14 DOUT 13 A6 12 A3 11 A4 10 A5 9 VCC
第六章存储器
DRAM芯片2164
存储容量为64K×1
16个引脚：
8根地址线A7～A0 1根数据输入线DIN 1根数据输出线DOUT 行地址选通RAS* 列地址选通CAS* 读写控制WE*
NC 1
DIN 2 WE* 3
第六章存储器
5.3.1 EPROM
顶部开有一个圆形的石英窗口，用 于紫外线透过擦除原有信息
一般使用专门的编程器（烧写器） 进行编程
编程后，应该贴上不透光封条 出厂未编程前，每个基本存储单元
都是信息1 编程就是将某些单元写入信息0
第六章存储器
EPROM芯片2716
存储容量为2K×8
24个引脚：
每个基本存储单元存储二进制数一位 许多个基本存储单元形成行列存储矩阵
SRAM一般采用“字结构”存储矩阵：
每个存储单元存放多位（4、8、16等） 每个存储单元具有一个地址
第六章存储器
SRAM芯片2114
存储容量为1024×4 18个引脚：
10根地址线A9～A0 4根数据线I/O4～I/O1 片选CS* 读写WE*
RAS* 4
A0 5 A2 6 A1 7 GND 8
16 VSS 15 CAS*
14 DOUT 13 A6 12 A3 11 A4 10 A5 9 A7
第六章存储器
5.3 只读存储器
EPROM EPROM 2716 EPROM 2764
EEPROM EEPROM 2717A EEPROM 2864A
11根地址线A10～A0 8根数据线DO7～DO0 片选/编程CE*/PGM 读写OE* 编程电压VPP
A7 1 A6 2 A5 3 A4 4 A3 5 A2 6 A1 7 A0 8 DO0 9 DO1 10 DO2 11 Vss 12
DRAM 极间电容 慢 高 大容量系统
NVRAM 带微型电池 慢 低 小容量非易失
第六章存储器
只读存储器ROM
掩膜ROM：信息制作在芯片中，不可更改 PROM：允许一次编程，此后不可更改 EPROM：用紫外光擦除，擦除后可编程；
并允许用户多次擦除和编程 EEPROM（E2PROM）：采用加电方法在
静态RAM（SRAM） 动态RAM（DRAM） 非易失RAM（NVRAM）
只读存储器 （ROM）
掩膜式ROM 一次性可编程ROM（PROM） 紫外线擦除可编程ROM（EPROM） 电擦除可编程ROM（EEPROM）
第六章存储器
读写存储器RAM
组成单元 速度 集成度
应用
SRAM 触发器
快
低
小容量系统
超高速存储器的最大存取时间小于20ns， 中速存储器在100-200 ns之间， 低速存储器在300 ns以上。
第六章存储器
6.2 随机存取存储器
静态RAM SRAM 2114 SRAM 6264
动态RAM DRAM 4116 DRAM 2164
第六章存储器
6.2.1 静态RAM
SRAM的基本存储单元是触发器电路
第六章 半导体存储器及接口
第六章存储器
教学内容
半导体存储器概述 随机存取存储器 只读存储器 半导体存储器与CPU的连接
第六章存储器
பைடு நூலகம்
6.1 半导体存储器概述
除采用磁、光原 理的辅存外，其 它存储器主要都 是采用半导体存 储器
本章介绍采用半 导体存储器及其 组成主存的方法
CPU CACHE
第六章存储器
DRAM芯片4116
存储容量为16K×1
16个引脚：
7根地址线A6～A0 1根数据输入线DIN 1根数据输出线DOUT 行地址选通RAS* 列地址选通CAS* 读写控制WE*
VBB 1 DIN 2 WE* 3
RAS* 4
A0 5 A2 6 A1 7 VDD 8
16 VSS 15 CAS*
存储容量: 指存储器可存储的二进制信息量. 芯片的存储容量＝2M×N
M：芯片的地址线根数 N：芯片的数据线根数
即：存储容量=字数×字长 微机中常用字节数来表示存储容量。
第六章存储器
6.1.3 半导体存储器的技术指标
存取速度（最大存取时间）:是指存储器从接 收存储单元地址码开始，到取出或存入数据 为止所需的时间，其上限值称为最大存取时 间。
主存（内存） 辅存（外存）
第六章存储器
6.1.1 半导体存储器的分类
按制造工艺
双极型：速度快、集成度低、功耗大 MOS型：速度慢、集成度高、功耗低
按使用属性
随机存取存储器RAM：可读可写、断电丢失 只读存储器ROM：正常只读、断电不丢失
第六章存储器
半导体存储器的分类
半导体 存储器
随机存取存储器 （RAM）
A6 1 A5 2 A4 3 A3 4 A0 5 A1 6 A2 7 CS* 8
GND 9
18 Vcc
17 A7 16 A8 15 A9 14 I/O1 13 I/O2 12 I/O3 11 I/O4 10 WE*
第六章存储器
SRAM芯片6264 NC 1
A12 2
A7 3
存储容量为8K×8
A6 4 A5 5
28个引脚：
A4 6
13根地址线A12～A0 8根数据线D7～D0
A3 7 A2 8 A1 9
片选CS1*、CS2
A0 10
读写WE*、OE*
D0 11 D1 12
D2 13
GND 14
第六章存储器
28 +5V 27 WE* 26 CS2 25 A8 24 A9 23 A11 22 OE* 21 A10 20 CS1* 19 D7 18 D6 17 D5 16 D4 15 D3
线进行擦除和编程，也可多次擦写 Flash Memory（闪存）：能够快速擦写的
EEPROM，但只能按块（Block）擦除
第六章存储器
6.1.2 半导体存储器芯片的结构
地地
读
址址 寄译
存储体
写 电
AB 存 码
路
控制电路 OE WE CS
第六章存储器
数 据 寄 存 DB
6.1.3 半导体存储器的技术指标
6.2.2 动态RAM
DRAM的基本存储单元是单个场效应管及 其极间电容
必须配备“读出再生放大电路”进行刷新 每次同时对一行的存储单元进行刷新 每个基本存储单元存储二进制数一位 许多个基本存储单元形成行列存储矩阵
DRAM一般采用“位结构”存储体：
每个存储单元存放一位 需要8个存储芯片构成一个字节单元 每个字节存储单元具有一个地址