从上式可知可以通过减小圆弧半径 ，以及金属丝的轴向应变。 可以用如下几种结构来减小横向效应： 1），将敏感栅的圆弧段直接用金属丝短接； 2），采用萡式应变片； 3、一应变片的电阻R＝120欧姆，k＝2.05，用作应变为800um／m的传感 元件。①求ΔR和ΔR／R，②若电源电压U＝3v，求初始平衡时惠斯登电 桥的输出电压。 解： ①利用（4-9）式可得
E0 ke 2/ Q
满量程值：EFS ke 1.8/ Q
e1
' E0 E0
EFS
e 0.4/ Q 1 e 0.2/ Q
第七章
习题
1、 用压电式传感器能测量静态和变化很缓慢的信号吗？为什么？而其阻尼比很小， 为什么 可以响应很高频率的输入信号而失真却很小? 答：当作用在压电元件上的力是静态力（w=0）或者是变化很缓慢的力（w︽0）时，则前置 放大器的输入电压等于零。 因为电荷就会通过放大器的输入电阻和传感器本身的泄漏电阻漏 掉。 压电式传感器可以等效为一个电荷源与一个电容并联， 阻尼比很小的压电式传感器可以 认为电容很大，故在响应很高频率的输入信号时，压电式传感器的自身阻抗就会很小，输出 失真也就很小。 2、压电式传感器中采用电荷放大器有何优点？为什么电压灵敏度与电线长度有关？而电荷 灵敏度无关? 答：前置电荷放大器有两个作用，第一是把压电式传感器的微弱信号放大；第二是把传感器 的高阻抗输出变换为低阻抗输出。
第十五章 习题 1、说明湿度的定义和表达方法。 答：绝对湿度表示单位体积空气里所含水汽的质量，其表达式为
MV V
相对湿度是气体的绝对湿度( V )与在同一温度下，水蒸汽已达到饱和的气体的绝对 湿度( W )之比，常表示为％RH．其表达式为 露（霜）点：相对湿度为 100%ＲＨ时的温度。 2、氧化锂和半导体湿敏传感器各有何特点？ 答：氯化锂湿敏元件灵敏、准确、可靠。其主要缺点是在高湿的环境中，潮解性盐的浓度会 被稀释，因此，使用寿命短，当灰尘附着时，潮解性盐的吸湿功能降低，重复性变坏。 ＋ 半导体湿度传感器根据电阻变化情况有正特性与负特性之分，Ｎ型半导体的在Ｈ 静电场很 大时都呈现负特性，且半导体湿敏传感器受温度影响较大。 第十六章 习题 1、说明大气窗口的含义。 答：红外辐射在大气中传播时．由于大气中的气体分子、水蒸汽以及固体微粒、尘埃等物 质的吸收和散射作用， 使辐能在传输过程中逐渐衰减。 红外辐射在通过大气层时被分割成三 个波段．即 2—2.6cm．3—5um 和 8—14um，统称为“大气窗口” 。 2、设计红外测温系统。 解：见 331 页给出结构原理并叙述其工作原理 第十七章 习题 1、说明半导体应变片和金属应变片有何不同。 答：半导体应变片是用半导体材料制成的，其工作原理是基于半导体材料的压阻效应。压阻 效应，是指半导体材料在某一轴向受外力作用时，其电阻率ρ发生变化的现象。 金属应变片的工作原理是基于金属的电阻应变效应。 金属丝的电阻随受力产生的形变而变化 的现象称为金属的电阻应变效应。 不同点：半导体应变片灵敏系数比金属电阻应变片的灵敏系数大数十倍； 半导体应变片横向效应和机械滞后极小； 半导体应变片温度稳定性和线性度比金属电阻应变片差得多。 2、设计一个利用半导体应变片的测压系统。 提示：参照 17.2 节。 3、如何补偿半导体应变片的零位漂移和温度误差。 解：零位漂移的补偿：温度变化引起的零点漂移方向不同，因此可以采用并串联调零法，即 在 R3 上串联 Rs 的同时，又在 R4 上并联 RP，适当选择 Rs 和 RP 的值，可以使电桥失调为零， 而且在调零之后温度变化原则上不会引起零点源移。若满足上述零漂为零，要求 Rs 与 RP 为
n 与气体检测灵敏度有关、除了随传敏感器材料和气体种类不同而变化外，还会由于测 量温度和激活剂的不同而发生大幅度的变化。m 表示随气体浓度而变化的传感器的灵敏 度(也称之为气体分离率)。对于可燃性气体来说，M 值多数介于 1／2 吏 1／3 之间。 体控制型电阻式传感器： 在采用反应性强容易还原的氧化物作为材料的传感器中， 即使是在 温皮较低的条件下，也可因可燃性气体而改变其体内的结构组成(晶格缺陷)，并使敏感元件 的阻值发生变化。 2、为什么多数气敏传感器带有加热器？ 答：主要有两个用途；第一，用作烧灼元件表面油垢或污物；第二，可起加速被测气体的吸、 脱过程。
第一章作业题
2、请对如下机械系统进行力-电流和力-电压机电模拟。
图一 机械系统
解答： i):力-电流模拟 下表为力-电流相似系统中参量对应关系
把题中的图一机械系统用用图二所示的电流激励并联电路来模拟。
利用上表的对应关系可知，只要知道 A点的电压就可以模拟机械系统中的 质量 m2 相对应于大地的速度 m 2 模拟了电路的激励电流就模拟了机械 系统结构物的激励力 f ，结构物相 对于大地的速度 是用激励电压 x 来模拟的。对应关系是：
v
v
u
u a vm 2 i f u vx
图二
电流激励并联电路
m1 、m2
相对速度为
v0 vm1 vm 2
