膜片钳技术
测试题:
1. 膜片钳的主要记录方式有哪几种,各
有何优缺点? 2. 什么叫整流,产生整流的原因是什么?
膜的被动反应
离子通道开放 膜的主动反应
外向整流
随膜电位的去极化,I-V曲线明显向Y轴(电流轴)靠 近。如IK电流。
内向整流
随膜电位的去极化,I-V曲线明显向X轴(电压轴)靠 近。如烟碱电流。
去极化方向
去极化方向
IK电流的外向整流
烟碱电流的内向整流
尾电流(Tail current)
指通道在激活因素结束时的关闭过程中,所记录
6. 基本概念及参数设置
输入漏电流(Input leakage current)
理论上讲,不施加外部命令时,通过放大 器探头的电流应该为0,如果由于放大器本 身的原因产生了电流,这就是漏电流。由于 放大器控制电流漂移的质量很高,一般漏电 流都很小。
封接电流(Seal current)
由于封接质量不高(没有形成良好的高 阻封接),从封接处产生的电流。成为噪 声。
第三部分
全细胞记录结果举例
+80mV
+40mV
0mV
-40mV
-80mV 200ms
Iso Hypo
Current Density (pA/pF)
-40
60
30
0 -80 0 -30 40 80
Voltage (mV)
-60
Iso 4 Iso 2 Hypo Hypo
Current (nA)
0
倒 置 相 差 显 微 镜
EPC-7膜片钳放大器(德国)
4. 膜片钳的记录方式及基本操作
细胞吸附式(Cell-attached
mode 或 on cell mode)
内膜向外式(Inside-out mode)
外膜向外式(Outside-out mode)
全细胞记录方式(Whole-cell
C-FAST和τ-FAST按钮 “Fast”钮补偿快电容,主要是电极电 容。大部分的电容瞬变值可用“Fast”控 制钮进行补偿。
五.缓慢电容补偿(slow capacitative compensation) “C-Slow”钮补偿慢电容,即电极尖端与 大地之间的电容,主要是膜片电容。
在全细胞记录模式,缓慢电容补偿的值 即为该细胞的电容值。
内向电流(Inward current) 从细胞外进入细胞内的正离子(如Na+)电
流或从细胞内流向细胞外的负离子(如Cl-) 电流。
外向电流(Outward current)
从细胞内流向细胞外的正离子(如K+ )电
流或从细胞外流向细胞内的负离子(如Cl-)
电流。
Electrode与pipette的区别
Electrode
指金属电极,即Ag/AgCl电极。
Pipette
指拉制出的玻璃电极,它不是真正意 义上的电极,而是真正电极的依托。
命令电压(Command
voltage, Vcmp)
通过放大器或计算机发出的指令电压, 用于钳制细胞膜电位。
钳制电位(Holding
potential, Vh)
人为地将细胞膜内外的电压差固定在某 一数值,这一数值即为钳制电压或称钳制 电位。实施这一行为的技术为电压钳技术 (Voltage clamp)。
由于有细胞膜内折(Infolding)的存在,
实际的Cm要比计算的大1.5-3倍。
一般情况下,生物膜的电容大体都是
1μF/cm2。
• 电极电容(Pipette capacitance, C )
p
电极电容包括跨壁电容( Ct )、电极非浸 液部分与邻近地表形成的漂浮电容(Cs)。
跨壁电容(Transmural capacitance, Ct) 电极浸液部分的内外液之间形成的电容, 跨壁电容的介质为玻璃电极壁。 在膜片钳实验中其值可能很大,一般电极 浸液深1mm会产生1pF或更大一些的电容。
到的电流称为尾电流(Tail current)。
-40mV Vh=-100mV -70mV
2nA 5ms
电流的Rundown现象 指随着记录时间的延续,通道电流逐渐
降低的现象。许多种类细胞的钙电流都具有 Rundown现象。
Rundown现象形成的原因
全细胞记录模式形成以后,由于电极内 液与细胞内液之间的相互透析,造成细胞内 大分子物质稀释或丢失;同时,细胞内ATP 也因稀释而严重不足,而钙离子在外排时耗 能较大,从而导致Rundown现象的发生。
-2
-4
0
500
1000
1500
Time (s)
附录1. 推荐书目
王绍, 徐涛. 电生理学方法. 韩济生主编. 神经 科学原理. 第二版. pp55-65. 北京:北京医科 大学中国协和医科大学联合出版社,1999. 张均田主编. 现代药理学实验方法. 北京:北 京医科大学中国协和医科大学联合出版社, 1997. 陈军. 膜片钳实验技术. 北京: 科学出版社, 2001. 刘振伟. 脑片膜片钳技术及其研究概况. 张均 田主编. 神经药理学研究进展. pp137-150. 北 京:人民卫生出版社,2002.
