3. 场效应管及其放大电路
源极S（source) 栅极G（gate) 漏极D（drine)
P+
N 型导电沟道
N P+
称为N沟道 JFET
符号
d
g
s
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3. 场效应管及其放大电路
源极S（source) 栅极G（gate) 漏极D（drine)
N+
P 型导电沟道
P N+
P沟道JFET 结构示意图
符号
d
g
s
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3. 场效应管及其放大电路
结型场效应管分
N沟道结型场效应管
类似
N沟道JFET
d
g
P沟道结型场效应管
P沟道JFET
d
NPN
g
s
s
PNP
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3. 场效应管及其放大电路 3.1 结型场效应管
3.1.1 结型场效应管的结构和类型
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3. 场效应管及其放大电路
总结：三极管的主要特点
C(c)
1. 电流控制型器件。
B (b)
2. 输入电流大，输入电阻小。
T E(e)
3. 两种极型的载流子都参与导电，又称
为双极型晶体管，简称BJT（Bipolar Junction Transistor)。
肖克利于1949 年提出了结型晶体管概念 （ sandwich transist路
场效应管图片
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3. 场效应管及其放大电路
场效应管，简称FET(Field Effect Transistor )， 其主要特点： 电压控制电流源 (a) 输入电阻高，可达107 ~1015Ω。 (b) 起导电作用的是多数（一种）载流子，
又称为单极型晶体管。 (c) 体积小、重量轻、耗电省、寿命长。 (d) 噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强和制造工艺简单。 (e) 在大规模集成电路制造中得到了广泛的应用。
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3. 场效应管及其放大电路 场效应管的类型：
场效应管按结构可分为： 1. 结型场效应管，简称 JFET ( Junction Field Effect Transistor ) 2. 绝缘栅型场效应管，简称 IGFET ( Isolated Gate Field Effect Transistor )
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3. 场效应管及其放大电路
3.1.1 结型场效应管的结构和类型
sgd
N沟道JFET 结构示意图
SiO2 保护层
P+
N P+
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3. 场效应管及其放大电路
形成SiO2保护层 左右各引出一个电极
以N型半导 体作衬底
N
P+
两边个引出一个电极
P+
两边扩散两个高 浓度的P型区
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