管脚介绍：
A0-AX 地址总线 I/O0-I/O7 数据总线 VCC、GND电源与地 \CE 片选信号，低电平有效。该管 脚为0时，才能对该芯片进行编程 或读出数据的操作； \OE 允许数据输出选通信号线，只 有该管脚有效（为低）时，内容才 能被读出，接单片机的\PSEN端。 RDY/BUSY数据写入式的状态查询， 若为高则可写入。
特别的，对于外扩256BRAM可使用另外一种MOVX A,@Ri和 MOVX @Ri, A 指令操作。
§5-5 地址译码方法与混合扩展
一、选址译码方法
在外扩的多片存储器中要完寻址一个具体单元的功能，必须进行 两种选择：一是必须选择出要操作的存储器芯片，即片选；二是必须 选择出该芯片的存储字节单元，即字选。
ALE端 地址锁存的选通信号，以实现对P0口输出低8位地址的锁存； PSEN端 连接外部EPROM的\OE端，作为其选通信号； EA端：作为低4KB程序的片内外选择端，为高时，应用片内程序存储器； RD端：作为外扩RAM或I/O端口的读选通信号； WR端：作为外扩RAM或I/O端口的写选通信号。
§5-2 MCS-51单片机扩展三总线构成
§5-2 MCS-51单片机扩展三总线构成
一、三总线的概念
地址总线AB 数据总线DB 控制总线是单片机发出的一组用于片外ROM、RAM和I/O端口读写操作控制的 信号线。
二、扩展三总线的构成
P0作为数据与低8位地址总线的复用线； P2作为地址的高8位，如果有其中一条用作了地址线，其余的也不能再作为I/O使用； 控制：
§5-1 常用存储器芯片
一、RAM及常用静态RAM芯片
RAM为随机存储器，分为TTL双极型和MOS单极型，SRAM为静态RAM，只要正常持 续供电，即保持数据；DRAM为动态RAM，必须进行周期性刷新才能保持数据，单片 机应用SRAM。 目前常用的SRAM有6116，6264,62256等。
管脚介绍：
MCS-51扩展三总线及其实现
§5-3 MCS-51单片机程序存储器扩展
一、应用27128扩展16KB
外扩16KB EPROM的连线方式
§5-3 MCS-51单片机程序存储器扩展
二、应用27128扩展16KB的地址计算
A0-A13—P0,P2.0-P2.5 A14-P2.6—\CE A15-P2.7 因27128无A15，因此，此管脚要注意。
对存储器选址常用的有两种方法：线选法和片选法。
§5-5 地址译码方法与混合扩展
一、选址译码方法
1、线选法扩展16KB数据存储器和16KB程序存储器。
片选信号是由地址线进行 控制的，因而叫线选法。 优点：连接简单，不需专 用逻辑芯片。§5-5 地址译码方法混合扩展一、选址译码方法
1、线选法扩展16KB数据存储器和16KB程序存储器 计算每个芯片的字节单元地址空间，应该是在本芯片被选中而其
当执行写数据指令时，CPU把DPTR的地址分为DPH和DPL高低 两个字节，并分别从P2、P0口送出，ALE使P0口输出的内容锁存在 74LS373中，这样，P2口与锁存器共同输出的16位地址寻址DPTR所 指定的字节单元，接着CPU使\WR端输出低电平，使62256写允许信 号\WR有效，再把A中的内容从P0口送出，经62256的数据线O0-O7 写入被寻址单元中。
A0-AX 地址总线 D0-D7 数据总线 VCC、GND电源与地 \CE 片选信号，低电平有效。该管 脚为0时，才能对该芯片写入或读 出； \OE 读选通，接单片机的\RD管脚； \WE 写允许，接单片机的\WR管脚。
§5-1 常用存储器芯片
二、ROM常用芯片
ROM为只读存储器，特殊方式写入。按原理可分为：①掩膜ROM，厂家生产芯 片时将内容写入；② PROM芯片出厂后可一次写入；③可擦除的ROM，可重复 编程使用。目前主要为EPROM，EEPROM和FLASH。 目前常用的EPROM有2764，27128, 27256等。
PC值 0000H 0001H 3FFEH 3FFFH
A15 A14 A13 A12 …… A3 A2 A1 A0 0 0 0 0 …… 0 0 0 0 0 0 0 0 …… 0 0 0 0 0 0 1 1 …… 1 1 1 0 0 0 1 1 …… 1 1 1 1
被寻址单元 第一单元 第二单元 次最后单元 最后单元
管脚介绍：
A0-AX 地址总线 O0-O7 数据总线 VCC、GND电源与地 \CE 片选信号，低电平有效。该管 脚为0时，才能对该芯片进行编程 或读出数据的操作； \OE 允许数据输出选通信号线，只 有该管脚有效（为低）时，内容才 能被读出，接单片机的\PSEN端。 VPP、PGM编程脉冲线。
§5-1 常用存储器芯片
它相同类芯片未被选中的情况下计算得到的。所谓相同类芯片是指： 程序存储器和数据存储器（包括与RAM统一编址的I/O端口）两类。
对上图的程序存储器芯片编址为： IC1 2764:0-1FFFH;4000-5FFFH,8000-9FFFH,C000-DFFFH IC2 2764:2000-3FFFH,6000-7FFFH,A000-BFFFH,E000-EFFFH 对数据存储器芯片编址为： IC3 6264:4000-5FFFH,C000-DFFFH(P2.7=X,P2.5=0,P2.6=1) IC4 6264:2000-3FFFH,A000-BFFFH(P2.7=X,P2.5=1,P2.6=0)
三、EPROM芯片图片
EPROM芯片与编程器图片
§5-1 常用存储器芯片
三、EEPROM常用芯片
EEPROM为电可擦除程序存储器，主要由在线编程写入。 目前常用的有两种，一种为串行的，一种为并行的。串行的常用作数据保存， 而作为程序存储器应选择并行的。目前主要有2817、2864等。 FLASH为闪速存储器，是新型非易失大容量存储器件，速度快，容量大。
§5-4 MCS-51单片机数据存储器扩展
一、应用62256扩展32KB
外扩32KB RAM的连线方式
§5-4 MCS-51单片机数据存储器扩展
二、应用62256扩展32KB
32KB的地址空间为：0000H-7FFFH单元
向外部RAM写入数据为：MOVX @DPTR,A
读出为： MOVX A,@DPTR