将经过处理的基板通过热压的方式贴上干膜（DES 流程也常用涂覆湿膜工艺）。
经光照作用将菲林上的图像转移到已贴膜的底板上。
利用Na2CO3的弱碱性将未经曝光的干膜/湿膜溶解冲 洗掉，已曝光的部分保留。
图形 电镀
蚀刻
将显影后露出的铜面和孔使用电镀方式进行 铜层加厚并加镀锡层作为线路铜层的保护层。
含退膜、蚀刻、退锡三个主要处理工艺。
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2.工序原理、主要参数及控制点（ SES）
显影 工艺流程：
图形电镀
退膜→水洗→蚀刻→除钯→退锡→水洗→烘干
退膜 蚀刻 退锡
反应原理（碱性蚀刻）： 络合：CuCl2+4NH3·H2O→Cu(NH3)4Cl2+4H2O 蚀刻：Cu(NH3)4Cl2+Cu→2Cu(NH3)2Cl
控制范围 上2.0-2.4kg/cm2 下1.4-1.8kg/cm2 46-50℃
根据底铜的大小来决定
Cu2+ 药水 比重
HCL 蚀刻均匀性
140-180g/l 1.3-1.4 1.8-2.5N COV≤5%
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2.工序原理、主要参数及控制点
氧化：4Cu(NH3)2Cl+4NH4Cl+4NH3·H2O+O2→4Cu(NH3)4Cl2+6H2O
2Cu+4NH4Cl+4NH3·H2O+O2→2Cu(NH3)4Cl2+6H2O
蚀刻形成线路后需进行退锡以露出所需的铜层线路，我司使用的退锡
水型号是GC-666，主要成分是强氧化性的HNO3和Fe(NO3)3；
能量均匀性 ≥80%
静置
曝光后要停留15min以上才能显影
代表图片
/ /
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2.工序原理、主要参数及控制点
前处理 贴膜 曝光 显影 蚀刻 退膜
C032- + Resist-COOH 主要参数、控制要点：
HCO3- + Resist-COO-
控制项目 浓度 温度
显影压力位孔对位，最后将菲林贴紧在板面上即可。
（2）半自动/自动对位：
利用CCD扫描菲林和板面上的对位标靶，使菲林和板面
的对位标靶重合，然后进行曝光。
（3） LDI对位（属于自动对位）：
外层：使用CCD抓取板边对位孔进行对位；
内层：UV-Mark方式或在芯板上预钻孔，使用外层对位方式进行曝光。
工艺知识入职培训
培训工序：光成像
讲 师： 周 宇 日 期：2015年7月2日
入职工艺知识培训讲义 目录
1.光成像简介 2.工序原理、主要参数及控制点 3.主要设备、物料 4.常见问题、缺陷表现 5.环境要求 6.交流讨论
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0.8-1.2% 28-32℃ 上1.8-2.3kg/cm2 下1.4-1.8kg/cm2
显影点
50%-60%
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显影点（Break Point）即板子在一定的温度、浓度、速度、喷压等显影条件 下，未曝光聚合之干膜被显影液溶解而显露出的铜面与残胶的分界位置。 显影点( % )=〔（显影机全长-L）÷显影机全长〕×100%； L为铜面与残胶分界位置到显影缸出口有效喷淋段的长度。
蚀刻
退膜
注意事项： 清洁频率：每做一块板使用粘尘辘清洁板面、菲林、Mylar；每生产5块板使用无 尘布蘸菲林水清洁一次菲林，若制作芯板则需使用放大镜检查菲林是否偏位。
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3.主要设备、物料
前处理 贴膜 曝光 显影
物料： 菲林、菲林水、无尘布、擦气板 、粘尘辘、红胶带、Mylar、导气条 测试工具：
前处理 贴膜 曝光 显影 蚀刻 退膜
工艺流程： 入板→退膜→水洗→酸洗→水洗→吹干→烘干
反应原理：R-COOR+OH-→R-COO-+R-OH R-COOH + OH- →R-COO-+H2O 扩散→膨胀→撕裂
主要参数、控制要点：
控制项目 压力 温度 速度
药水浓度
控制范围 上/下：1.4-2.0kg/cm2 45-55℃ 以干膜退干净为准，不同干膜稍有不同 1-4%
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3.主要设备、物料
前处理 贴膜 曝光 显影 蚀刻 退膜
内层火山灰磨板线 所使用物料：硫酸、火山灰、尼龙刷； 所使用工具：钢尺（用于测量磨痕宽度）
秒表（用于水膜测试计时） 量筒（用于测量火山灰浓度）
外层化学前处理线 所使用物料：不织布磨刷、BTH-2085A/B（微蚀液）、盐酸； 所使用工具：钢尺（用于测量磨痕宽度）
另外，碱性蚀刻后通常还会配置一段除钯缸，是使用硫脲将非金属化
