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磁场中的高斯定理和安培环路定理
规定:
与L 绕向成右旋关系 与L 绕向成左旋关系
Ii 0 Ii 0
例如:
Ii I1 2I2
(穿 过L )
注意:
L
B dl
0 Ii
(穿 过L)
B:
与空间所有电流有关
B 的环流:只与穿过环路的电流代数和有关
穿过 L的电流:对 B 和 B dl 均有贡献 L
2
r1
2
d r1 r2
2.26 106 wb
二、安培环路定理(Ampere’s circulation theorem)
1.导出: 可由毕 — 沙定律出发严格推证
采用: 以无限长直电流的磁场为例验证
推广到任意稳恒电流磁场(从特殊到一般)
1)选在垂直于长直载流导线的平面内,以导线与 平面交点o为圆心,半径为 r 的圆周路径 L,其指向 与电流成右旋关系。
B 0I 2r
练习:同 求轴B的的两分筒布状。导线通有等值反向的电流I,
(1) r R2 , B 0
R2
R1
(2)
R1
r
R2 ,
B
0I 2r
I
rI
(3) r R1, B 0
2.长直载流螺线管的磁场分布
已知:I、n(单位长度导线匝数) 分析对称性 管内磁力线平行于管轴 管外靠近管壁处磁场为零
dl
0I
2π
2π
0
d
0I
对任意形状的回路
B dl
0I
rd
0I
d
2π r
2π
B dl
l
0I
电流在回路之外
B1
B2
d
I
r1
dl1
dl2
r2
l
B1
0I
2π r1
,
B2
0I
2π r2
B1
dl1
B2
dl2
B dl 0 Ii
i 1
安培环路定理
n
B dl 0 Ii
i 1
一闭合即路在径真的空积的分稳的恒值磁,场等中于,磁0感乘应以强该度闭合B 路沿径任
所包围的各电流的代数和.
注意
电流 I 正负的规定 :I 与 L 成右螺旋时, I 为正;反之为负.
Bdl
2R
B
0 I
2 r
rR
O
R
r
电场、磁场中典型结论的比较
电荷均匀分布
电流均匀分布
长直线
长 直
内
圆
柱外
面
长 直
内
圆
柱 体
外
E
2 0r
E0
E
2 0r r
E 2 0 R2
E
2 0r
B 0I 2r
B0
B 0I 2r
B
0 Ir 2R 2
B dl
0 I dl cos0
L
L 2 r
0I
2 r
2 r
0 dl 0 I
I
L
o
r B
二、安培环路定理(Ampere’s circulation theorem)
1. 安培环路定理的表述
恒电流磁场中,磁感应强度沿任意闭合环路的
积分等于此环路所包围的电流代数和的
例4 无限长载流圆柱面的磁场
L1
r
IR
L2 r
0I B
2π R
oR r
解 0 r R, B d l 0 l r R, l B d l 0I
B0 B 0I
2π r
三、安培环路定理的应用
B dl 0 Ii
当场源分布具有高度对称性时,利用安培环路定理
11 – 4 安培环路定理
第十一章 稳恒磁场
2 ) 选回路 L .
磁场 B 的方向与
电流 I 成右螺旋.
M
NB
++++++++++++ B dl B dl B dl B dl B dl
l
MN
NO
OP
PM
B MN 0nMNI B 0nI
不穿过 L 的电流:对 L 上各点 B 有贡献;
对 L B dl 无贡献。
4)闭合路径不在垂直于电流的平面内
I
L
dl
dl
o
dl //
o L
dl //
B dl B (dl// dl )
L
L
B dl// B dl
L
0 (I1
I1
I1
I2)
(0 I1
I
)
2
I1
I2 I3
I1
L
I1
问 1)B 是否与回路 L 外电流有关?
2)若 B d l 0 ,是否回路 L上各处 B 0? L
是否回路 L 内无电流穿过?
若电流反向:
B dl
2 r 0 I dlcos
计算磁感应强度
1. 无限长载流圆柱导体的磁场分布
I
已知:I、R
R
电流沿轴向,在截面上均匀分布
分析对称性
电流分布——轴对称
磁场分布——轴对称
B 的方向判断如下:
r
dS1
O
l
dS2
dB dB2 dB1
P
作积分环路并计算环流
如图 r R
B dl
Bdl
2rB
利用安培环路定理求
I
B
dl
l
B
dl
0
2π
I dl R
oR
l
B dl
0I
dl
l
2π R l
B dl
l
0I
设闭合回路 l 为圆形 回路(l 与 I成右螺旋)
I
B
dl
oR
l
d
dl
B
Ir
l
l 与 I 成右螺旋
若回路绕向化为逆时针时,则
l
B
L
0 2 r
0I
2 r
2 r
0 dl 0 I
I
L
o
r B
与环路绕行方向成右旋关系的电流对环流的贡献为 正,反之为负。
如果规定 统一为:
与L 绕向成右旋关系 I 0 与L 绕向成左旋关系 I 0
B dl 0I L
2)选择在垂直于导线平面内围绕电流的任意闭合路径
I1 I2 20A
如图取微元
dm B dS Bldr
B 0I1 0I2 2r 2 (d r )
B
I1
r dr
I2
l
方向
r1
r2 d r3
m
dm
r1 r1
r2
[
0 I1 2r
0 I2 ]ldr 2 (d r)
0 I1l ln r1 r2 0 I2l ln d r1
L L L B dl// 0
cos 0
0 I (I穿过L)
0 (I不穿过L)
5)空间存在多个长直电流时
I1
I4
I2
I3
L
由磁场叠加原理
B B1 B2 Bn
B dl L
L
( B1
B2
Bn
)
dl
L B1 dl L B2 dl L Bn dl
0 Ii ( 穿 过L )
2.推广:稳恒磁场的安培环路定理
L
B dl
0 Ii
(穿 过L)
稳恒磁场中,磁感应强度 B 沿任意闭合路径 L
的线积分(环流)等于穿过闭合路径的电流的代
倍。
0
表达式
B dl
L
0
Ii
i
I n1
I2
符号规定:穿过回路 L 的电
流方向与 L 的环绕方向服从右
Ink
手关系的,I 为正,否则为负。 I1
Ii
不穿过回路边界所围面积的电流不计在内。
2. 安培环路定理的证明:无限长直电流的磁场
载流长直导线的磁感强
度为 B 0I
2π R
求:两线中点 BA
过图中矩形的磁通量
I1
A BA
I2
l
解:I1、I2在A点的磁场
B1
B2
0 I1 2 d 2
2.0 105T
r1
r2 d r3
d 40cm
BA B1 B2 4.0 105T
r2 20cm
l 25cm
方向
r1 r3 10cm
不穿过 L 的电流:对 L 上各点 B 有贡献;
对 B dl 无贡献 L
安培环路定理揭示磁场是非保守场(无势场,涡旋场)