MOS管选型
1、预估使用环境温度T ambient
一般情况下取室温25°C，器件附件空气温升10°C，
较差情况下不妨取温度45°C，器件附件空气温升20°C
最差情况下T ambient=65°C
2、计算I D
T ambient + RθJA * I D * I D * R DS（ON）=T j
例:ME4970
RθJA =76°C/W
R DS（ON）≤16mΩ（V GS=10V）
T j≤150°C
T ambient=65°C
得I D≤8.36A，与规格书中I D≤8.3A（T ambient=70°C）值很接近
3、关于关键器件温升控制
△T+To+RθJC * I D * I D * R DS（ON）=T j
To=25°C 室温
△T=45°C器件温升，即MOS表面70°C。

RθJC=46°C/W
R DS（ON）≤16mΩ（V GS=10V）
T j≤150°C
得I D≤10.4A
以上表明，规格书所标注的I D可以直接作为设计参考电流值（Tambient 取70°C）。

满足温升等要求。

也可用到80%，留有一定余量。

使用条件不同的，需通过T ambient + RθJA * I D * I D * R DS（ON）=T j计算I D。

注：MOS的气候特性，包括juction-to-ambient 和junction-to-case两个参数
juction-to-ambient：是指PN结到环境的温度，
junction-to-case：PN结至器件外壳的温度。