晶闸管的主要参数额定电压
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练习:已知变压器副边电压为 u 2U sin(t), 其中 2 *50
晶闸管控制极电压波形见 u g 求负载电压 大u小0 。
u
T io
+ u –
+ uT–
+O RL –uoug
60°
O
2 420° t t
t 0 30 59 61 120180 240 360 390 419 430
控制电流远小于饱和电流,也可
使晶闸管导通。
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① 晶闸管开通
晶闸管开通特性结论:
K
G
A
结论1:若控制极无电压,即使晶闸管加正 向电压,晶闸管不导通;
结论2:这开通条件为
1)加正向电压 2)晶闸管控制电路加合适的正向电压
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② 晶闸管维持导通
保持EA > 0,断开EG, iB2 (I A IG ) iG
如果正弦半波电流的最大值为Im, 则
I F
1 2π
0
Im
sin
td (t)
Im π
i
IF
2
t
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4. IH: 维持电流 在规定的环境和控制极断路时,晶闸管维持导通状态所
必须的最小电流。
5. UF: 通态平均电压(管压降) 在规定的条件下,通过正弦半波平均电流时,晶闸管阳、
阴极间的电压平均值。 一般为1V左右。
6. UG、IG:控制极触发电压和电流 室温下,阳极电压为直流6V时,使晶闸管完全导通所必
须的最小控制极直流电压、电流 。
一般UG为1到5V,IG为几十到几百毫安。
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结束
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在门极断路而结温为额定值时,允 许重复加在器件上的反向峰值电压 。一般取 URRM=0.8UBR
UFRM、URSM中较小的一个,由于晶 闸管工作时可能会出现瞬时过电压, 其额定电压应该比管子上最大瞬时电 压大2~3倍
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3)IF:正向平均电流
环境温度为40C及标准散热条件下,晶闸管处于全导通 时可以连续通过的工频正弦半波电流的平均值。
u0
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2.3 晶闸管的伏安特性及其主要参数 1、晶闸管的伏安特性
IG >0
K
G
A
反向特性
正向特性
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2、晶闸管的主要参数
1) 正向重复峰值电压UDRM 2)反向不重复峰值电压URSM
额定电压
在门极断路而结温为额定值时,允 许重复加在器件上的正向峰值电压 。一般取UFRM = 80% UB0
A
ββ 12
iG
T1
iG
G
iB2
E
G
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R
β 2
iG
T2 EA_+
K
晶闸管导通后,去掉EG , 依靠正反馈,仍可维持导通状 态。 结论3:开通后,失去控制 电压不能使之关断。
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③ 晶闸管关断
A β 1β 2iG
T1
iG iB2
EG
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R
β 2iG
T2
EA
+ _
K
要使已导通的晶闸管关 断,可降低阳极电压,或增 加阳极回路电阻,使流过管 子的阳极电流减小到一定值 (一般为几十毫安)时,内部 正反馈无法维持.IA突然降 为零.晶闸管才能恢复正向 阻断状态。
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晶闸管的导通条件为:
K
G
2019/11/22 A
1) 在阳极和阴极间加正向电压。 2) 在控制极和阴极间加正向触发电压。
晶闸管导通后,控制极便失去作 用。 依靠正反馈,晶闸管仍可维持 导通状态
晶闸管关断的条件:
1. 必须使阳极电流减小,直到正反馈效应不 能维持。 2. 将阳极电源断开或者在晶闸管的阳极和 阴极间加反相电压。
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① 晶闸管开通
已知:EA > EG > 0
A β 1β 2iG
T1
iG iB2
EG
R
β 2iG
T2
EA
+ _
形成正反馈过程:
iB2 iG
iC2 2iG iB1 iC1 β 1iC 2
1 2iG iB2
在极短时间内使两个三极管均饱 和导通,此过程称触发导通。
2、晶闸管
2.1概述 晶闸管——硅晶体闸流管的简称,是目前工业中实现大 容量功率变换和控制的主要电力电子器件。 晶闸管相当于一个可以控制接通的导电开关。
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2.2晶闸管的工作原理
1、晶闸管结构、符号与外形
晶闸管的内部结构示意图和图形符号如下图所示。它由 PNPN四层半导体构成,其间形成三个PN结,引出三个 电极,分别为阳极a、阴极k和控制极g。
晶闸管的外形图
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晶闸管的内部结构和符号
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2、晶闸管工作原理
为了说明晶闸管的工作原理,可将晶闸管等效地看成由PNP和NPN型 两个三极管连接而成,每个三极管基极与另一个三极管的集电极相连,如 图所示,阳极a相当于PNP型三极管T2的发射极,阴极k相当于NPN型 T1三极管的发射极。
饱和电流为:
IA
EA RK201来自/11/224① 晶闸管开通
已知:EA > EG > 0
A β 1β 2iG
T1
iG iB2
EG
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R
β 2iG
T2
EA
+ _
K
饱和电流为:
IA
EA R
控制电流为:
IG
EG RG
正向电压为: E A
控制电压为: EG
通常控制电压远小于正向电压,