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石墨烯在光电探测领域的研究进展_赵建红
(a)开路情况 (a)Open circuit case 图3 光伏效应原理图 Fig. 3
(b)短路情况 (b) Short circuit case The schematic of photovoltaic effect
(a)P-N 结内建电场图;(b)热载流子在材料界面扩散;(c)实验装置和器件结构;(d)双层(左)和单层(右)石墨烯费米能级图 (a) The built-in electric field picture at a PN junction; (b) Hot carrier diffusions at a material interface; (c) The experimental setup and device geometry; (d) Scheme of Fermi level of bilayer (left) and single layer (right) graphene 图4 光热电效应原理图 Fig.4 The schematic of photothermoelectric effect
摘要:石墨烯是一种具有零带隙、室温下极高的电子迁移率、极低的电阻率以及高的透光性等许多 独特性能的新型碳材料,关于石墨烯的相关研究引起了人们的广泛关注,其已成为凝聚态物理和材 料科学的研究前沿。简要介绍了石墨烯的能带结构和性质,重点讨论了石墨烯在光电探测领域的应 用及研究现状,指出了存在的不足并展望了未来的发展方向。 关键词:石墨烯;能带结构;迁移率;红外探测器 中图分类号:O471.5 文献标识码:A 文章编号:1001-8891(2014)08-0609-08
第 36 卷 第 8 期 2014 年 8 月
红 外 技 术 Infrared Technology
Vol.36 No.8 Aug. 2014
石墨烯在光电探测领域的研究进展
赵建红 1,宋立媛 2,姬荣斌 2,项金钟 1,唐利斌 2
(1.云南大学 物理科学技术学院,云南 昆明 650091;2.昆明物理研究所,云南 昆明 650223)
Research Progress of Graphene in the Field of Photoelectric Detection
ZHAO Jian-hong1,SONG Li-yuan2,JI Rong-bin2,XIANG Jin-zhong1,TANG Li-bin2
(1.Department of Physical Science and Technology, Yunnan University, Kunming 650091, China; 2.Kunming Institute of Physics, Kunming 650223, China)
如光伏效应、光热电效应、辐射热效应和光子牵引 效应,其中光伏效应和光热电效应是半导体光电探 测器中光电流产生的主要机理[22]。 光伏效应[23]如图 3 所示,当入射光能量高于半导体吸收层带隙并照 射在耗尽层时,光被吸收并产生电子-空穴对。在开 路情况下,光生载流子依靠内建电场分离,外电路 没有电流产生,而是产生一个开路电压 Vg(图 3(a) 所示) 。在短路情况下(图 3(b)所示) ,分离的载流 子很快到达两侧电极,从而在外电路产生光电流, 检测光电流的变化就可以达到探测光信号的目的。 很多研究[24-26]也表明光热电效应(PTE)在石墨烯 光电转换机理方面起着重要的作用。Gabor[27]等对 双栅电压控制的石墨烯 p-n 结器件做了光电测量, 指出热载流子在光响应中占据主导地位。其原理如
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红 外 技 术 Infrared Technology
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E F k
(2)
图1
石墨烯:基本结构单元
Fig. 1 Graphene: basic structure unit
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1.1
石墨烯的特殊性质
能带结构 石墨烯是六角形晶体结构的二维零带隙材料, 每个晶格内有 3 个键,连接十分牢固,垂直于分 子平面的键在石墨烯导电的过程中起着很重要的 作用[8]。单层石墨烯的能带结构可用紧束缚模型加 以描述, 该模型的能量 E 与波矢 k 用下式表示[9-10]:
