Energy Dispersive X-ray Spectrometric Microanalysis (EDX) with SEM 扫描电镜中的能谱分析
谭立和博士
Ph.D. Cambridge EDAX Inc.
内容梗概
扫描电子显微分析基本概念 能谱分析技术理论基础 分析软件结构与操作
– – –
电子束-样品交互作用区
一次电子束 ~ 10 nm: 二次电子 ~ 1~2 µm: 背散射电子
~ 2~5 µm: X-射线/阴极荧光 交互作用区
能谱仪硬件几何参数
硬件示意图
SEM 镜筒 显示器 (MCA Display) 杜瓦瓶
前置放大器 计算机 EDAM 探头 窗口 PCI
FET
样品室 终透镜
100% 90% 80% 70% 60% 50% 40% 30% 20% SUTW 10% 0% Be B C Be N O F Na UTW ECON Light Shield
不同窗口对 K 系X-射线的穿透率
Window Type 8 micron Be SUTW 0.3 micron
B 0% 25%
一穿而过， 不出信号
电子进入样品后的情形
二次电子
一穿而过， 不出信号
电子进入样品后的情形
背散射电子 二次电子
一穿而过， 不出信号
电子进入样品后的情形
3. BSE 4. X ray 2. SE
1. Nothing
连续X-射线
入射电子束 击出电子
白光 (连续X-射线)
特征 X-射线
连续X-射线
B A
C
在成分均匀的同一 颗粒上 3 个位置的 3 个不同的谱。 取出角在 C 点最高 而在 A 点最低。
倾斜的效应 (FeCO3)
E D S 仪器和信号检测
X- 射线探头 X- 射线探头的检测效率 几何效应 信号处理及信号处理器 能量分辨率 准直器
To PREAMP POLE FET
E-TRAP
基础知识
扫描电镜简介及EDS系统
–
硬件和软件
X-射线信号的产生
–
信号源，空间分辨率，信号的方向，样品表面
EDS 仪器和信号的检测
–
探头和几何效率，信号处理，能量分辨和准直 系统
基础知识
电子束与电子显微镜
为何选用电子束作激发源
能量因素Energy Power :
Electron can be accelerated by electric field
R’0
R
水平样品表面
SE 与 BSE 成像
SE – 主要反映边界效应，对充电敏 感，非常小的原子序 Z 衬度。
BSE – 主要反映原子序 Z 衬度，无 边界效应，不显示充电现象。
背散射系数
B相
平均原子序数 晶体学取向(通道) 表面倾斜 内部磁场
A相
样品电流平衡
IPC IBSE ISE ISC
样品
e
-
h SA COLD FINGER ACTIVE Si(Li) TOA COLLIMATOR DEAD LAYER
SAMPLE
WINDOW ( & LIGHT TRAP) OVER GRID
X-探头的窗口和晶体部分 (Sapphire)
金属化层，（85 Â）及 Si 死层
X-射线 （光子） 电镜 样品室
定性定量分析 面分布和线扫描 高级应用软件
上机操作 仪器维护与常见问题处理
在本课程中将包含哪些软件?
