目前市 场现 有的 Ｒ Ｄ ＡＩ 适配器 专 为硬盘驱 动器 （ ＤＤ 而设 Ｈ ） 计 ，Ｈ 性能比单部Ｓ Ｄ ＤＤ Ｓ 差很 多。在许 多情 况下 ，多部 企业级 ＨＤ 只能利 用 “ Ｄ 短行程 ” ，即使 用其整体存 储容量 的一 小部分 来 提高 性能 ，这 就 降低 了每部 ＨＤＤ 的磁 盘利 用率 。对 提 高性
透传
略 逊 之 ；带 内 开 销 方 式 由于 需 要 升 级 大 量 单 盘 ，并 且 影 响 现 网 业 务 ，经 济
性最 差 。
标 准 支 持
组网能力
一
一
带内开销
带￣ ｏｓｃ ｂ
（） 准 支 持 ４标
透 传 方 式 和带 外Ｏ ｃ方 式 均在 Ｓ
经济性
ＯＴＮ现 有 体 系 框 架 下 ，带 内 开 销 方 式 由 于 时 间 戳 需 要 插 入 ＯＴＮ开 销 中 ，对
能 而言 ，这种解决 方案成本 比较 高。ＰＭＣ— ｅ ｒ 的ｍａ Ｒ Ｄ Ｓｉｒａ ｘ ＡＩ ＢＲ ２ ５ ８ 采用 多线程 多核 架构 ，配合采用基 于Ｉ ５２—０ ＢＭ的Ｒ Ｄ ＡＩ 堆
的首款产 品——专 为ｘ ６ ８ 服务器 固态硬盘（ Ｓ ） Ｓ Ｄ 存储而设计 的 Ｂ ５ ２ — ０ Ｒ Ｉ 适配器。该适配器采 用Ｐ — ｉｒ 市场领 Ｒ ２ ５ ８ Ａ Ｄ ＭＣ Ｓｅ ｒ ａ
Ｓｅｒ＿界领先的存储协议控制器 系列与 ＩＭ ｉ ａ＿ ｒ￣ Ｂ 业经验证的Ｒ Ｉ ＡＤ 软件完美结合 ，共同开发突破性的Ｒ Ｉ解决方案。ｄ Ａ 目 ＡＤ Ｄ 项
成绩显著 。 使Ｐ — ｉｒ 能够率 先向市场推出专为出色Ｓ Ｄ ＭＣ Ｓｅ ｒ ａ Ｓ 存储性能而优化 的ｍａ Ｒ Ｉ 多核 多线程Ｒ Ｉ解决方案。 ｘＡＤ ＡＤ
构相对简单的小型城域 网。 虹
如 对 本 文 内 容 有 任 何 观 点 或 评 论 ．请 发 Ｅ— ａ ｌ ｍ ｉ 至
ｅｄｉ ＠ｔｍ ｔ ｏｒ ｔ ｃｏｍ ｃｎ
Ｐ － ｉｒａ 出面 向ｘ ６ ＭＣ Ｓ ｅ ｒ 推 ８ 服务器 的 多核 多线程
Ｒ Ｉ Ａ Ｄ平 台
Ｐ — ｅ ｒ公司 日前推出其ｍａ Ｒ ｌ ＭＣ Ｓｌｒａ ｘ Ａ Ｄ架构 以及该 系列
ｍ ｘ ＡＤＳ ｒｇ ｎｑ ｒ ａＲ Ｉ ｔａ ｅＭａａ ｅ＿ ｏ 一
一款 基于Ｗｅ 的 图形 应用 ， ｂ
市场所 开发 的Ａ ａ ｏ 有５ ｖｇ特 颗芯 片系列 初期 原型 制造 ，基于市 场需 求和客户 意见 ，Ａ ａ ｏ 计 了采用表 面贴装 封装 的高性能 ｖｇ设
毫米波 产 品。
先 的多核Ｒ ｌ（ｏ ） Ａ ＤＲ Ｃ控制器和多线程性能优 化型Ｒ Ｉ堆栈软 ＡＤ 件设计而成 ，￥Ｐ ｘ ｒｓ Ｐ Ｉ）． ￣ ＣＩ ｐｅ ｓ（ Ｃ ｅ ０连接到８ － Ｅ ２ 个速 度高达
６ Ｇｂｔ 的Ｓ ／Ａ Ａ 口，可满足数据和事务处理 密集型应 ｉ ／ ＡＳ Ｔ 端 ｓ Ｓ 用所 需的最 高每秒 钟随机 读取 输入输 出操作次数 （ＯＰ 和 Ｉ Ｓ）
图 １ ３ 方 式 特 性 对 比 种
现 有 ＯＴ Ｎ标 准 体 系 有 较 大 影 响 。
，
务 口ｑ ｏ ｓ ｇ￣ ； 超 长 跨 段 传 输 需 牺 ｃ，ｌ
