B
下面的电路符号代表（）管。 A、耗尽型 PMOS B、耗尽型 NMOS C、增强型 PMOS D、增强型 NMOS
D 下图为（）管的转移曲线图。 A、耗尽型 PMOS B、耗尽型 NMOS C、增强型 PMOS D、增强型 NMOS
B 当场效应管的漏极直流电流 I D 从 2mA 变为 4mA 时，它的低频跨 导 g m 将（）。
a)可以放大。直流状态和交流状态均正常。 b)无放大作用。因 N 沟通 MOS 管的漏极电流应为 DD V +,将 DD V -改为 DD V + c ） 无放大作用。因 0=BEQ U ,直流工作状态不正常，应将 B R 接在
b 极与 cc V +端 d ）无放大作用。因对交流而言输入短路，i U 加不到 e 结上。应在 b 极和 cc V +间加电阻 B R . 已知共源极电路如图所示。其中，管子的 m g ＝0.7ms, Ω=K R 2001， Ω=Ω=Ω=Ω=Ω=K R K R K R M R K R L S D G 5,2,5,1,512。 （1）求 i r 和 0r ； （2）求 u A ＝i U U 0 。
A、PEMOS B、增强型 MOS 管 C、JFET D、NEMOS C 场效应管用于放大时，应工作在（）区。 A、可变电阻 B、夹断 C、击穿 D、恒流（饱和） D 已知场效应管的转移特性曲线如图所示，则此场效应管的类型是 （）。 A. 增强型 PMOS B. 增强型 NMOS C. 耗尽型 PMOS D. 耗尽型 NMOS
耗尽型,N 沟道 下图中的 FET 管处于＿＿＿＿工作状态。
截止
下图中的 FET 管工作于＿＿＿＿状态。
可变电阻区 下图中的 FET 管工作于＿＿＿＿状态。
饱和 三、单项选择题 U GS＝0V 时，不能够工作在恒流区的场效应管有。 A、结型管 B、增强型 MOS 管 C、耗尽型 MOS 管 D、NEMOS B U GS＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有。 A、PEMOS B、增强型 MOS 管 C、耗尽型 MOS 管 D、NEMOS C U GS＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有。
解：（a）源极加电阻 R S。 （b）漏极加电阻 R D。 （c）输入端加耦合电容。
（d）在 R g 支路加－V GG，＋V D D 改为－V DD 改正电路如下图所示。
未画完的场效应管放大电路如图 T1 所示，试将合适的场效应管 接入电路，使之能够正常放大。要求给出两种方案。
解： 分析下图中电路是否有放大作用？并且提出改进方案。
（2 分）
（4 分） （2 分） 电路如图所示，设场效应管的参数为 g m1=0.8mS，λ1 = λ2 = 0.01V-1。场效应管的静态工作电流 I D = 0.2mA。试求该共源 放大电路的电压增益。
如图为场效应管放大电路的等效图，
（3 分）
（2 分） （1 分） 电路如图所示ห้องสมุดไป่ตู้已知场效应管的低频跨导为 g m ，试写出 u A 、R i 和 R o 的表达式。
耗尽型，增强型 场效应管具有输入电阻很＿＿＿＿、抗干扰能力＿＿＿＿等特 点。 大，强 输出电压与输入电压反相的单管半导体三极管放大电路是＿＿ ＿＿。 共射（共源） 共源极放大电路的性能与半导体三极管的＿＿＿＿电路相似。 共射 共漏极放大电路的性能与半导体三极管的＿＿＿＿电路相似。 共集 图所示场效应管的转移特性曲线，由图可知，该管的类型是＿＿ ＿＿沟道＿＿＿＿MOS 管。
