P/P/POWER 5 6
G-SENSOR
Ear PAD Touch PAD
P/P/POWER EAR_DET
U3
1 2 3 4
TO GND WO WG
VM6320N
TI VDD
WI EN
8 7 6 5
C6 1pF~50pF
VBAT C7
VM_EN 105
C5 1pF~50pF
EAR_TOUCH_KEY
POWER
6
S1 P/P/POWER
P/P/POWER/TALK
KEY
模拟 硅MIC 通话 MIC
DACVDD
R2 330R
C21
104
C20
MIC
105
M1 MSM_MIC
主动降噪MIC （前馈 +反馈 ）
DACVDD
R1 330R
C13
104
C12
ANC_MICP
104
M2 ANC_MIC
DACVDD
R3 330R
注：原理图中注释说明设计时需特别注意
C1 105
U1
C11 105
HPVDD
+3.3V
C10105 ANC_MICN
BT_AVDD L1
10uH/150mA
C8
C9
106
104
VM_EN ANC_MICP GND SW
1 2 3 4 5 6 7 8
HPVDD VDDIO PB9/MICR PB8/AUX2R/ADC9 PB7/AUX2L/ADC8 PB6/PB0/MICL/ADC6 PGND SW
Mic
6
6
+3.3V
DC5V
J2
+5V DM DP ID GND
1 2 3 4 6
R5
TX/RX
Q1
100R
ST2300
(N-MOS 管型号不定)
此电路，带智能充电池才需要
6
USB(MICRO)
VBAT
BT1 3.4V~4.2V
备注： 1、GND、AGND在电源入口处短接在一起！ 2、电池必须使用带保护板的电池
C23
104
C22
ANC_MICN
104
M3 ANC_MIC
主动 降噪 MIC （前馈 ）
DACVDD
C24 104
M4 MSM_MIC
R4 330R
C25 15p~33p
C26 104 ANC_MICP
ANC_MICN C27 104
ANC_MIC 选型： 歌尔：S15 OB38 1-081 敏芯微：MSM42 1A2718 H9XR
C2 105
Y1 24M
BT_OSCI
BT_OSCO
USBDP ADC11/USBDM ADC10/SD1DAT/PC3 ADC4/SD1CMD/PC4
SD1CLK/PC5 BT_OSCO BT_OSCI VSSIO
24 USBDP 23 USBDM 22 LED_B/R 21 G_SCL 20 G_SDA 19 BT_OSCO 18 BT_OSCI 17 GND
所有电容请使用原装电容，以保证容值。
+3.3V
LED_B/R
D1 BLUE
D2 RED
VBAT DC5V BT_AVDD RTCVDD G_PWR P/P/POWER EAR_DET BT_RF
9 10 11 12 13 14 15 16
VBAT LDO_IN BT_AVDD RTCVDD PR1/ADC12 PR2/ADC12 PR0 BT_RF
USB口预留测试点
T1 DP T2 DM
II C接口不要调换
AI8006C_QFN32
BT_ANT1
C18
C19
C16 C17 105 104
L2 NC
0R
2.7P
L3
L4
NC
NC
蓝 牙天 线匹 配参 数 以实 际调 试效 果 为准
MCU
TWS、单耳 方案
（差分接 法，抗干扰 能力强）
DACL DACR
0 GND(衬底)
备注： 功率电感请使用绕线电感， 内阻小，额定电流不小于15 0mA 以提高效率，降低整机功耗
C14
C15
105/10V 472/10V
备注：
1、VBAT ，LDO_ IN必须使用耐压值为10V的原装电容。 2、RTCVDD必须使用原装电容，以防漏电。 3、没有备注耐压值的电容，统一用耐压值6.3V的电容，
DACVSS VCOM
DACVDD VCOMO DACL DACR
MIC/PB10 AUX1L/ADC0/PA3/PA0
32 AGND 31 VCOM 30 DACVDD 29 VCOMO 28 DACL 27 DACR 26 MIC 25 TX/RX
晶振选型： 要求：内部负载电容:12 PF；频偏偏差：±10PPM以内J1 Earphone
LED、Earphone
SCL 12 G_SCL NC 11
U2
G_PWR
1 SD0
CSB 10
G_SDA 2 SDA/SDI/SDO GND 9
G_PWR 3 VDD_IO
C3
104
4 NC
GND_IO 8 VDD 7
INT INT2
DA230/SC7A21
G_PWR
C4 NC