UCE增大，曲线族右移，当 UCE>=1，曲线基本重合.通 常只画出UCE>=1时一条曲线
输入特性曲线是非线性的，
有一段“死区”，硅管约
0.5V, 锗管约0.1V
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输出特性曲线
IC(mA )
4
饱和区
3
放
2.3
Q2
2
1.5
大 Q1
1 区
3 69 截止区
100A
80A 60A 40A 20A IB=0 12 UCE(V)
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6
电流分配和放大原理
1）把晶体管接成两个电路： 基极电路和集电极电路, 发射极是公共端，称 为：晶体管的共发射极接法
2）对NPN型硅管,发射结施加正向电压 (正向偏置),集电结施加反向电压(反向偏置)
IC mA
IB
A
BC
E
+
RB EB
+
_
mA IE
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EC _
7
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8
IB(mA) 0
信号源es
内阻RS 输入电压ui
RB
C1 +
+
RS
+ ui
uS
_
_
iB iC
+ uBE
_
RC
C2
+
+
T uCE
_ iE
RL
+
_ + uo
UCC
输出端： 负载RL 输出电压uo
_
三极精管品p：pt T
21
集电极电源UCC：使集电结反向偏置, 为放大电路提供能源
集电极负载RC：将集电极电流的变化转换为集-射极 电压uCE的变化，以实现电压放大。
半导体三极管和放大电路
本章基本要求
1. 深入理解三极管的电流放大作用，输入输出特性曲线。
2. 掌握直流通路、交流通路的画法，熟悉直流分量、交 流分量的 表示方法。
3. 深入理解静态工作点的含义，及其与失真的关系。
4. 掌握微变等效电路的画法。
5. 掌握分压式偏置电路、共射极电路、射极输出器的电 路分析及特点。
本章主要讨论电压放大电路
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基本放大电路的组成
RB
RC
+UCC +C2
C1 +
RS +
+ ui
es –
–
iB iC + + TuCE + uB–E – RL uo
iE
–
单电源供电时常用的画法
RC<< RB
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共射极交流放大电路的基本组成
输入端：
输出特性曲线指当基极电 流IB为常数时，输出电路 (集电极电路) 集电极电流IC 与集 – 射极电压UCE之间的 关系曲线。
IC=f (UCE ) | IB=常数
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12
曲线是以IB为参变量的曲线族，曲线族分为三个区域：
IC(mA )
4
3
Q2 2.3
2
1.5
Q1
1
3 69
1) 饱和区:当UCE较小时
100A 80A 60A 40A
UCE较小的变化, IC有较大的变化
IC IB, 饱和压降UCE =0.3V
2)截止区: IB=0曲线以下的区域 IB=0时,集电极仍有很小的电流, 称穿透电流ICEO。
20A 3) 放大区：在曲线的水平段
IB=0 12 UCE(V)
UCE变化, IC变化较小,
当IB不变, IC基本不变,
IC
IB
RB EB
+
_
BC
+
E
V UBE
IE
_
+
V UCE
_
EB
测量晶体管特精性品的ppt 实验数据
+ EC
_
10
IB(A)
80
60
UCE1V
40
20 UBE(V)
0.4 0.8
1.输入特性曲线：
指当集射极电压UCE为常数时, 输入端电压UBE与电流IB的关系。
IB=f (UBE )|UCE=常数
0.01 0.02 0.03 0.04 0.05
IC(mA) 0.05 0.44 1.10 1.77 2.45 3.20
IE(mA) 0.05 0.45 1.2
1.8
2.49 3.25
实验结论
晶体管有电流放大作用 IC = IB
1) 观察每列：IE=IB+IC，符合KCL，且 IE IC
2) IC ,IE比IB大得多，第3列： IC/ IB=3.2/0.05=64
基极开路时，集–射极最大允许电压
5. 集电极最大允许耗散功率
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交流放大电路
放大的概念:
放大的目的是将微弱的变化信号放大成较大的信号。 放大的实质: 用小能量的信号通过三极管的电流控制作用，将放 大电路中直流电源的能量转化成交流能量输出。 对放大电路的基本要求 ： 1. 要有足够的放大倍数(电压、电流、功率)。 2. 尽可能小的波形失真。 另外还有输入电阻、输出电阻、通频带等其它技术 指标。
6. 初步掌握多级放大电路的分析方法。
7. 了解放大电路中反馈的概念。
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1
常见三极管实物图
半导体三极管又称晶体三极管，简称三极管或晶体管
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2
三极管的基本结构
N 集电区 P P 基区 N N 发射区 P
集电结
N
P
P
N
N 发射结 P
三极管内部有三层半导体,根据排列方式不同,分为NPN型 和PNP型;中间一层称为基区,两边分别为发射区和集电区。
且IC= IB，具有恒流特性
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三极管的主要参数
1.电流放大系数 和
=IC/IB， =IC/ IB
2.穿透电流ICEO
IB=0时（基极开路时）流过集–射极间 的电流越小越好
3.集电极最大允许电流ICMቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
IC>ICM , 显著下降，三极管损坏
4.集–射极反向击穿电压UCEO
三极管的符号表示 C
P
B
N
P
PNP型
E
E
C IC B
C IC B
IB E IE
IB E
IE
箭头方向为发射结正精向品pp偏t 置时电流方向
5
国产三极管的命名规则
3DG100C
3: 三极管 D: NPN型硅材料 G: 高频小功率 100:序号 C: 规格号
3AD50A
3: 三极管 A: PNP型锗材料 D: 低频大功率 50:序号 A: 规格号
3) 基极电流得少量变化，引起集电极电流的较大变化， IC/ IB=(3.2-2.45)/(0.02-0.01)=75
将IC 与IB的比值称静态电流放大系数：= IC/ IB
将IC 与IB的比值称动态电流放大系数：= IC/ IB
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9
三极管的特性曲线
晶体管的特性曲线用来表示该晶体管各极电压和电流之 间的相互关系，它反映晶体管的特性，是分析放大电路 的重要依据。特性曲线可用晶体管特性图示仪直观显示。
三层半导体形成两个PN结。发射极与基极之间的PN结称 发射结，集电极与基极之间的PN结称集电结。
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3
从三个区引出的电极分别称为发射极(E),基极(B),集电极(C)
C 集电极
C 集电极
N
B
P
基极
N
E 发射极
集电结
P
发射结
B 基极
N P
E 发射极
集电结 发射结
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4
C
NPN型
N
B
P
N