× 结型场效应管外加的栅源电压应使栅源之间的 PN 结反偏，以保 证场效应管的输入电阻很大。( ) √ 与三极管放大电路相比，场效应管放大电路具有输入电阻很高、 噪声低、温度稳 定性好等优点。（） √ 场效应管放大电路的偏置电路可以采用自给偏压电路。（） × 二、填空题 场效应管放大电路中，共＿＿极电路具有电压放大能力，输出电 压与输入电压反 相；共＿＿极电路输出电阻较小，输出电压与输入电压同相。 源，栅 场效应管是利用＿＿电压来控制＿＿电流大小的半导体器件。 V GS（栅源电压），I D（漏极） 场效应管是＿＿＿＿控制半导体器件，参与导电的载流子有＿＿ ＿＿种。 电压，1 当 u gs=0 时，漏源间存在导电沟道的称为＿＿＿＿型场效应管； 漏源间不存在导电沟道的称为＿＿＿＿型场效应管。
解：u A 、R i 和 R o 的表达式分别为 D o2 13i L D )(R R R R R R R R g A m u =+=-=∥∥ 场效应管放大电路如图所示。
Oio （1）画出电路的交流通路； （2）画出电路的交流等效电路； （3）若静态点处的跨导 m g =2mA/V ， 试计算 u A 、i r 、0r 。 （4）2.2M Ω电阻影响静态点吗？其作用是什么？ 解：（1）
第五章 FET 三极管及其放大管考试试题及答案
一、判断题 结型场效应管外加的栅源电压应使栅源之间的 PN 结反偏，以保 证场效应管的输入电阻很大。（）。 √ 场效应管放大电路和双极型三极管放大电路的小信号等效模型 相同。（）× 开启电压是耗尽型场效应管的参数；夹断电压是增强型场效应管 的参数。（）× I DSS 表示工作于饱和区的增强型场效应管在 u GS=0 时的漏极 电流。（） × 若耗尽型 N 沟道 MOS 管的 U GS 大于零，则其输入电阻会明显变 小。（）前往 × 互补输出级应采用共集或共漏接法。( ) √ 开启电压是耗尽型场效应管的参数；夹断电压是增强型场效应管 的参数。( ) × I DSS 表示工作于饱和区的增强型场效应管在 u GS=0 时的漏极 电流。( )
D m gs gs D m i o R g v v R g v v -=-=•••• （3 分） =-0.58mS*12k (1 分 ) v 0=-0.58mS*12k*)mV (sin 20t ω =-139.2mV (2 分) 电路如图所示，设 R =0.75k Ω，R g1 = R g2 = 240k Ω，R s =4k Ω，场效应管的 g m =11.3mS ，r ds =50k Ω，试求源极 跟随器的源电压增益 A vs 、输人电阻 R i 和输出电阻 R o 。
i （2）
i （3）()1010//102'-= -=-=L m u R g A ()Ω=22i r ()Ω=k r 100 （4）ΩM 2.2 电阻不影响静态工作点。因栅极电流为 0，其作用 是为提高输入电阻。 电路如图所示，已知场效应管的低频跨导为 g m ，试写出 u A 、 R i 和 R o 的表达式。
解：
（1）由等效电路图可得 21R // R R r G i +=
=1000+5120051200+ Ω≈K 1000=1M Ω 根据等效电路，利用求 输出电阻的方法可得 Ω==K R r D 50 （2）因 / L R =L //R D R =5//5=2.5K Ω 所以 /L m u R g A -==5.27.0 -=75.110、场效应管电路如图所示，已知)m V (sin 20i t u ω=，场 效应管的 m S 58.0m =g 试求该电路的交流输出电压 u o 的大小。 解：
A、增大 B、不变 C、减小 D、增大或者减小 A U GS＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管是（）。 A、结型管 B、增强型 MOS 管 C、耗尽型 MOS 管 D、耗尽型 FET 都可能 D 四、计算分析题 改正下图所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波电压。 要求保留电路的共漏接法。
解：u
A 、R i 和 R o 的表达式分别为 D o 213i L D )(R R R R R R R R g A m u =+=-=∥∥ 五、设计题