主要成分是氧化硅、氧化铝、氧化钾、氧化钠、氧化钙、氧化镁、氧化铁、氧化钛等。

陶瓷原料一般硬度较高，但可塑性较差。

机械密封所用的主要的典型陶瓷为：氧化铝、碳化硅。

氧化铝陶瓷：是一种以氧化铝（AL2O3）为主体的材料。

有较好的传导性、机械强度和耐高温性。

需要注意的是需用超声波进行洗涤。

氧化铝陶瓷是一种用途广泛的陶瓷。

氧化铝陶瓷目前分为高纯型与普通型两种。

高纯型氧化铝陶瓷系Al2O3含量在99．9％以上的陶瓷材料，由于其烧结温度高达1650—1990℃，透射波长为1～6μm，一般制成熔融玻璃以取代铂坩埚：利用其透光性及可耐碱金属腐蚀性用作钠灯管；在电子工业中可用作集成电路基板与高频绝缘材料。

普通型氧化铝陶瓷系按Al2O3含量不同分为99瓷、95瓷、90瓷、85瓷等品种，有时Al2O3含量在80％或75％者也划为普通氧化铝陶瓷系列。

其中99氧化铝瓷材料用于制作高温坩埚、耐火炉管及特殊耐磨材料，如陶瓷轴承、陶瓷密封件及水阀片等；95氧化铝瓷主要用作耐腐蚀、耐磨部件；85瓷中由于常掺入部分滑石，提高了电性能与机械强度，可与钼、铌、钽等金属封接，有的用作电真空装置器件.
制作工艺：1）粉体制备将入厂的氧化铝粉按照不同的产品要求与不同成型工艺制备成粉体材料。

挤压成型或注射成型时，粉料中需引入粘结剂与可塑剂，一般为重量
比在10－30％的热塑性塑胶或树脂，有机粘结剂应与氧化铝粉体在150－200温度下均匀混合，以利于成型操作。

采用热压工艺成型的粉体原料则不需加入粘结剂。

若采用半自动或全自动干压成型，对粉体有特别的工艺要求，需要采用喷雾造粒法（引入聚乙烯醇作为粘结剂）对粉体进行处理、使其呈现圆球状，以利于提高粉体流动性便于成型中自动充填模壁。

此外，为减少粉料与模壁的摩擦，还需添加1～2％的润滑剂，如硬脂酸，及粘结剂PVA。

2）成型方法氧化铝陶瓷制品成型方法有干压、注浆、挤压、冷等静压、注射、流延、热压与热等静压成型等多种方法。

干压成型技术仅限于形状单纯且内壁厚度超过1ｍｍ，长度与直径之比不大于4∶1的物件，粉体颗粒均匀分布对模具充填非常重要，充填量准确与否对制造的氧化铝陶瓷零件尺寸精度控制影响很大，粉体颗粒以大于60μｍ、介于60～200目之间可获最大自由流动效果，取得最好压力成型效果；注浆成型是氧化铝陶瓷使用最早的成型方法。

由于采用石膏模、成本低且易于成型大尺寸、外形复杂的部件。

注浆成型的关键是氧化铝浆料的制备；3）烧结技术将颗粒状陶瓷坯体致密化并形成固体材料的技术方法叫烧结。

烧结即将坯体内颗粒间空洞排除，将少量气体及杂质有机物排除，使颗粒之间相互生长结合，形成新的物质的方法。

4）精加工与封装工序。

碳化硅陶瓷：
以碳化硅SiC为主要成分的陶瓷。

优点：SiC陶瓷不仅具有优良的常温力学性能，如高的抗弯强度、优良的抗氧化性、良好的耐腐蚀性、高的抗磨损以及低的摩擦系数，而且高温力学性能(强度、抗蠕变性等)是已知陶瓷材料中最佳的。

热压烧结、无压烧结、热等静压烧结的材料，其高温强度可一直维持到1600℃，是陶瓷材料中高温强度最好的材料。

抗氧化性也是所有非氧化物陶瓷中最好的。

抗氧化性强、耐磨性能好、硬度高、热稳定性好、高温强度大、热膨胀系数小、热导率大以及抗热震和耐化学腐蚀等优良特性。

缺点：断裂韧性较低，即脆性较大，为此近几年以SiC 陶瓷为基的复相陶瓷，如纤维(或晶须)补强、异相颗粒弥散强化、以及梯度功能材料相继出现，改善了单体材料的韧性和强度。

SiC的化学性质：SiC的化学稳定性与其氧化特性有密切关系。

SiC本身很容易氧化，但它氧化之后形成了一层SiO2薄膜，氧化进程逐步被阻碍。

在空气中，SiC于800℃时就开始氧化，但很缓慢；随着温度升高，则氧化速度急速加快。

它的氧化速率在氧气中比在空气中快1.6倍；氧化速率随着时间推移而减慢。

SiC的热学性质：SiC是在高温下合成的，其制品也多是
在高温下制备或者在高温下使用。

如果只作较粗略计算时，碳化硅的平均热膨胀系数在25~1400℃范围内可以取4.4×10-6/℃。

SiC的热膨胀系数测定结果表明：其量值与其他磨料及高温材料相比要小得多，如刚玉的热膨胀系数可高达(7~8)×10-6/℃。

SiC的导热系数很高，它的导热系数比其他耐火材料及磨料要大的多，约为刚玉导热系数的4倍。

所以，SiC所具有的低热膨胀系数和高导热系数，使其制品在加热及冷却过程中受到的热应力较小，这就是SiC陶瓷抗热震性特别好的原因。