Patch clamp 镜下观
Patch clamp 镜下观
2. 膜片钳的工作原理
3. 膜片钳记录的常用设备
1) 电极拉制器
2) 倒置相差显微镜
3) EPC-10膜片钳放大器 4) 三维微操纵仪 5) CED 1401数-模/模-数转换器 6) CED EPC 软件包
电极拉制器: 二步法拉制
减小跨壁电容的方法: 1. 加厚电极管壁:采用厚壁玻璃毛坯 拉制电极,或在电极浸液部分外部涂以硅 胶树脂等疏水性物质。
2. 减小电极浸液深度:浸液部分越大, Ct越大。 3. 补偿电路:采用膜片钳放大器内置 的电容补偿电路进行补偿。
慢电容(Slow capacitance, Cslow)与 快电容(Fast capacitance, Cfast)
一、串联电阻(Series resistance, Rs)补偿 Rs是指流过电极尖端的电流所遇到的所有
电阻。
当将电极放入浴液中或在形成高阻封接时,
Rs主要是电极电阻;
全细胞记录模式形成后, Rs包括电极电阻 、
破裂膜的残余膜片电阻、细胞内部电阻。
Rs引起的误差有如下二方面: 1. 串联电阻产生电压降,严重影响膜钳制 电压的数值;
2. 膜电位对步阶命令电压的反应时间延迟。 补偿方法:调节“%-COMP”按钮
二. 液界(接)电位及其补偿 主要成分: 1. 液体--金属:AgCl电极与电极内液;
2. 电极内液--细胞外液;
3. 电极内液--细胞内液(破膜后,等待一
定时间即可消除)。
范围:可达几百mV 补偿方法:电极入水按“Search”,“Offset”
电流钳模式: 固定电流, 记录电压
全细胞记录的操作步骤
1. 制作细胞涂片 2. 拉制玻璃电极 3. 灌注电极液,安装电极 4. 在显微镜下找到微电极,移动三维操 纵仪,使电极尖端接触细胞 5. 用负压轻轻抽吸,钳紧细胞,形成全 细胞记录模式 6. 给予一定的钳制电压并观察电流
全 细 胞 记 录 的 形 成 过 程
recording)
微电极的拉制
材料:硼硅酸盐毛细玻璃管
拉制方法:二步法 要求:尽可能使头颈部短些( Rs) 拉制好的微电极涂硅酮树酯、热刨光
电极液的充灌: 无气泡 充灌玻璃电极长度的1/3
微电极的安装
记录(测量)电极和参考电极:
材料是Ag,表面镀成AgCl
减少接触电位
5. 全细胞记录
电压钳模式: 固定电压, 记录电流
第二部分
电压门控性离子通道 基本知识
•电流密度( Current density)
单位细胞膜面积的电流大小。在进行 全细胞记录时,由于细胞直径大小的不同, 离子通道数目也不相同,因此为便于不同 细胞间的比较,采用电流密度这一概念。
由于膜电容的大小与细胞大小成正比,故 电流密度 = Im/Cm (pA/pF)
整流(Rectification) 整流是指电流易向一个方向流动,而不易 向反方向流动。内向性整流是指正离子易从 膜外向膜内流动,而不易从膜内流向膜外。
原因:离子通道的开放导致膜电阻发生了
变化。 表现:电流和电压的关系不满足欧姆定律 的直线关系。
无整流
有整流
V=IRc
V=IRv
离子通道不开放
三. 膜片钳系统中的电容 膜电容(Membrane capacitance, Cm) 细胞膜的脂质双分子层是电的不良导体, 因而由细胞外液-脂质双分子层-细胞内液就 构成了细胞膜电容。 Cm的大小与细胞膜表面积(包括内陷折 叠部分)成正比,与脂质双分子层的厚度成 反比。
对于一个球形细胞,膜电容的计算公式为: Cm=πd2 / 100 (pF) d为细胞直径(μm)
1. 膜片钳的发展历史
1976年德国马普生物物理化学研究所 Neher和Sakmann首次在青蛙肌细胞上记 录到Ach激活的单通道离子电流,从而产 生了膜片钳技术。 1980年Sigworth等获得10-100GΩ的高阻 封接(Giga-seal)。 1981年Hamill和Neher等对该技术进行了 改进,引进了全细胞记录技术。
膜片钳技术讲座
2006年12月
第一部分第三部分
全细胞记录结果举例分析
第一部分
膜片钳技术的基本概念
学习内容
1. 膜片钳的发展历史
2. 膜片钳的工作原理
3. 膜片钳记录常用的设备
4. 膜片钳记录的方式及基本操作
5. 全细胞记录的步骤 6. 基本概念和参数的设置