第三章习题和答案1. 计算能量在E=E c 到2*n 2C L 2m 100E E 之间单位体积中的量子态数。
解：2. 试证明实际硅、锗中导带底附近状态密度公式为式（3-6）。
322233*28100E 21233*22100E 0021233*231000L 8100)(3222)(22)(1Z VZZ )(Z )(22)(2322C22CL E m h E E E m V dE E E m V dE E g Vd dEE g d E E m V E g cn c Cn lm h E C nlm E C nn c n c）（）（单位体积内的量子态数）（2222222111'''2222'''''12''3'~()2(),(),()()()2,()x y z C t la a a xx y y z zt t lc c x y z at t l a Si Ge E k k k k h E k E m m m m m k k k k k k m m m h E k E k k k m k m m m k g k V m k• 证明：、半导体的（k ）关系为（）令则：在系中等能面仍为球形等能面在系中的态密度3. 当E-E F 为1.5k 0T ，4k 0T, 10k 0T 时，分别用费米分布函数和玻耳兹曼分布函数计算电子占据各该能级的概率。
''''2'31231'2231'2221223~().().42()()4()1001112()()4()()t t l c n c ntl E E dE k dZ g k k g k k dk m m m dZ g E E E V dE h i m g E sg E E E V hm sm m在空间的状态数等于空间所包含的状态数。
即对于S 导带底在个方向，有六个对称的旋转椭球，锗在（）方向有四个对称的旋转椭球，其中34. 画出-78o C 、室温（27 o C ）、500 o C 三个温度下的费米分布函数曲线，并进行比较。
5. 利用表3-2中的m *n ，m *p 数值，计算硅、锗、砷化镓在室温下的N C , N V以及本征载流子的浓度。
003022302233122152422000000022()22()() 4.8210():0.56;0.29;0.67: 1.062;0.59; 1.12:0.068;0.47;g g n C p v E E n p k T k Ti c v e n p g n p g n p g m k T N h m k T N h m m n N N e T e m G m m m m E eV Si m m m m E eV GaAs m m m m E1.428eV1931831331931939317318363:1.05103.9101.710:2.8101.1107.810:4.5108.1102.310C v i C v i C v i Ge N cm N cm n cm Si N cm N cm n cm GaAs N cm N cm n cm6. 计算硅在-78 o C ，27 o C ，300 o C 时的本征费米能级，假定它在禁带中间合理吗？所以假设本征费米能级在禁带中间合理，特别是温度不太高的情况下。
00000101002020203: 1.062,0.593ln 2430.591950.016,ln 0.007241.06230.593000.026,ln 0.0124 1.06230.55730.0497,ln 4n p p C VF i nSi Si m m m m m E E k T E E m k T m T K k T eV eVm k T T K k T eV eV k T T K k T eV的本征费米能级，当时，当时，当时，90.0221.062eV7. ①在室温下，锗的有效态密度N c =1.05 1019cm -3，N V =3.9 1018cm -3，试求锗的载流子有效质量m *n m *p 。
计算77K 时的N C 和N V 。
已知300K 时，E g =0.67eV 。
77k 时E g =0.76eV 。
求这两个温度时锗的本征载流子浓度。
②77K 时，锗的电子浓度为1017cm -3 ，假定受主浓度为零，而E c -E D =0.01eV ，求锗中施主浓度N D 为多少？''19183'1817327777300 1.0510 1.3710/3.910 5.0810/C V C C C C VV K N N N K N K N N cm N N cm （） 时的、（）（）3022302222331001223310012()22()220.56 5.110220.29 2.6102n c p v c nvp m k T N m k T N N m m kg k T N m m kgk Thhh h （）根据得8. 利用题 7所给的N c 和N V 数值及E g =0.67eV ，求温度为300K 和500K 时，含施主浓度N D =5 1015cm -3，受主浓度N A =2 109cm -3的锗中电子及空穴浓度为多少？