能谱的定性定量分析 Imaging，Mapping & Line_Scan 成像，面分布图 和 线扫描 快速和定量成分图 Live & Quant Map 图像谱线全息数据恢复 Spectral Mapping 粒度/相分析 Particle-Phase 相群分析PCA ，和元素侦测软件Max_Chanel Spectra 谱峰匹配和处理 Spectra Match & Utility 其它
软件操作演示影片
– 影片演示了 GENESIS 软件主要功能的使用方法 – 影片采用 Camtasia 软件录制（见下方提示） – 影片播放为 .exe 自释放执行文件（在1024 ×768 显 示像素下） – 如受计算机操作系统限制，影片不能正常播放， 可先解压缩，以 .avi 文件播放。
参考书目（特别推荐）
SE 频数 Auger BSE
0
50 eV
2 kV 电子能量
EPE
真空环境下二次电子成像与探头
Everhart- Thornley 二次电子探头
真空度要求高
由于探头本身的暴露式的高压元件
பைடு நூலகம்
ETD 对光敏感,进而对加热也敏感 对样品的要求高
耐真空，保真空,无污染和导电
真空环境下二次电子成像与探头
样品室真空 < 8x10-5 Torr 电子收集器 光电倍增管 光管 闪烁器电压 +10 到 +12 仟伏
C 0% 85%
N 0% 42%
O 0% 60%
F 5% 70%
检测效率 - 窗口的传输能力
I / Io = e
此处： I = 最终强度 Io = 初始强度
-(mrt)
r = 密度 t = 厚度 m = 质量吸收系数
质量吸收系数
N Ka Energy 炭元素吸收边或 临界激发能量
吸收
(Kab)
C Ka Energy
准直器
样品台
信号处理示意图
谱解释
电子束 信号处理 信号检测 X-射线 信号 电子束和 样品相互 作用
To PREAMP POLE
FET
E-TRAP
e
-
h SA COLD FINGER
ACTIVE Si(Li)
SAMPLE TOA COLLIMATOR DEAD LAYER
WINDOW ( & LIGHT TRAP) OVER GRID
C
0.284
X-射线能量 (keV)
谱的吸收现象
由于样品的吸收，背底在高能端较低。
信号探测立体角
Ω = A/d
此处： Ω=立体角 以弧度表示 A= 检测器面积，mm 2 d = 样品到检测器的距离
在 70 mm 处的计数率 = 50 mm 处的1/4
2
EDS 仪器和信号检测
X- 射线探头 X- 射线探头的检测效率 几何效应 (前面已经完成） 信号处理及信号处理器 能量分辨率 准直器
参考书目 (Lehigh Lab Manual)
Scanning Electron Microscopy, X-Ray Microanalysis, and Analytical Electron Microscopy 一本实验手册
Charles E.Lyman, Dale E. Newbury, Joeseph I. Goldstein, David B. Williams, Alton D. Romig, Jr., John T. Armstrong, Patrick Echlin, Charles E. Fiori, David C. Joy, Eric Lifshin, & Klaus-Ruediger Peters, Plenum Press, New York, 1990. (ISBN --0-306-43591-8)
收集器偏压 - 250V 至 + 400V
需要高真空
SEM样品室
信号的方向性
SE 信号 – 非直线传播 通过探头前加有正电压的金属网来吸引 BSE 信号 – 直线发散传播 探头需覆盖面积大 X-射线信号 –直线发散传播
样品面倾斜效应- 边缘效应
一次电子束
面 表
一次电子束
R q R0
倾
品 样 斜
Intensity (I)
实际产生
实际可测
Energy (E)
Eo
原子的波尔模型（简单） — X-射线的产生
Lα Lβ
实际的谱是更 为复杂的，因 为原子有多层 轨道, 例如 L, M和N层。在 EDS 中 L-线 系 谱可能高达 6 或 7 条谱。
Kα Mα Kβ
原子核
铁的特征X-射线能级
真实的 K, L 和 M 谱峰
SUTW, 4-层膜poly/Al/poly/Al. 总厚度为0.34 um. 硅支撑光栅具有垂 直取向 “venetian blind” 排列 ，80% 穿透率.
E D S 仪器和信号检测
X- 射线探头 X- 射线探头的检测效率 几何效应 信号处理及信号处理器 能量分辨率 准直器
检测效率 -Transmissivity 窗口的传输能力
按原子序数顺序的K 线峰的位置
0 ~ 10 kV之间可见谱线
K 线系 - Be ( Z = 4 ) 到 Ga ( Z = 31 ) L 线系 - S ( Z = 16 ) 到 Au ( Z = 79 ) M 线系 - Zr ( Z = 40 ) 到最高可能出现的原子 序号。
每一个元素（Z > 3）在0.1 到 10 keV 都具有至少 一个可见谱线。对一些重叠状态，可能需要在10 到 20 keV 的范围进行测定。
ISE + IBSE + ISC = IPC
荷电效应
+
1
η+δ
_
E1 <1kV 电子束能量 E2 >1.5kV
_
ISE + IBSE + ISC = IPC
ISE / IPC =
η
IBSE / IPC
=δ
消除荷电效应
镀层 快速扫描 较低的加速电压 较小的束斑 低真空环境
涂层特性