微电子器件与电路实验(集成)实验报告
姓名学号实验时间2019.5 实验操作实验报告教师签字
实验名称实验三集成MOSFET IV特性分析
实验设备(1)计算机 (2)操作系统：Centos
(3)软件平台：Cadence Virtuoso (4)工艺模型TSMC RF0.18um
实验目的1.掌握集成NMOS和PMOS在强反型、中反型、弱反型以及线性区的IV特性
2.对比长沟道器件和短沟道器件的沟道长度调制效应对IV特性的影响
3.强反型条件下，MOSFET电流随温度漂移特性
实验要求
1. 实验前按要求阅读器件说明文档，阅读实验操作文档，熟悉实验过程及操作步骤
2. 实验过程中按实验报告要求操作、仿真、记录数据(波形)
3. 实验结果经指导老师检查、验收，经允许后方可关机，离开实验室
3、实验后按要求处理数据和波形，回答问题。

实验报告打印后，于下次实验时间缴交。

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实验内容：
实验3.1 强反型条件下MOS IV特性曲线
实验3.2 中反型条件下MOS IV特性曲线
实验3.3 弱反型条件下MOS IV特性曲线
指定尺寸的NMOS和PMOS在指定偏置条件下，对VGS电压进行DC分析，使器件分别工作于强、中和弱反型区，测试MOSFET IDS电流随VGS变化曲线，并回答思考题。

实验3.4 线性区条件下MOS IV特性曲线
指定尺寸的NMOS和PMOS在指定偏置条件下工作于指定区间，对VGS电压进行DC分析，测试MOSFET IDS电流随VGS变化曲线，并回答思考题。

实验3.5 MOSFET沟道长度的影响
指定尺寸的NMOS和PMOS偏置在饱和区，对VDS进行DC分析，测试测试MOSFET IDS电流随VDS变化曲线，对比沟道长度调制效应对长沟道器件和短沟道器件的影响，并回答思考题。

实验3.6 强反型条件下温度对MOS IV特性影响
指定尺寸的NMOS和PMOS偏置在饱和区，对温度进行DC分析，分析温度对IDS的影响。

华侨大学信息科学与工程学院电子工程系。