孔内Pd 毒化，以避免后续沉金后发生非金属化孔上金问题。
反应原理是：Pd+4SC(NH2)2→Pd•4SC(NH2)2
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3.主要设备、物料
前处理 贴膜
内层火山灰磨板线
曝光
显影
蚀刻
退膜
外层化学前处理线
蚀刻 退膜
将溶解了干膜/湿膜而露出的铜面用酸性氯化铜溶解腐蚀 掉，形成所需的线路。
将保护铜面的已曝光干膜用NaOH溶液剥掉，露出所需 线路图形。
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2.工序原理、主要参数及控制点
前处理 贴膜
化学法
入板→除油→水洗→微蚀→水洗→酸洗→ 吹干→烘干
曝光 显影 蚀刻
注意事项： （1）切换生产型号、保养、故障维修完成恢复生产前必须做首板，避免参数 选择不合适或设备药水状态未达到最佳造成的批量报废；
（2）显影后检查有无干膜余胶、显影不净、撕膜不净；
（3）蚀刻前需做首板确认蚀刻速度，更换程序时，应注意显影、蚀刻和退膜
三段的速度匹配，蚀刻后检查是否有蚀刻不净、线宽超标等缺陷，以便及时修
2.工序原理、主要参数及控制点
前处理 主要参数，控制要点
贴膜 曝光 显影 蚀刻 退膜
控制项目 化学法 微蚀量
控制范围 0.8µm-1.5µm
水膜测试 ≥30S
代表图片 /
机械法 磨痕测试 10-15mm
喷痕测试 / 表面粗糙度：Ra—0.2-0.4µm；Rz—1.5-2.0µm
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蚀刻
退膜
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3.主要设备、物料
前处理 贴膜
内层蚀刻线（DES）
曝光
显影
蚀刻
退膜
外层蚀刻线（SES）
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3.主要设备、物料
前处理 贴膜 曝光 显影 蚀刻 退膜
DES线：Developing + Etch + Stripping 物料： 碳酸钠、消泡剂、蚀刻剂、盐酸、氢氧化钠、硫酸
主要参数，控制要点
控制项目 预热温度
干膜
贴膜温度
贴膜压力
油墨粘度
控制范围 40-50℃（出板） 100-120℃ 3-5.5kg/cm2 130-150s
湿膜
涂覆速度 烘箱分段温度
7m/min 90-100-90℃
膜厚均匀性
≥85% （ 10±2μm ）
备注
干膜贴膜后要停留15min以上才能曝光，但不能超过48h（湿 膜24h），并且两面干膜需无明显偏位、板边无余膜、无局部 色差/膜下杂物、板面无气泡/起皱等问题；涂覆湿膜则需注意 检查有无油墨不均、聚油、鱼眼等缺陷，并需控制叠板厚度 和时间。
其它物料： 压辘、无尘布、酒精、粘尘纸卷、粘尘纸本、涂布轮、粘度量杯
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3.主要设备、物料
前处理 贴膜 曝光 显影
曝光机主要分为传统曝光机和LDI/DI曝光机，性能差别主要在于光源/ 光路，通常传统曝光机使用的是UV点光源（光路分为散射光和平行 光），而LDI/DI则使用激光（准确讲DI使用的是UV或LED的点光源， 光路为平行光）
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2.工序原理、主要参数及控制点
前处理 贴膜 曝光 显影 蚀刻 退膜
水池效应：
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上板面
补偿蚀刻 调整上下压力
下板面
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2.工序原理、主要参数及控制点
前处理 贴膜 曝光 显影 蚀刻 退膜
主要参数、控制要点： 控制项目 压力 温度 速度
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2.工序原理、主要参数及控制点
前处理 贴膜 曝光 显影 蚀刻 退膜
工艺流程 菲林检查、清洁、对位→曝光→静置
（1）手动对位： 内层：采用夹边条对位方式，即用边条先将菲林与菲林 对位，然后将内层板放在菲林与菲林的中间进行曝光； 外层：将菲林四角开窗贴胶带，按照板边的方向孔（板角最边缘有两个孔的）手工
秒表（用于测量水膜测试计时）
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3.主要设备、物料
前处理 贴膜
贴膜机
曝光
显影
蚀刻
退膜
涂覆机
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