一、选择题
1.与绝缘体相比，半导体的价带电子激发到导带所需要的能量
（B）。

A.比绝缘体的大
B.比绝缘体的小
C.和绝缘体的相同
2.受主杂质电离后向半导体提供（B），施主杂质电离后向半
导体提供（C），本征激发向半导体提供（A）。

A.电子和空穴
B.空穴
C.电子
3.对于一定的N型半导体材料，在温度一定时，减小掺杂浓度，费
米能级会（B）。

A.上移
B.下移
C.不变
4.在热平衡状态时，P型半导体中的电子浓度和空穴浓度的乘积为
常数，它和（B）有关
A.杂质浓度和温度
B.温度和禁带宽度
C.杂质浓度和禁带宽度
D.杂质类型和温度
5.MIS结构发生多子积累时，表面的导电类型与体材料的类型
（B）。

A.相同
B.不同
C.无关
6.空穴是(B)。

A.带正电的质量为正的粒子
B.带正电的质量为正的准粒子
C.带正电的质量为负的准粒子
D.带负电的质量为负的准粒子
7.砷化稼的能带结构是（A）能隙结构。

A.直接
B.间接
8.将Si掺杂入GaAs中，若Si取代Ga则起（A）杂质作
用，若Si取代As则起（B）杂质作用。

A.施主
B.受主
C.陷阱
D.复合中心
9.在热力学温度零度时，能量比E小的量子态被电子占据的概率为
F
（D），当温度大于热力学温度零度时，能量比E小的量
F 子态被电子占据的概率为（A）。

A.大于1/2
B.小于1/2
C.等于1/2
D.等于1
E.等于0
10.如图所示的P型半导体MIS结构
的C-V特性图中，AB段代表
（A），CD段代表（B）。

A.多子积累
B.多子耗尽
C.少子反型
D.平带状态
11.P型半导体发生强反型的条件（B）。

A.
kTN
0A B.
Vln
Sn
q
i
2k0TN
A
Vln
Sn
q
i
C.
kTN
0D.
D
Vln
Sn
q
i
2k0TN
D
Vln
Sn
q
i
12.金属和半导体接触分为：（B）。

A.整流的肖特基接触和整流的欧姆接触
B.整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触
C.非整流的肖特基接触和整流的欧姆接触
D.非整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触
13.一块半导体材料，光照在材料中会产生非平衡载流子，若光照
忽然停止t后，其中非平衡载流子将衰减为原来的
（A）。

A.1/e
B.1/2
C.0
D.2/e
14.载流子的漂移运动是由（A）引起的，反映扩散运动强
弱的物理量是（B）。

A.电场
B.浓度差
C.热运动
D.
E.D P
F.
15.对掺杂的硅等原子半导体，主要散射机构是：（B）。

A.声学波散射和光学波散射
B.声学波散射和电离杂质散射
C.光学波散射和电离杂质散射
D.光学波散射
二、证明题
对于某n型半导体，试证明其费米能级在其本征半导体的费米能级之上。

即E Fn>Ei。

三、计算画图题
1.三块半导体Si室温下电子浓度分布为，
16310343
n011.010cm,n021.010cm,n031.010cm,
（N C=3*1019cm-3，N V=1*1019cm-3，n i=1010cm-3，ln3000＝8,
ln1000＝6.9）则
（1）、计算三块半导体的空穴浓度
（2）、画出三块半导体的能带图
（3）、计算出三块半导体的费米能级相对与E或E的位置
CV （要求n型半导体求E C－E F，p型半导体求E F－E v）（15分）
2.室温下，本征锗的电阻率为47cm，试求本征载流子浓度。

若锗原子的浓度为
223
4.410cm，掺入施主杂质，使每
6
10个锗原子
中有一个杂质原子，计算室温下电子浓度和空穴浓度(设杂质全部
电离)。

试求该掺杂锗材料的电阻率。

设cm2Vs，
n3600/ 2且认为不随掺杂而变化。

p1700cm/Vs
若流过样品的电流密度为
2
52.3mA/cm，求所加的电场强度。

3.画出金属和N型半导体接触能带图（W W，且忽略间隙），并
ms
分别写出金属一边的势垒高度和半导体一边的势垒高度表达式。

4.如图所示，为P型半导体MIS结构形成的能带图，画出对应的电
荷分布图。

（6分）
5.光均匀照射在电阻率为6cm的n型Si样品上，电子－空穴对
的产生率为4×10 21cm-3s-1，样品寿命为8μs。

试计算光照前后
2，cm2Vs）样品的电导率。

（n3600cm/V sp1700/。