材料常用制备方法
材料常用制备方法
一．晶体生长技术
1．熔体生长法【melt growth method】（将欲生长晶体的原料熔化，然后让熔体达到一定的过冷而形成单晶）
1.1 提拉法
特点：a. 可以在短时间内生长大而无错位晶体
b.生长速度快，单晶质量好
c.适合于大尺寸完美晶体的批量生产
1.2 坩埚下降法
特点：装有熔体的坩埚缓慢通过具有一定温度梯度的温场，开始时整个物料熔
融，当坩埚下降通过熔点时，熔体结
晶，随坩埚的移动，固液界面不断沿
坩埚平移，至熔体全部结晶。

1.3 区熔法
特点：a.狭窄的加热体在多晶原料棒上移动，在加热体所处区域，原料变成熔
体，该熔体在加热器移开后因温度下
降而形成单晶
c.外延层的表面形貌一般不如气相外延的好。

2. 溶液生长法【solution growth method】(使溶液达到过饱和的状态而结晶)
2.1 水溶液法
原理：通过控制合适的降温速度，使溶液处于亚稳态并维持适宜的过饱和度，从而结晶
2.2 水热法【Hydrothermal Method】
特点：a. 在高压釜中，通过对反应体系加
热加压（或自生蒸汽压），创造一个
相对高温高压的反应环境，使通常难
溶或不溶的物质溶解而达到过饱和、
进而析出晶体
b. 利用水热法在较低的温度下实现
单晶的生长，从而避免了晶体相变引
起的物理缺陷
2.3 高温溶液生长法（熔盐法）
特点：a.使用液态金属或熔融无机化合物作为溶剂
b.常用溶剂：
液态金属
液态Ga（溶解As）
Pb、Sn或Zn（溶解S、Ge、GaAs）
KF（溶解BaTiO3）
Na2B4O7（溶解Fe2O3）
c.典型温度在1000 C左右
d.利用这些无机溶剂有效地降低溶
质的熔点，能生长其他方法不易制备
的高熔点化合物，如钛酸钡BaTiO3二．气相沉积法
1. 物理气相沉积法(PVD)【Physical Vapor Deposition】
1.1 真空蒸镀【Evaporation Deposition】
特点：a.真空条件下通过加热蒸发某种物质使其沉积在固体表面；
b.常用镀膜技术之一；
c.用于电容器、光学薄膜、塑料等的镀膜；
d.具有较高的沉积速率，可镀制单质和不易热分解的化合物膜
分类：电阻加热法、电子轰击法
1.2 阴极溅射法（溅镀）【Sputtering Deposition】
原理：利用高能粒子轰击固体表面（靶材），
使得靶材表面的原子或原子团获得能量并逸出表面，然后在基片（工件）的表面沉积形成与靶材成分相同的薄膜。

分类：二极直流溅射【Bipolar Sputtering】高频溅镀【RF Sputtering】
磁控溅镀【magnetron sputtering】1.3 离子镀【ion plating】
特点：a.附着力好（溅镀的特点）
b.高沉积速率（蒸镀的特点）
c.绕射性
d.良好的耐磨性、耐磨擦性、耐腐蚀性
2. 化学气相沉积法（CVD）【Chemical Vapor Deposition】
按反应能源：
2.1 Thermal CVD
特点：a.利用热能引发化学反应
b.反应温度通常高达800~2000℃
c.加热方式
电阻加热器
高频感应
热辐射
热板加热器
2.2 Plasma-Enhanced CVD (PECVD)
优点：a.工件的温度较低，可消除应力；
b.同时其反应速率较高。