内方式 均基于 高速 信号
具 有 类 似 的
综 合 衡 量 以 上 ３ 方 式 ，可 以考 虑 种 在 大 型 城 域 核 心 网采 用 带 外 ｏＳ ｃ的 方
方案模拟 中贝 能实现３ 万 ｌ Ｓ ＭＣ— ｉｒ 的Ｒ Ｉ Ｕ ０ ＯＰ 。Ｐ Ｓｅｒ Ａ Ｄ平台包含 ａ
Ａ ａ ｏ Ｔ ｃ ｎ ｌｇｅ （ 华高科 技） 日表 示已经 完成面 ｖ ｇ ｅ ｈ ｏ ｏ ｉｓ安 近
向逐渐 扩展３ ８～４ ２ ＧＨｚ 无线 基础设 施和 回程线 路点对 点无线
网能力没 有限制 ；带外ｏＳ Ｃ方 式 略 逊 于 带 内 开 销 方 式 ； 而 透 传 方 式 受 主 备
路 由 光 缆 可 能 存 在 收 发 长 度 差 异 的 限 制 ，影 ［ＯＴ ￣ Ｎ保 护方 式 的使 用 。
（） 间信 息 传 输 性 能 １时
由于 采 用 低 速 ＴＤＭ 信 号传 输 ，带 外 ０Ｓ 方 式 性 能 最 优 ，透 传 方 式 和 带 Ｃ
匪圈
打造新型时间同步网 支撑Ｔ — Ｃ Ｍ 跨越发展 Ｄ ＳＤ Ａ
（） 济 性 ３经 由 于 无 需 升 级 现 网 设 备 ，透 传 方 式 无 疑 具 备 最 优 秀 的 经 济 性 ； 由于 需
要 低 成 本 的０ Ｓ Ｃ改 造 ，带 外 ０ Ｓ 方 案 Ｃ
一
传 Байду номын сангаас 性 能
采用 直观 的用 户界 面 ，可使 用户通 过 标准 浏览器 在公 司或 Ｖ Ｎ 的任 意控 制台 上高效管 理服务 器存储 。 Ｐｌ
Ｐ Ｉ ＭＣ— ｅ ｆ与旧 Ｍ达成联合开发协议 （ＤＡ） Ｓｉｒａ Ｊ ，将ＰＭＣ—
这些芯片组使用 旧 Ｃ 有的０ ７ ｍ伪形态高电子迁移率晶 ｇ特 ． １
４ｏ
Ｔ１ ｏＮＳ ＴＥＣＨＮｏ ｌ （、／ ｏ １０ ・ ６ 、ｒ２ ｏ
体 管工艺技术制造 ， 采用８ Ｇ ｚ Ｔ ０ Ｈ 的Ｆ晶体管，这个工艺可以充分满
足４ Ｈ 应用的需求。－ ｏＧ ｚ ￣ ｖ ｇ 高良率 、 ａｏ 高产能 晶圆厂进行
生产，产品采用５ｍｍ Ｘ５ｍｍ表面贴装封装并以卷带式封装出货 ，
生产和测试程序完全 自动化 ， 每月产能可高达数百万片。
式 传 送 １ ８ ｖ 时 间 信 息 。 该 方 式 不 仅 ５ ８２
牲一个业务波道 。
性 能。 （） 网 能 力 ２组
目 ３ 方 式对 比 种
３ 方式特性对比如图１ 示 。 种 所
采 用 带 内开 销 方 式 ，对 原 ＯＴＮ组
可 以 提 供 低 成 本 、高 质 量 时 间 同 步 信 息 承 载 能 力 ，而 且 不 会 对 ＯＴ Ｎ改 造 带 来 影 响 ，而 透 传 方 式 则 可 以 部 署 在 结
吞吐量。ｍ Ｄ架构 目前在单 Ｆ Ｄ拉筛 情况下达到１ ＿ 黼 ３ 万 ６
栈 ，能充分发挥Ｓ Ｄ Ｓ 存储 的全部性能优势 ，节约系统成本 ，降低
数据 中心 的功耗要求 ．并能 实现存储容量利用率最大化。
ｌＰ 的性能，而在Ｐ Ｃ Ｓｅ ａ Ｏｓ Ｍ — ｉｒ的下 弋 ｂ］ Ｓ ＳＲ Ｉ 解决 ｒ ６Ｇ ｉ Ａ ＡＤ ｔ ｓ