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文档之家› 采用640×512元量子阱红外光电探测器阵列的手持式长波红外摄像机
采用640×512元量子阱红外光电探测器阵列的手持式长波红外摄像机
元 取平 均值 来计 算 出多光谱 图像 中每个 像元 的 色度 的。同时,基 于 Mal t b的程 序 能够 实现 实 a 时 的加工处理和 图像 显示。 实现便携式装 置 虽然多光谱 成像 在很 多领 域有着 潜在 的应 用前景, 但是相 关设备过 于 昂贵且不便 携带。 此 外, 现有 的方法不是 需要多重 曝光, 是要在获 就 取 图像 后进 行大 量 的后 期处 理。在 美 国 国家卫 生研 究 院的资助 下,C T A研 究小 组 的相 关技 AE 术水平得 到了提高, 这就使便 携 式装置 的快速商 业化发 展 变为 可能。 这 种诊 断方 法 已经表 现 出可检 测到 皮肤 上 预 示患有 压迫 性溃 疡 的不可 见伤痕 或 红斑 的能 力。 对于行动能力和感知 能力 受 限的人们来说 , 压迫 性溃疡 是 一个值 得 深 切关 注 的问题 ,而且 它在深 色皮 肤 的人群 身上 比较难被 察 觉到 。
口Байду номын сангаас岳 桢 干
层) 。
图 1 本 文 中 的摄 像 机 以 3H 0 z帧 率拍 摄 的一 帧 图像
・以上各 层都 以分 子 束 外延 的方 法制备 在 半 绝缘 的 G A 衬底 上。顶部接触层上 生长 了一 as 层厚 30 0 A ̄ A0 Ga. s 刻 终 止 层 ,再 往 上 是 1. o A 蚀 3 7 厚 07 i 的 Ga s 帽 层 。利 用 光 刻 法 及 干 式 化 .g n A 盖
下:
・采用 湿 式化 学蚀 刻技 术 ,贯穿 多 量 子 阱 层,在 底 部 接触 层 中形 成 了一个 60 52元 的 4× 1 探 测器 阵列 ( 元 间距 为 2 ,像 元 尺 寸 为 像 5 2  ̄ 2 ̄ )。位 于这 些 探测 器 顶 部 的交 叉 光 3t 3 m mx t 栅 上覆 盖 了 A / e A u G 和 u,它们起 到 了欧姆接触 和 反射 的作 用。 ・通过蒸 发,在 (u G )A A / e u层 的顶部 形成 / 了铟 柱。它们 将探测 器 阵列与硅 基 C S集 成 MO 电路 ( 0 52 多路读 出) 6 ×1元 4 混成在 一起 。 除 了像 元 的尺 寸和 数 量 之外 ,上述 Q P WI 阵列 /多路 读 出电路与 以前摄 像机 所用 的阵列 和 电路几 乎是 一样 的。 作为 商用化 红外摄像机 主 体 的一部 分,该 摄像 机 的多路 读 出系 统 中包 含 了两个 后端视频信 号处 理 电路和 一块 锗透镜 ( 焦 距 为 lO m ,视 场为 5 。 ,这是 它与 以前摄像 Om .) 5 机 的 一个 重 要 差 异 。锗 透 镜 被 设 计 成 能 透 过 波 长 范 围为 7 m 1g 的辐 射 ( 与 Q P的额 1 4m x 这 WI 定工作 波长 8 是 一致 的) .m 5 。摄 像机 电路 的数 字采集 分辨率是 1b ,因此其 瞬时动态 范围是 4i t 134 68 。然而,量子 阱红外 光 电探 测器 的动 态范
口 岳 桢 干
学蚀 刻技 术 ,在盖 帽层 中制备 了一个 交 叉光 栅 结构 以便 把 光信 号耦合 到量 子 阱红外 光 电探 测
器 中。
采 用 6 0 5 2元 量 子 阱 红 外 光 电 4× 1 探 测 器 阵 列 的 手 持 式 长 波 红 外 摄 像 机
据 w w. c b i s O 网 站 报 道 ,美 国 w t h r f。 r e e Cn 宇航 局 喷 气 推 进 实 验 室用 60 52元 的 A 4x 1 l G l ̄ sG A a-A / a s量子 阱红 外光 电探测 器 ( WI ) Q P 阵列作为像传 感器, 制 了一种 截止波长为 9 m 研 的手持 式长波 红外摄 像 机。在 一个 旨在研 制 高 分 辨率、高灵敏度 红外摄 像机 的长期规划 中,这 种摄 像机 只是一个 中间阶段产 品。 该摄像 机在 设计及 制造 方 面 的主 要特 点如
围 为 8d 5 B。
・ 量子 阱红外光 电探 测器 属于束缚 态 一准束 缚态类型, 与其 它类型 的探测器相 比, 类探测 此 器 的暗 电流 中 的热 离子 成分较 少。 ・ 该摄 像机 中,量子 阱红外 光 电探测器 阵 在 列 的多量 子 阱 ( W) MQ 基本 结构 由大约 5 0个完 全相 同 的量 子 阱双 层 堆 积 而 成 。 一 个 双 层 都 包 每 含一层 4 A 的 G A ( 型掺杂, 杂 的浓度 约为 5厚 as n 掺 5 l1 CI 势阱层和一层 5o 厚 的A o a. s × 07 1。 /T ) oX l3 o A . G r 势垒层。 ・MQ 结 构 的顶 部 和 底 部 均 是 厚 度 为 W 0 的 GA . 5 a s接 触 层 ( 杂 情 况 类 似 于 势 阱 掺
IF A E M N HY / o .1 N .,A R2 1 N R R D( O T L )V L3 , o4 P 0 0
该摄 像机 已被 证 明可 以产 生 高质量 的视 频 图像 ( 图 1 。以前基于其 它类型探 测器 的红外 见 ) 摄 像机 只能分 辨大于 3 m 的温差,而这种摄像 0K 机 有 望呈 现更 高 的温度分 辨率 。根据 单个 像元 的测试数据,当采用 f ( / 焦距 ÷孔径 = ) 2 2 光学元 件 、工作 温度 为 6K 、背景 温度为 30 时,它 5 0K 的噪声等 效温差预 计 可达到 8 K 。在采用相 同 n i 的光 学元件 并在 背 景条件 相 同的情 况下 , 7K 2 的工 作温度 就 已使 探 测 器 阵列呈 现 出背景 限性 能。工作条件 ( 包括 帧率、积分 时 间和 Q P 的 wI 偏压) 的优化 将会使摄 像机达 到更好 的性能。