缺点：a.无法沉积高纯度的材料；
b.反应产生的气体不易脱附；
c.等离子体和生长的镀膜相互作用可能会影响生长速率。

2.3 Photo CVD
特点：a.利用光能使分子中的化学键断裂而发生化学反应，沉积出特定薄膜。

b.缺点是沉积速率慢，因而其应用受到限制
按气体压力：
2.1 常压化学气相沉积法（APCVD）【Atmospheric Pressure CVD】
特点：a.常压下进行沉积
b.扩散控制
c.沉淀速度快
d.易产生微粒
e.设备简单
2.2 低压化学气相沉积法（LPCVD）【Low
Pressure CVD】
特点：a.沉积压力低于100torr
b.表面反应控制
c.可以沉积出均匀的、步覆盖能力较佳的、质量较好的薄膜
d.沉淀速度较慢
e.需低压设备
三．溶胶-凝胶法【Sol-Gel Process】（通过凝胶前驱体的水解缩合制备金属氧化物材料的湿化学方法）
优点：a.易获得分子水平的均匀性；
b.容易实现分子水平上的均匀掺杂；
c.制备温度较低；
d.选择合适的条件可以制备各种新型材料。

缺点：a.原料价格比较昂贵；
b.通常整个溶胶－凝胶过程所需时间较长，常需要几天或儿几周。

c.凝胶中存在大量微孔，在干燥过程
中又将会逸出许多气体及有机物，并
产生收缩
四．液相沉淀法【liquid-phase precipitation】
（在原料溶液中添加适当的沉淀剂，从而形成沉淀物）
1. 直接沉淀法【Direct precipitation】
特点：a.操作简单易行，对设备技术要求不
高，不易引入杂质，产品纯度很高，
有良好的化学计量性，成本较低。

b.洗涤原溶液中的阴离子较难，得到的粒子粒径分布较宽，分散性较差
2. 共沉淀法【Coprecipitation】
特点：a.可避免引入对材料性能不利的有害杂质；
b.生成的粉末具有较高的化学均匀
性，粒度较细，颗粒尺寸分布较窄且
具有一定形貌；
c.设备简单，便于工业化生产
3. 均匀沉淀法【Homogeneous precipitation】
特点：a.沉淀剂由化学反应缓慢地生成
b.避免沉淀剂浓度不均匀
c.可获得粒子均匀、夹带少、纯度高的超细粒子
d.沉淀剂：
尿素——合成氧化物、碳酸盐
硫代乙酰胺——合成硫化物
硫代硫酸盐——合成硫化物五．固相反应【Solid phase reaction】分类：按反应物质状态分类:
a.纯固相反应
b.有气体参与的反应（气固相反应）
c.有液相参与的反应（液固相反应）
d.有气体和液体参与的三相反应（气液固相反应）
按反应机理分类:
a.扩散控制过程
b.化学反应速度控制过程
c.晶核成核速率控制过程
d.升华控制过程等等。

按反应性质分类:
a.氧化反应
b.还原反应
c.加成反应
d.置换反应
e.分解反应
特点：a.固态直接参与化学反应。

b.固态反应一般包括相界面上的反
应和物质迁移两个过程，反应物浓度
对反应的影响很小，均相反应动力学
不适用。

c.反应开始温度常远低于反应物的熔
点或系统低共熔温度。

这一温度与反
应物内部开始呈现明显扩散作用的
温度相一致，常称为泰曼温度或烧结
开始温度。

六．插层法和反插层法【Intercalation and deintercalation】
1.插层法（或植入法）——把一些新原子导入晶体材料的空位
2.反插层法（或提取法）——有选择性地从晶体材料中移去某些原子
特点：a.起始相与产物的三维结构具有高度相似性
b.产物相对于起始相其性质往往发生显著变化
七．自蔓延高温合成法（SHS）【Self-Propagating High-Temperature Synthesis】（利用反应
物之间的化学反应热的自加热和自传导作
用来合成材料的一种技术）
特点：a.生产工艺简单，反应迅速，生产过程时间短；
b.最大限度利用材料人工合成中的化学能，节约能源；
c.合成反应温度高，可以使大多数杂质挥发而得到高纯产品；
d.合成过程经历了极大的温度梯度，
生成物中可能出现缺陷集中和非平
衡相,使产品活性高,可获得复杂相和
亚稳相；
e.集材料合成和烧结于一体，可广泛应用于合成金属、陶瓷和复合材料。

八．非晶材料的制备【Preparation of Amorphous materials】
技术要点：必须形成原子或分子混乱排列的状态；
必须将这种热力学上的亚稳态
在一定的温度范围内保存下来，
使之不向晶态转变。

方法：液相骤冷法。