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八MOS场效应晶体管的基本特性
上海电子信息职业技术学院
半导体器件物理
第八章 MOS场效应晶体管的基本特性
MOSFET的四种类型
P沟增强型:栅压为零时,沟道不存在,加上一个 负的栅压才能形成P型沟道。
P沟耗尽型:栅压为零时,沟道已存在,加上一个 正的栅压可以使P型沟道消失。
N沟增强型:栅压为零时,沟道不存在,加上一个 正的栅压才能形成N型沟道。
第八章 MOS场效应晶体管的基本特性
MOSFET相比双极型晶体管的缺点
工艺洁净要求较高; 场效应管的速度比双极型晶体管的速度来得低。
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第八章 MOS场效应晶体管的基本特性
8.1 MOSFET的结构和分类
漏-源区,栅氧化层,金属栅电极等组成
Hale Waihona Puke 用N型半导体材料做衬底 用P型半导体材料做衬底
(3)功耗小:可用于制造高集成密度的半导体集成电路;
(4)温度稳定性好:因为它是多子器件,其电学参数不易 随温度而变化。
(5)抗辐射能力强:双极型晶体管受辐射后β下降,这是 由于非平衡少子寿命降低,而场效应晶体管的特性与载流子 寿命关系不大,因此抗辐射性能较好。
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N沟耗尽型:栅压为零时,沟道已存在,加上一个 负的栅压才能使N型沟道消失。
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第八章 MOS场效应晶体管的基本特性
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第八章 MOS场效应晶体管的基本特性
MOSFET相比双极型晶体管的优点
(1)输入阻抗高:双极型晶体管输入阻抗约为几千欧,而 场效应晶体管的输入阻抗可以达到109~1015欧;
(2)噪声系数小:因为MOSFET是依靠多数载流子输运电 流的,所以不存在双极型晶体管中的散粒噪声和配分噪声;
第二类:结型场效应管(JFET),它就是用P-N结势垒 电场来控制导电能力的一种体内场效应晶体管;
第三类:薄膜场效应晶体管(TFT),它的结构与原理 和绝缘栅场效应晶体管相似,其差别是所用的材料及工 艺不同,TFT采用真空蒸发工艺先后将半导体-绝缘体金属蒸发在绝缘衬底上而构成。
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练习
P127 17,18 P142 1,3,4
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第八章 MOS场效应晶体管的基本特性
MOSFET的特征
1.双边对称
在电学性质上源和漏是可以相互交换的。与双极型晶体 管相比,显然有很大不同,对于双极型晶体管,如果交换 发射极与集电极,晶体管的增益将明显下降。
由N型衬底制成的管子,其漏-源区是P型的, 称为P沟MOS场效应管; 由P型材料制成的管子,其漏-源区是N型的, 称为N沟MOS场效应管。
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P沟MOS管的工作原理
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q半 S 导2q体F 器件物理
第八章 MOS场效应晶体管的基本特性
在工作时,源与漏之间接电源电压。通常源极接地,漏极接 负电源。在栅极和源之间加一个负电压,它将使MOS结构中半导 体表面形成负电的表面势,从而使由于硅-二氧化硅界面正电荷 引起的半导体能带下弯的程度减小。当栅极负电压加到一定大小 时,表面能带会变成向上弯曲,半导体表面耗尽并逐步变成反型。 当栅极电压达到VT时,半导体表面发生强反型,这时P型沟道就 形成了。空穴能在漏-源电压VDS的作用下,在沟道中输运。VT 称为场效应管的开启电压。显然,P沟MOS管的VT是负值。由前 面的讨论可知,形成沟道的条件为
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第八章 MOS场效应晶体管的基本特性
第8章
MOS场效应晶体管的基本特性
8.1 MOSFET的结构和分类 8.2 MOSFET的特性曲线 8.3 MOSFET的阈值电压 8.4 MOSFET的伏安特性 8.5 MOSFET的频率特性 8.6 MOSFET的开关特性 8.7 阈值电压的控制和调整 8.8 习题
场效应晶体管(FET):利用改变垂直于导电沟 道的电场强度来控制沟道的导电能力而工作的。 在场效应晶体管中,工作电流是由半导体中的多 数载流子所输运的,因此也称为单极型晶体管。
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第八章 MOS场效应晶体管的基本特性
场效应晶体管的分类
第一类:表面场效应管,通常采取绝缘栅的形式,称为 绝缘栅场效应管(IGFET)。若用二氧化硅作为半导体 衬底与金属栅之间的绝缘层,即构成“金属-氧化物- 半导体”(MOS)场效应晶体管,它是绝缘栅场效应 管中最重要的一种;
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第八章 MOS场效应晶体管的基本特性
如果在同一N型衬底上同时制造P沟MOS管和N沟MOS管, (N沟MOS管制作在P阱内),这就构成CMOS 。
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q S 2q F
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第八章 MOS场效应晶体管的基本特性
表面强反型即沟道形成时,在表面处空穴
的浓度与体内电子的浓度相等。开启电压是表 征MOS场效应管性能的一个重要参数,以后内 容中还将做详细介绍。
另外,还可以指出,当栅极电压变化时,
沟道的导电能力会发生变化,从而引起通过漏 和源之间电流的变化,在负载电阻RL上产生电 压变化,这样就可以实现电压放大作用。
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● —— 本章重点
MOSFET的结构、种类和特点 MOSFET的直流特性和阈值电压调整 MOSFET的交流响应
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第八章 MOS场效应晶体管的基本特性
双极型晶体管和场效应晶体管的区别
双极型晶体管:由一个P-N结注入非平衡少数载流 子,并由另一个P-N结收集而工作的。在这类晶体 管中,参加导电的不仅有少数载流子,也有多数载 流子,故称为双极型晶体管。