氧化锆陶瓷
中除去二氧化硅,加入碱形成氢氧化锆, 煅烧得到高纯度的立方ZrO2。 • 烧结性能差,粒径大。
• 二、稳定化工艺:
• 原料与稳定剂混合球磨8—24h,加入PVA干压 成型,1450—1800度加热4—6h,在粉碎,细 磨。
• 氧化锆陶瓷,部分稳定,致密度大,微细结晶 构成。
• 微细粉体、低温烧结(1300—1500度)
尖端应力能诱发一部分d1<d<dc的颗粒产生t -m相变,并诱发出极细小的微裂纹。
•
3,残余应力增韧
• dc>d>dm的晶粒相变时,相变产生的积累变形小, 不足诱发显维裂纹,其周围存在残余压应力,导 致材料强度和韧性的提高。
第四节 氧化锆陶瓷体系
• 相变引起体积膨胀,超过ZrO2晶粒的弹性 限度,会导致陶瓷开裂。
• 第四章 氧化锆陶瓷
•
• 第一节 晶体结构
萤石结构 m-ZrO2:单斜晶系(<1170℃) t- ZrO2:四方晶系(1170~2300 ℃) c-ZrO2:立方晶系(2370~2715 ℃)
•四方相转变为单斜 相非常迅速且可逆, 引起很大7.7%的体 积变化,易使制品开 裂。
第二节 氧化锆性能与应用
• 部分稳定的ZrO2陶瓷在冷却过程中,存在相变, 在基体中产生分布均匀的微裂纹。当材料受力时, 主裂纹扩展过程中碰到原有微裂纹会分叉和改变 方向而吸收一部分能量,从而减缓和阻碍裂纹的 扩展。
• 微裂纹的产生: • 1)自发相变微裂纹,即d>dm的晶粒相变时,
相变产生的积累变形大,诱发显维裂纹。 • 2)应力诱发相变微裂纹,当承载时,裂纹
• 1,机理:
• 200—300度下,水和水汽会加速t—m相变。
• OH-比O2-离子迁移速度快,易在表面形成 Zr—OH和Y—OH键,产生应力集中,导致t相 失稳,最终导致发生t—m相变
• 2,改进方法
• 1)控制晶粒尺寸和稳定剂的含量。 • 晶粒尺寸小于临界尺寸,增加稳定剂的含量
(即增加c相) • 牺牲材料常温性能 • 2)加入高弹性模量的第二相,如Al2O3等 • 第二相弥散分布阻碍t相长大,阻碍老化。
• 引入添加剂,抑制相变,保留立方ZrO2相。
• 一、ZrO2—CaO系统
• 1977年Stubiacan和Ray提出,1983年Hellman和 Stubican修正
• CaO 17% 1140度
• 快速冷却可得到立方氧化锆陶瓷
• 二、MgO-ZrO2系统
• 1976年Grain • 1400度,14%
• 四方ZrO2相作为增韧相分散到其他陶瓷基体, ZTA。
• 一、硬度大,耐磨性好
• 冷成型工具、拉丝模 • 特点:光洁度高,尺寸均匀 • 喷嘴材料: • Al2O3的26倍 • 研磨介质 • 与Al2O3比较为0:15 • 球阀材料
• 二、强度高、韧性大
• 常温抗折强度 1.1GPa
• KIC 4.3(日本特殊陶业的“TTZ”陶瓷) • 切削工具、绝热柴油机的主要侯选材料,如发动
四、成型
• 注浆法:少量阿拉伯树胶(10%)和20 %水。
• 干压法:粉末+PVA • 热压法、冷等静压成型、热等静压成型
五、烧结
• 低温烧结、晶粒细小
• 升温速度2—5度/min • 升温过快: • 粉体中残余的Cl离子不能即时排除 • 低的热传导率造成热应力 • 影响烧结体的致密度
第六节 氧化锆陶瓷性能改良
机汽缸内衬、推杆、活塞帽、阀座、凸轮、轴承 等。
部分稳定氧化锆制品
增 韧 氧 化 锆 导 轮 芯 轴
部分稳定氧化锆喷涂层 氧化锆拉线轮
氧化锆油泵
氧化柱塞
氧化锆球阀
• 三、耐火度高
• 高级耐火材料,大于1800度 • 日本旭硝子公司,2450度
ZrO2陶瓷 耐火件
氧化钇稳定的氧化锆(YSZ)
189优9年点,由:N成ern本st发低明 易制备
• 3)改良稳定剂,如加入TiO2和CeO2 • 4)表面化处理:
• 表面N2化,形成氮离子稳定氧化层 • 表面抛光重结晶(900—1500度),形成稳
定的结晶层。(四方、立方)
• 二氧化锆粉末的粒径要比氧化铝小一个数量级,
• 三、微细粉体制备
• 1、共沉淀法 • 羟基氯化锆等水溶性锆盐与稳定剂盐水溶
液混合,加入氨等碱获得氢氧化物共沉淀, 800度煅烧。 • 2、水热法 • 锆盐和稳定剂盐水溶液在120—200度水热 环境下反应。 • 3、醇盐水解法 • 在有机溶液(异丙醇)锆和稳定剂醇盐加 水分解 • 4、喷雾热分解 • 锆和稳定剂混合盐从高温气氛中散成小液 滴,蒸发、过饱和而析出。 • 5、溶胶-凝胶法
