绝缘栅双极型晶体管一、 IGBT介绍IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。

IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。

非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

二、 IGBT的结构左边所示为一个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+区称为源区，附于其上的电极称为源极（即发射极E）。

P+区称为漏区。

器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极（即门极G）。

沟道在紧靠栅区边界形成。

在C、E两极之间的P型区（包括P+和P-区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（Subchannel region）。

而在漏区另一侧的P+区称为漏注入区（Drain injector），它是IGBT特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。

附于漏注入区上的电极称为漏极（即集电极C）。

IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP(原来为NPN)晶体管提供基极电流，使IGBT导通。

反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT关断。

IGBT 的驱动方法和MOSFET基本相同，只需控制输入极N-沟道MOSFET，所以具有高输入阻抗特性。

当MOSFET的沟道形成后，从P+基极注入到N-层的空穴（少子），对N-层进行电导调制，减小N-层的电阻，使IGBT在高电压时，也具有低的通态电压。

三、对于IGBT的测试IGBT模块的测试分为两大类:一类是静态参数测试，即在IGBT模块结温为25C时进行测试，此时IGBT工作在非开关状态；另一类是动态参数测试，即在IGBT模块结温为1时进行测试，此时IGBT工作在开关状态。

3.1、静态参数的测试1. 栅极一发射极阀值电压的测试在规定条件下，测量栅极—发射极阀值电压Vge(th)，测试电路原理图如图1所示电路说明和要求: Gl、G2:可调直流电压源; Vl、V2:直流电压表; A:直流电流表; DUT:被测量的IGBT(下同)。

测量程序:调解电压源G2至规定的集电极—发射极电压(15V);调节电压源Gl，从零开始逐渐增加栅极一发射极间的电压。

当电流表A显示出规定的集电极电流值时，电压表Vl的显示值即为被测器件的栅极一发射极阀值电压。

2. 集电极—发射极截止电流的测试在规定条件下，测量器件的栅极—发射极短路时集电极—发射极截止电流Ices，原理电路如图2所示电路要求和说明: G:可调直流电压源; V:高阻抗直流电压表; A:直流电流表; R:限流电阻器。

测量程序:调节电压源G，从零开始逐渐增加集电极—发射极间的电压到电压表V显示出规定的值(10V)，从电流表A读出集电极—发射极截止电流Ices。

3. 栅极—发射极漏电流的测试在规定条件下，测量器件在集电极—发射极短路条件下栅极—发射极漏电流Iges，原理图如图3所示。

图3电路说明和要求: G:可调直流电压表; Vl，V2:直流电压表; R:测量电阻器。

这时栅极一发射极漏电流为: Ices=V/R。

测量程序:调节电压源G，使栅极一发射极电压Vl到规定值(20V)。

从V2电压表读出V2，则栅极一发射极漏电流为V2/R。

4. 集电极一发射极饱和电压的测试在规定条件下，测量器件在集电极一发射极饱和电压Vce（sat）如图所示图4电路说明和要求: G1:可调直流电压表; G2:可调直流电压表; V1,V2:直流电压表; A:直流电流表; R:集电极负载电阻器; 测量程序:调节电压源Gl，使器件栅极一发射极间的电压达到规定值(15V)。

调节电流源G2，使器件集电极电流到规定值(12A)。

这时电压表V2读数即为所测得集电极-发射极饱和电压。

5.集电极—发射极通态压降Vce（on）测试即指在额定集电极电流Ic和额定G—E电压GEV下的集电极—发射极通态压降。

该参数是IGBT应用中的重要参数，其大小直接决定通态损耗的大小。

如图：6．续流二极管的正向压降Vfm测试即指IGBT模块中与IGBT芯片反并的续流二极管的正向压降。

该值与IGBT模块的关断特性紧密相关，若Vfm小，则IGBT关断速度快，关断损耗会减小，但是关断时IGBT上的过冲电压尖峰较高；反之，则会造成关断损耗增大。

原理图如下3.2、动态参数测试1．擎住电流LUT测试IGBT结构为pnpn 4层结构，如果条件合适，它能像晶闸管一样擎住，此时IGBT的负载为阻性负载。

通常情况下，集电极电压Vcc为额定电压的60%，擎住电流为额定电流的两倍。

LUT测试的时序图如图6所示。

通常测试系统的电流保护值Iprot设定为额定电流的3．5—4倍。

图62．能耗lossE测试对于电路设计者来说，开关过程中元件内部的能量损耗非常重要，籍此可计算出开关损耗的平均值。

进行此项测试时，IGBT 负载为感性负载。

总的开关损耗值由两部分组成：①开通损耗onE，其中包括与IGBT芯片反并续流二极管的反向恢复损耗；②关断损耗offE，包括电流拖尾部分的损耗。

IGBT开关损耗波形如图7所示。

图73. 反偏安全工作区(RBSOA)测试该项测试主要用于考核IGBT模块关断时工作在最大电流和电压下的工作能力。

此时，IGBT 的负载为感性负载，其测试原理图和参考波形如图8所示。

图84．短路测试该项测试是在一定的Vcc下检测IGBT模块直接对电源短路的有限时间，借此考核IGBT承受电流过冲的能力。

其测试原理图和参考波形如图9所示。

图9四、总结通过绝缘栅双极型晶体管的参数进行测试，让我更加了解IGBTIGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管，它融合了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用，在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。