0000001220.6712300191813320.76127718177320(3)()(1.0510 3.910) 1.710/77(1.3710 5.0810) 1.9810/12exp1212g D F D c C FoD CE k Ti c v k i k iDDDDE E E E E E n E k Tk Tk T N n N N e n ecm K n e cm N N N n n eeN•室温：时，17171730180.0110(12)10(12) 1.1710/0.067 1.3710o D D C n E n e e cm koT N • •3150315031003150212202122020202000031521''313221/1084.4/1084.9500/108/105300)2(2)2(20)(0/109.6)(500/100.2)(300.8'020cmp cmn K t cm p cm n K T n N N N N p n N N N N n n N N n n n p n N N p n cm eN N n K cm e N N n K i D A D A i A D A D i A D i A D V C i T k E V c i T k g e g 时：时：根据电中性条件：时：时：9.计算施主杂质浓度分别为1016cm 3，,1018 cm -3，1019cm -3的硅在室温下的费米能级，并假定杂质是全部电离，再用算出的的费米能 级核对一下，上述假定是否在每一种情况下都成立。
计算时，取施主能级在导带底下的面的0.05eV 。
%902111%102111%10%,9005.0)2(27.0.0108.210ln 026.0;/10087.0108.210ln 026.0;/1021.0108.210ln026.0;/10,ln /105.1/108.2,300,ln .90019193191918318191631603103190T k E E eN n Tk E E e N n eV E E eV E E E cm N eV E E E cm N eV E E E cm N N N T k E E cmn cmN K T N N T k E E E F D DD FDD D D C c c F D c c F D c c F D iD i F i C C D c F F 或是否占据施主为施主杂质全部电离标准或时离区的解假设杂质全部由强电 不成立不成立成立%10%802111:10%302111:10%42.021112111:10026.0023.019026.0037.018026.016.0026.021.016e N n N e N n N e e N n N DDDD DD E E DDD C D10. 以施主杂质电离90%作为强电离的标准，求掺砷的n 型锗在300K 时，以杂质电离为主的饱和区掺杂质的浓度范围。
11. 若锗中施主杂质电离能 E D =0.01eV ，施主杂质浓度分别为N D =1014cm -3j 及1017cm -3。
计算①99%电离；②90%电离；③50%电离时温度各为多少？12. 若硅中施主杂质电离能 E D =0.04eV ，施主杂质浓度分别为1015cm -3， 1018cm -3。
计算①99%电离；②90%电离；③50%电离时温度各为多少？之上，大部分没有电离在，之下，但没有全电离在成立，全电离全电离，与也可比较）（０D F F D D D F F D D F D DF D F D E E E E cm N E E E E cm N E E cm N T k E E E E 026.0023.0;/1026.0~037.0;/10026.016.021.005.0;/102319318316'' 31714313317026.00127.019026.00127.00319/1022.3~104.2~5/104.2/1022.321005.11.021.0026.00127.0exp 2%10)exp(2300/1005.1,0127.0.10cm N n A cm n G N A cm e e N N N N T k E N N D A K cm N eV E A D isi e D s C D C D D C D sC D s ，即有效掺杂浓度为的掺杂浓度范围的本征浓度电离的部分，在室温下不能掺杂浓度超过限杂质全部电离的掺杂上以下，室温的电离能解上限上限上限没有全部电离全部电离小于质数的百分比）未电离施主占总电离杂全部电离的上限求出硅中施主在室温下）（317181631716317026.005.0'105.210,10105.210/105.221.0,026.005.02%10()2(2cm N cm N cm e N N e N N koTE e N N D D D C D C D D C D13. 有一块掺磷的 n 型硅，N D =1015cm -3,分别计算温度为①77K ；②300K ；③500K ；④800K 时导带中电子浓度（本征载流子浓度数值查图3-7）14. 计算含有施主杂质浓度为N D =9 1015cm -3，及受主杂质浓度为1.1 1016cm 3，的硅在300K 时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。