只要知道得到了模拟电路中a、b两节点的电压差 即可模拟输出速度 v0 对输入速度
vx 的响应。
u0 u1 u2
ii):力-电压模拟 下表为力-电流相似系统中参量对应关系
图 7—18 是压电式传感器与电荷放大器连接的等效电路，由“虚地”原理可知，反馈电容 Cf 折合到放大器输入端的有效电容 C’f 为
当 1 k C f 10 Ca Cc Ci 时，传感器的输出灵敏度就可以认为与电缆电容有关。从 上式也可以看出电压灵敏度与电荷灵敏度无关。 3 、 有一零度 X 切的纵向石英晶体， 其面积为 20mm2， 厚度为 10mm， 当受到压力 P＝10MPa。 作用时，求产生的电荷量及输出电压。 解：根据（7-18）式， Ca
第六章 作业
4、 电涡流传感器线圈的外径、内径和厦度分别为48mm、43mm和 2mm，今用它检测钢材的厚度，若以x=2mm为零点，测量范围为 +/-0.2mm，问用端点连线法求线性度相对误差约为多少？
解：根据6.3.2节可知，E 其中t未被测材料的厚度
ke
t / Q渗
根据端点连线法
' E0 k e2.2/ Q e 1.8/ Q
1、举例说明不同集成度智能传感器系统，并请说明 CCD 固态传感器的工作原理及工作过 程。 解答：按集成度划分，智能传感器系统可以分为初级集成度、中级集成度和高级集成度。 以 DTP 型智能式压力传感器进行说明。其由以下构成： 主传感器(压力传感器) 辅助传感器(温度传感器、环境压力传感器 异步发送／接收器(uART) 微处理器及存储器 地址／数据总线 程控放大器(PFA) A／D 转换器、DA 转换器 可调节激励源
从磁电式速度传感器的幅频特性可以看到，只有在 w wn 的情况下， Av w 1 ，相对速 度 V(t)的大小才可以作为被测振动速度 V0(t)的量度。 第九章 习题
1、举例分析热敏电阻、热电偶和集成热电传感器的原理。 2 、参考电极定律有何实际意义？已知在某特定条件下材料 A 与铂配对的热电势为 13.967mv，材料 B 与铂配对的热电势为 8.345mv，求出在此特定条件下材料 A 与材料 B 配 对后的热电势。 解：利用参考电极定律可以用来测量被测物件的温度。利用（9-1）式
可得， E AB (T , T0 ) E A铂 (T , T0 ) EB铂 (T , T0 )
=13.967-8.345=5.622（mv） 3、画图说明对热敏电阻进行非线性补偿，和对热电偶进行温度补偿的方法。 解：热敏电阻的线性化
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
可通过在热敏电阻上串并联固定电阻， 作成组合式元件来代替单个热敏元件， 使组合式元件 电路特性参数保持一致并获得一定程度的线性特性。 对热电偶进行温度补偿： 补偿方法主要有： （1）冷端温度修正法； （2）冷端温度自动补偿法； （3）延引电极法。 随便一一种方法具体说明即可。 第十章 习题


(n1 )r 2nl(n1 )r (n1 )r (x y ) LL L2 nl x x y 1 2 2 2
因此横向效应可以用下式来表示：
L横向应变＝S x L n 1 r x y 2 n 1 r 1 u x 2
1、举例分析三种光电效应的光电传感器原理。 答： （1）在光线作用下使物体的电子逸出表面的现象叫外光电效应，以光电管来说明原理… （2）在光线作用下使物体电阻率改变的现象叫内光电效应，以光敏电阻来说明原理… （3） 在光线作用下使物体产生一定方向的电动势的现象叫阻挡层光电效应， 以光电池来 说明原理… 2、设计三种转速传感器。 可以利用电磁感应定律、压电原理、光电效应等等 第十一章 习题
4.62 1010 C
输出电压 U 0 第八章 习题
Q 4.62 1010 5.8 107 V Ca 7.97 104
1、对动圈式磁电传感器进行动态特性分析。 解答：图中 V0 为传感器外完的运动速度，即极洲物体运动速度 Vm 为传感器惯性质量块的 运动速度。若 V(t)为惯性质量块相对外壳的运动速度，则其运动方程为
ii);传感器二阶幅频相频特性
第四章作业
2、什么叫横向效应？怎样减小横向效应的误差？
答：将直的金属丝绕成敏感栅之后；虽然长度相同，但应变状态不 同，应变片敏感栅的电阻变化较直的金属丝小，因此灵敏系数有所降 低，这种现象称为应变片的横向效应。 金属丝原长为： S nl r n 1 敏感栅总变形：
电源 CCD 固态传感器的工作原理见 266 页 CCD 原理， 工作过程见 268 页第二段。 2、说明集成智能传感器系统的集成工艺。 答：按制造工艺分，智能传感器可以分为：集成传感器、薄膜传感器、厚膜传感器、陶瓷传 感器。 集成传感器用于标准的生产硅基半导体集成电路的工艺技术制造， 通常还将用于初步处理被 测信号的部分电路也集成在同一芯片上。 薄膜传感器通过沉积在介质衬底上的相应敏感材料的薄膜形成的。 厚膜传感器是利用相应材料的浆料涂覆在陶瓷基片上制成的。 陶瓷传感器采用标准陶瓷工艺或某种变种工艺生产。 第十二章 习题