裂纹尖端应力能诱发一部分颗粒产生t-m相 变。•源自d1<d<dc
• 3,诱发显维裂纹的临界直径dm • 当d>dc的晶粒室温下为m相。 • 由于相变的体积效应,产生显维裂纹。 • d>dm的晶粒相变时,相变产生的积累变形大,
诱发显维裂纹。
• dc>d>dm的晶粒相变时,相变产生的积累变形小, 不足诱发显维裂纹,当其周围存在残余应力。
• 一、热震性能差
• 改进方法: • 降低热膨胀系数,采用3价和5价离子掺杂,
消除空位 • 热退火工艺,使晶界玻璃相析出,改善陶瓷
的导热性能 • 引入微裂纹,释放热应力。如:CaO稳定
ZrO2。
• 二、低温老化
• 100—400度潮湿环境下长期使用,材料表面 向内部发生t—m相变,产生体积膨胀,引起 微裂纹和宏观裂纹,力学性能显著下降。
二、相变增韧机理
• 应力诱导相变增韧 • 相变诱发微裂纹增韧 • 残余应力增韧
• 1,应力诱导相变增韧
• 部分稳定的氧化锆陶瓷,四方相颗粒分布 于基体中。氧化锆中四方相向单斜相的转 变可通过应力诱发产生。当受到外力作用 时,这种相变将吸收能量而使裂纹尖端的 应力场松弛,增加裂纹扩展阻力,从而大 幅度提高陶瓷材料的韧性。
• 减少加入的氧化物数量,使部分氧化物以四方 相的形式存在。由于这种材料只使一部分氧化 锆稳定,所以称部分稳定氧化锆(PSZ)。亚稳 定四方相颗粒被立方相基体约束
• 不添加氧化物,纯氧化锆为全部四方相,称部 分四方氧化锆(TZP)。
• 一、相变增韧机理 • 1975年,Garvie等人提出相变增韧机理
第三节 增韧原理
• 在氧化锆中加入某些氧化物(如CaO、MgO、 Y2O3等)能形成稳定立方固溶体,不再发生相变, 具有这种结构的氧化锆称为完全稳定氧化锆(TSZ), 其力学性能低,抗热冲击性差。
m-ZrO2:单斜晶系(<1170℃) t- ZrO2:四方晶系(1170~2300 ℃) c-ZrO2:立方晶系(2370~2715 ℃)
• 氧化锆中四方相向单斜相的转变可通过应力诱发 产生。当受到外力作用时,这种相变将吸收能量 而使裂纹尖端的应力场松弛,增加裂纹扩展阻力, 从而大幅度提高陶瓷材料的韧性。
部分稳定氧化锆组织
• 一、尺寸效应
• 1,临界尺寸dc • d>dc的晶粒,室温下已经转变为m相, • d<dc的晶粒,室温下仍保留为t相 • 只有d<dc的晶粒,才可能产生韧化作用 • 2,诱发相变的临界粒径d1 • t相的稳定性随粒径的减小而增加。当承载时,
四、发热材料
1800度 电阻加热(氧化气氛) 2300度 感应加热
• 立方ZrO2是良好的绝缘体,室温电阻率1013—1014 欧姆厘 米。
• 温度升高,电阻率迅速下降,同时一些稳定剂可进一步降 低电阻率。
• 少量MgO,1100度时,电阻率为104,1700度时为6—7 • 13mol%CaO,1100度时,电阻率为13
• 在氧化锆中加入某些氧化物(如CaO、MgO、 Y2O3等)能形成稳定立方固溶体,不再发生相变, 具有这种结构的氧化锆称为完全稳定氧化锆 (TSZ) 。
• 立方ZrO2相基体弥散分布着四方相的双组织, PSZ。亚稳定四方相颗粒被立方相基体约束
• 不添加氧化物,纯氧化锆为全部四方相,称四方 氧化锆(TZP)。
• d>dc ZrO2晶粒在室温下已经转化为m相,d<dc 的晶粒室温下保留部分t相,才可能产生相变 增韧作用。
• t相数量对陶瓷韧性的提高有直接影响,全t相 的TZP材料是相变增韧效果最明显的材料。
• t相稳定性随晶粒直径减小而增大,因此,只 有d>d1的室温亚稳t相才会对相变韧化作出贡 献
2,微裂纹增韧
• 8%MgO • 部分稳定的ZrO2
• 三、ZrO2—Y2O3系统
• 四、ZrO2-CeO2系统
第五节 氧化锆陶瓷制备工艺
• 一、ZrO2原料制备
• 1、电熔法 • 锆 度砂 )( 加热ZrO氧2化SiO2)加入C在电弧炉中(1870 • 立方相和少量m相ZrO2 • 纯度低,SiO2、FeO2等杂质 • 2,湿法(提炼) • 锆砂与碳酸钠熔融,生成锆硅酸钠,在酸
1作93固5年体,燃S料ch电o高池ttk电稳y指解定出质Y性SZ可用 化学惰性
1S9O3F7C年,Ba电ur和导Pr率eis将低YSZ用于
1943年,Wagner认识到氧空位 的存在,解释了YSZ的导电机制
• 五、氧敏感元件
• 百万分之几到常量
• 测量气体中或熔融金属中氧的含量, 监控汽车的排气成分,保持燃料和空 气比在 最佳值。(检测、报警、监控)