式中:F 是石墨烯电子的费米速度; 是普朗克常 数; k 是电子波矢。 这种关系类似于介质中的声子, 因此,在狄拉克点附近,由于受到晶格对称周期势 场的作用,载流子的有效静质量为零。石墨烯电子 - 的费米速度(~106 ms 1)达到了光速的 1/300,已 经显示出相对论特性,那么 K 点附近的电子性质用 狄拉克方程进行描述,而不是用薛定谔方程描述[14]。 1.2 光学性质 石墨烯的透光率极高,单层石墨烯可以吸收 2.3%的垂直入射光,反射光不到 0.1%,即透过率 约为 97.7%[15],且吸收光的波长范围很广,覆盖 了可见和红外光,在 300~2500 nm 波段,吸收光 谱平坦[16]。另外,当光子能量达到一定条件时, 电子跃迁的速率大于能级间的弛豫速率,基态与 激发态之间的能级都被填满,同时价带也被空穴 填满,石墨烯对其的吸收会达到饱和,这种光学 行为称为饱和吸收[8]。利用这一性质,石墨烯可用 于超快速光子学,如光纤激光器等。 1.3 电学性质 单层石墨烯的载流子迁移率 [17] 达到 200000 - - cm2V 1s 1 ,碳纳米管的载流子迁移率 [18] 也只有 - - 100000 cm2V 1s 1,n 型 Si 的电子迁移率[19]仅为 - - 1400 cm2V 1s 1,不到石墨烯电子迁移率的 1/100。 石墨烯载流子迁移率主要受基体声子散射的影响, 几乎与温度无关,马里兰大学的研究人员[20]称,在 50 K 和 500 K 之间测量单层石墨烯的电子迁移率, 发 现 无 论 温 度 怎 么 变 化 , 其 值 大 约 都 是 15000 - - - cm2V 1s 1。石墨烯的电阻率[21]约为 10 6 cm,比 已知电阻率最小的银还小。是如今室温下导电性最 好的材料。
(a)石墨烯的三维能带结构 (a) The 3D band structure of graphene 图2 石墨烯的能带示意图 Fig.2
(b)石墨烯的能量-波矢色散关系 (b) E-k dispersion relationship of graphene The energy band diagram of graphene
2 E 0 4cos2 πk y a 4 cos πk y a cos πk x 3a (1)
式中: 0=2.8 eV 是最近邻跃迁能量; a 是晶格常数, 正、负号分别对应石墨烯能带的导带和价带,如图 2 所示[11-12]。第一布里渊区的 6 个顶点称为狄拉克 点,根据平移对称性,6 个点可以缩减为一对相互 独立的 K 和 K, 其导带和价带相交于费米能级且关 于狄拉克点对称。因此,在石墨烯中,电子和空穴 的性质相同。在狄拉克点附近区域,它的能量-波矢 色散关系是线性的,电子或空穴的有效质量为零[13], 其线性色散关系可以表示为:
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赵建红等: 石墨烯在光电探测领域的研究进展
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2.1
石墨烯光电探测器
光电探测器的原理 石墨烯光电探测器实现光电转换的原理有很多,
图 4 所示,图中 D(E)是态密度,电场方向定义为电 子运动的方向,G1 和 G2 分别表示单层和双层石墨 烯。电子被激发以后,从价带到导带跃迁,它们可 以在近似飞秒的时间尺度内很轻松地通过发射光子 回到费米能级。因为 D2(E)>D1(E),又由于 G1/G2 的温度梯度的因素,热的自由载流子趋于从单层向 双层扩散,对于电子(空穴)掺杂的石墨烯,就会 产生一个反向(正向)的电流。 此外,热辐射效应[28]是指:在极低温度下,电 阻与电子温度有关,那么电阻就可以当作电子体系 的温度计, 局部温度升高将会影响掺杂层的电导率。 光子牵引效应 [29] 指的是,在经典电磁波频率范围 (光子能量 h≪kT,即能量很小的光子)内,当能 带中的自由载流子吸收了光子时,这些载流子相应 地从光子那里获得了一定的微小动量,于是这些载 流子便会往背光面运动。
[4] [3] [2]
0
引言
在不断深入研究石墨烯的制备方法和性质的过程 中,其应用领域也在不断扩大。由于石墨烯缺乏带 隙以及在室温下的超高电子迁移率、 低于银铜的电 阻率、 高热导率[7]等, 在光电晶体管、 生化传感器、 电池电极材料和复合材料方面有着很高的应用价 值;由于它很低的电阻率和极大的载流子迁移率, 人们很快发现了石墨烯在光电探测领域的潜能, 并 且认为将会是很具发展前途的材料之一。 本文从石 墨烯的能带结构出发, 综述了石墨烯在光电探测领 域的研究现状, 并展望了石墨烯光电探测器未来的 发展方向。
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石墨烯光电探测器的发展情况 在对石墨烯和金属接触界面认识的基础上, Xia[23]等人利用机械剥离法制得的石墨烯做成了第 一个石墨烯光电探测器,如图 5(a)所示。图中,Rg 表示石墨烯电阻,Cp 和 Cg 分别表示板间电容和石 墨烯电容,暗红色条带表示微波探头。在有无光照 的情况下分别对其电学性能进行测试,得到图 5(b) 所示 I-V 曲线。结果表明,在光照条件下,外电路 电流发生了明显的变化,即使在无外加偏压的情况 下,也有光电流产生,说明此器件可以用于光信号 检测。图 5(c)所示为光响应与调制频率的关系,内 嵌图表示光响应率与栅偏压的关系。可以看出,在 40 GHz 的调制频率范围内,光响应无衰退现象(1 dB 左右的衰退是微波探头引入的误差) ,并认为该 石墨烯探测器的理论带宽可高于 500 GHz。从内嵌 图可知, 光响应率在 20 V 栅偏压最小, 之后随着栅 偏压的增加而增大,测试得到了 80 V 偏压下 0.5