若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通；若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOS 截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。

IGBT与MOSFET一样也是电压控制型器件，在它的栅极—发射极间施加十几V的直流电压，只有在uA级的漏电流流过，基本上不消耗功率。

单极型晶体管参数测试一、单极型晶体管介绍单极型晶体管也称为场效应管。

是电压控制型元件,输入阻抗高,热稳定性好,抗辐射能力较强,集成度较高。

它是一种只有多子参与导电,少子不参与导电的晶体管,所以称为单极型晶体管。

分为绝缘栅场效应管(MOS管)和结型场效应管(J-FET管).其中,MOS管还分为增强型和耗尽型两种。

二、参数及测试方法1）、输出特性曲线与转移特性曲线输出特性曲线（IDS－VDS）即漏极特性曲线，它与双极管的输出特性曲线相似，如图2-1所示。

在曲线中，工作区可分为三部分：I 是可调电阻区（或称非饱和区）；Ⅱ是饱和区；Ⅲ是击穿区。

转移特性曲线为IDS－VDS之间的关系曲线，它反映了场效应管栅极的控制能力。

由于结型场效应晶体管都属于耗尽型，且栅源之间相当于一个二极管，所以当栅压正偏（VGS ＞0）并大于0.5V时，转移特性曲线开始弯曲，如图2-2中正向区域虚线所示。

这是由于栅极正偏引起栅电流使输入电阻下降。

这时如果外电路无保护措施，易将被测管烧毁，而MOS 场效应管因其栅极有SiO2绝缘层，所以即使栅极正偏也不引起栅电流，曲线仍向上升见图2-2所示。

2）、跨导(gm)跨导是漏源电压一定时，栅压微分增量与由此而产生的漏电流微分增量之比，即跨导表征栅电压对漏电流的控制能力，是衡量场效应管放大作用的重要参数，类似于双极管的电流放大系数，测量方法也很相似。

跨导常以栅压变化1V时漏电流变化多少微安或毫安表示。

它的单位是西门子，用S表示，1S=1A/V。

或用欧姆的倒数“姆欧”表示，记作“欧姆分之一”。

3）、夹断电压VP和开启电压VT夹断电压VP是对耗尽型管而言，它表示在一定漏源电压VDS下，漏极电流减小到接近于零（或等于某一规定数值，如50μA）时的栅源电压。

开启电压VT是对增强型管而言。

它表示在一定漏源电压VDS下，开始有漏电流时对应的栅源电压值。

MOS管的夹断电压和开启电压又统称阈值电压。

4）、最大饱和电流（IDSS）当栅源电压VGS=0V、漏源电压VDS足够大时所对应的漏源饱和电流为最大饱和电流。

它反映场效应管零栅压时原始沟道的导电能力。

显然这一参数只对耗尽型管才有意义。

对于增强型管，由于VGS = 0时尚未开启，当然就不会有饱和电流了。

5）、源漏击穿电压（BVDS）当栅源电压VGS为一定值时，使漏电流IDS开始急剧增加的漏源电压值，用BVDS表示。

注意，当VGS不同时，BVDS亦不同，通常把VGS=0V时对应的漏源击穿电压记为BVDS。

6）、栅源击穿电压（BVGS）栅源击穿电压是栅源之间所能承受的最高电压。

结型场效应管的栅源击穿电压，实际上是单个pn结的击穿电压，因而测试方法与双极管BVEBO的测试方法相同。

三、总结通过本次的学习，让我对单极型器件有了更深入的理解，以下是单极型晶体管的作用和分类。

（1）作用：1、场效应管可应用于放大。

由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。

2、单极型晶体管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。

常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。

3、单极型晶体管可以用作可变电阻。

4、单极型晶体管可以方便地用作恒流源。

5、单极型晶体管可以用作电子开关。

（2）分类：单行管晶体管分类，单极型晶体管根据材料的不同可分为结型场效应管JFET (Junction Field Effect Transistor)(J-FET管)和绝缘栅型场效应管IGFET(Insulated Gate FET)(MOS管) 。

根据导电方式的不同其中，MOS管还分为增强型和耗尽型两种。

所谓增强型是指:当VGS=0时管子是呈截止状态,加上正确的VGS后,多数载流子被吸引到栅极,从而“增强”了该区域的载流子,形成导电沟道。

耗尽型则是指,当VGS=0时即形成沟道,加上正确的VGS时,能使多数载流子流出沟道,因而“耗尽”了载流子,使管子转向截止。