(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910285568.5(22)申请日 2019.04.10(71)申请人 德淮半导体有限公司地址 223302 江苏省淮安市淮阴区长江东路599号(72)发明人 李丰阳　黄仁德　方桂芹　(74)专利代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227代理人 吴敏(51)Int.Cl.H01L 21/66(2006.01)H01L 23/544(2006.01)

(54)发明名称电子束检测样品及检测方法(57)摘要一种电子束检测样品及检测方法，检测方法包括提供晶圆，所述晶圆表面形成有半导体器件；在所述半导体器件表面覆盖氧化层；电子束照射所述半导体器件，利用逸出的二次电子来反应被检测的所述半导体器件表面的形貌特征，在所述半导体器件表面形成所述氧化层，电子束照射时要通过所述氧化层之后再进入所述半导体结构表面，所述氧化层避免电子束能量直接照射到所述半导体器件内部，防止所述半导体器件内电流变大产生电弧击穿，

提高检测效率。

权利要求书1页 说明书4页 附图3页CN 109860070 A2019.06.07

CN 109860070

A1.一种电子束检测方法，其特征在于，包括：提供晶圆，所述晶圆表面形成有半导体器件；在所述半导体器件表面覆盖氧化层；电子束通过所述氧化层对所述半导体器件进行检测。2.如权利要求1所述电子束检测方法，其特征在于，所述氧化层的厚度为1nm-5nm。3.如权利要求1所述电子束检测方法，其特征在于，形成所述氧化层的方法为化学气相沉工艺积或扩散工艺。4.如权利要求3所述电子束检测方法，其特征在于，所述化学气相沉积工艺为常压化学气相沉积法或低压化学气相沉积法。5.如权利要求1所述电子束检测方法，其特征在于，所述氧化层的材料为氧化硅。6.如权利要求1所述电子束检测方法，其特征在于，电子束检测采用的能量为2KeV-2.5KeV。7.如权利要求1所述电子束检测方法，其特征在于，检测之后，还包括步骤：除去所述氧化层。8.如权利要求7所述电子束检测方法，其特征在于，除去所述氧化层的工艺为湿法去除工艺。9.如权利要求8所述电子束检测方法，其特征在于，所述湿法去除工艺包括：采用DHF熔液冲洗所述氧化层。10.一种电子束检测样品，其特征在于，包括：晶圆，所述晶圆表面具有半导体器件；氧化层，

覆盖在所述半导体器件表面。权　利　要　求　书1/1页

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