Metal Pad Negative PR IITTOO
Epi Layer n-GaN
Sapphire (~430 μm)
14
前段製程流程簡介說明
B041-掀金 (Lift-off)
SF-M15
Metal Pad Negative PR ITO
Epi Layer n-GaN
Sapphire (~430 μm)
Sapphire (~430 μm)
7
前段製程流程簡介說明
B035-TCL黃光
UV Light
TCL Mask PosHiMtivPDeoSsPiRtive PR
ITO Epi Layer
n-GaN Sapphire (~430 μm)
8
前段製程流程簡介說明
B036-TCL蝕刻
ITO etchant S55F-oCM,1550 sec.
Positive PR ITO
Epi LEapyierLayer n-GaN
Sapphire (~430 μm)
6
前段製程流程簡介說明
B034-去PR Mask
Alpha-step
SFIT-MO+15Mesa 12000Å-18000Å ≈
Positive PR ITO
Epi Layer n-GaN
Sapphire (~430 μm)
20
前段製程流程簡介說明
Example: 10x24 mil chip (top view)
P-pad+finger
Mesa+ITO+passivation+etc.
N-pad
21
後段製程流程簡介說明
後段製程主要為晶片研磨切割點測篩選作業
研磨站
Stripper站
B028-蒸鍍ITO
ITO (Indium-Tin Oxide, ~2600Å) Epi Layer
Sapphire (~430 μm)
3
前段製程流程簡介說明
B030-Mesa黃光
UV Light
Mesa Mask PositPivoesiPtiRve PR
ITO Epi Layer
Sapphire (~430 μm)
n-GaN Sapphire (~430 μm)
18
前段製程流程簡介說明
B046-ITO低溫合金
300oC, 5 min.
SiO2 (~800Å) ITO
Epi Layer n-GaN
Sapphire (~430 μm)
19
前段製程流程簡介說明
完工
SiO2 (~800Å) ITO
Epi Layer n-GaN
ITO Epi Layer
n-GaN Sapphire (~430 μm)
17
前段製程流程簡介說明
B045-Passivation蝕刻
HS3PFO-4M:CH135COOH:HCl=3:3:2, 25 sec.
Positive PR SiOS2 i(O~2 8(0~08Å0)0Å)
ITO Epi Layer
4
前段製程流程簡介說明
B032-Mesa蝕刻
Alpha-step
ITO etchant 55oPCR,+5I0TOse≈c.20000Å-35000Å
Positive PR ITO ITO
Epi Layer
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
Sapphire (~430 μm)
5
前段製程流程簡介說明
B033-乾蝕刻 ICP-RIE
切割站
劈片站
全點站
篩選站
研磨區： 將晶片厚度薄化的製程作 業。
Stripper站： 將晶片進行表面清潔 製程作業。
劈片站： 將切割後的晶片進行劈裂 ，把晶片分割開成晶粒的 製程作業。
全點站： 進行晶粒電性量測的 作業製程，從切割至 全點站。
切割站： 將晶片進行表面切割破 壞，依晶粒外觀畫出一道 道的切割線。
LED製程簡介
前段製程流程簡介說明
Epi wafer structure (藍光)
p-GaN (~100-300 nm) Active Layer (~75-300 nm)
n-GaN (~2-4 μm) u-GaN (~2-4 μm)
Sapphire (~430 μm)
Epi Layer
2
前段製程流程簡介說明
B039-P前Plasma Stripper
Plasma
Negative PR IITTOO
Epi Layer n-GaN
Sapphire (~430 μm)
13
前段製程流程簡介說明
B040-鍍P
Al Pad: Cr/Pt/Al/Ti/Au (3000/300/12000/500/5000Å) Au Pad: Cr/Au/Cr/Au (3000/3000/1000/17000Å)
Positive PR ITO ITO Epi Layer
n-GaN Sapphire (~430 μm)
9
前段製程流程簡介說明
B037-ITO高溫合金
550oC, 15 min.
ITO Epi Layer
n-GaN Sapphire (~430 μm)
10
前段製程流程簡介說明
B042-ITO粗化
ITI solution
ITO Epi Layer
n-GaN Sapphire (~430 μm)
11
前段製程流程簡介說明
B038-P黃光 UV Light
NNeeggaattiviveePPRR ITO
Epi Layer n-GaN
Sapphire (~430 μm)
Pad Mask
12
前段製程流程簡介說明
15
前段製程流程簡介說明
B042-沈積Passivation
SiO2 (~800Å) ITO
Epi Layer n-GaN
Sapphire (~430 μm)
16
前段製程流程簡介說明
B044-Passivation黃光 UV Light
Passivation Mask PosPitoivseitiPvRe PR SiO2 (~800Å)
篩選站： 進行晶粒電性分類作業製 程。
22