标: 电容器的容量(即储存电荷的容量),耐压值(指在额定温度范围内电容能长时间可靠工作的最大直流电压或最大交流电压的有效值)耐温值(表示电容所能承受的最高工作温度。

).28、电感器的作用：滤波，陷波，振荡，储存磁能等29、电感器的分类:空芯电感和磁芯电感.磁芯电感又可称为铁芯电感和铜芯电感等30、半导体二极管的分类a 按材质分：硅二极管和锗二极管;b按用途分：整流二极管，检波二极管，稳压二极管，发光二极管，光电二极管，变容二极管。

31、场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。

在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管;而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管32、 socket是一种插座封装形式,是一种矩型的插座; slot是一种插槽封装形式,是一种长方形的插槽33、晶振的测量方法:用万用表rx10k档测量石英晶体振荡器的正,反向电阻值.正常时应为无穷大.若测得石英晶体振荡器有一定的阻值或为零,则说明该石英晶体振荡器已漏电或击穿损坏34、 io口输出高电平时，驱动能力最低，对外显示为推电流;io口输出低电平时，驱动能力最大，对外显示为拉电流35、外围集成数字驱动电路如果驱动的是感性负载，必须加限流电阻或钳住二极管36、 9013提供的驱动电流有300ma37、输出数据应该锁存(外围速度跟不上，所以需要锁存)，输入数据应该有三态缓冲(加入了高阻状态，不至于对内部的数据总线产生影响)38、 8位并行输出口(必须带有锁存功能)：74ls377,74ls273.8位并行输入口(必须是三态门)：74ls373,74ls24439、串行口扩展并行口，并行输入口：74ls165。

并行输出口：74ls16440、键盘工作方式有三种：1、编程扫描方式2、定时扫描方式3、中断方式。

还可以专门设计一个io口用来进行双功能键的设计(上档键和下档键)41、对于ttl负载，主要应考虑直流负载特性，因为ttl的电流大，分布电容小。