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(B) 缓流电感Lk的选择 缓流电感Lk Lk的选择
由前述，Lk可减低开通损耗，但却产生关断电 由前述，Lk可减低开通损耗， 可减低开通损耗 压过冲Δ 故可按器件耐压来选择Lk Lk， 压过冲ΔU，故可按器件耐压来选择Lk，设关断前存 储在Lk中的磁能在VG关断时完全转化为Cs中电能， Lk中的磁能在VG关断时完全转化为Cs中电能 储在Lk中的磁能在VG关断时完全转化为Cs中电能， 则有
3.5.7 缓冲电路参数的选择
根据上述分析，对缓冲电路参数选择必须 根据上述分析， 注意以下几点： 注意以下几点： 1) 缓冲电路参数对电路开通和关断性能都 会产生影响，但效果相悖， Lk可使iL在开 可使iL 会产生影响，但效果相悖，如Lk可使iL在开 通中缓升，却在关断中产生Δ Cs可使 可使uce 通中缓升，却在关断中产生ΔU；Cs可使uce 在关断时缓升，却使ic ic在开通时叠加放电电 在关断时缓升，却使ic在开通时叠加放电电 流等， 流等，故选择参数应兼顾器件开通和关断两 方面。 方面。
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（A) 缓压电容Cs的选择 缓压电容Cs Cs的选择
设VG关断中ic无拖尾 VG关断中ic无拖尾 关断中ic 并按线性下降，其时间为tf tf， 并按线性下降，其时间为tf， Cs作用下uce缓升至Ud的 作用下uce缓升至Ud 在Cs作用下uce缓升至Ud的 时间为τ，显然τ值随Cs而变 时间为τ 显然τ值随Cs而变 Cs 并如左图所示( 并如左图所示(图中电量波形 对应于LK=Ls=0) LK=Ls=0)， 对应于LK=Ls=0)，记比值 /tf=Kc， Kc<1、Kc=1、 τ/tf=Kc，有Kc<1、Kc=1、 Kc>1三种情况 经分析， 三种情况， Kc>1三种情况，经分析， Kc与Cs间的关系可表示为： Kc与Cs间的关系可表示为： 间的关系可表示为
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2) 缓冲电路的参数计算
缓冲电路的加入可降低器件( 缓冲电路的加入可降低器件(含 IGBT和VDo)的开关损耗 的开关损耗， IGBT和VDo)的开关损耗，但由于缓冲 电路自身有损耗，若参数选择不当， 电路自身有损耗，若参数选择不当，可 能使电路总损耗比无缓冲时更大， 能使电路总损耗比无缓冲时更大，这自 然是不希望出现的事， 然是不希望出现的事，故参数选择时应 统筹器件和缓冲电路两方面。 统筹器件和缓冲电路两方面。
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缓压电容Cs 缓压电容Cs的选择 Cs的选择
由左图可见，尽管P1随 由左图可见，尽管P1随 P1 Kc的增大而减小 的增大而减小， P2却 Kc的增大而减小，但P2却 增大得更快， 增大得更快，因而出现 P3/Po>1的局面 的局面。 P3/Po>1的局面。也即当 Cs选值过高时 选值过高时， Cs选值过高时，开关电路 的损耗反而增大。 的损耗反而增大。为保 P3/Po<1， P3/Po<1，应选择 Kc(0.67~1.2)并根据所选 Kc(0.67~1.2)并根据所选 Kc值按上式(1-89)确定 值按上式(1 确定Cs Kc值按上式(1-89)确定Cs 值。
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上海理工示为： Kc与Cs间的关系可表示为： 间的关系可表示为
CS ( K C = 1) C SN CS KC = ( K C < 1) C SN 1 CS + 1 ( K C > 1) 2 C SN I 0t f 关断过程的电 式中 C SN = 流下降时间 2U d
上式表明：Kc与Cs的关系与自身的取值范围有关 上式表明：Kc与Cs的关系与自身的取值范围有关
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电流损耗与Kc 电流损耗与Kc的关系 Kc的关系
Po是无关断缓冲电 Po是无关断缓冲电 路时的开关电路关断损 P1是有关断缓冲电 耗，P1是有关断缓冲电 路时的器件关断损耗， 路时的器件关断损耗， P2是关断缓冲电路的损 P2是关断缓冲电路的损 P3是有关断缓冲电 耗，P3是有关断缓冲电 路时开关电路总关断损 耗。
1 2 1 I 0 LK = C S ∆ U 2 2 2
2
∆U LK = C S I0 ∆ U = U cem
U ces −Ud = −Ud KV
Kv为安全系数；Uces为 Kv为安全系数；Uces为IGBT 正向阻断电压额定值 为安全系数
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4τ S ≤ τ m
RS ≤
式中， IGBT最短导通时间 最短导通时间。 式中， S = RS CS ， τm是IGBT最短导通时间。 τ 由上式有： 由上式有： τm
4CS
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（C)限流电阻Rs的选择 C)限流电阻Rs的选择 限流电阻Rs
为抑制Cs在IGBT开通时放电电流幅值以减低 为抑制Cs在IGBT开通时放电电流幅值以减低 Cs 开通损耗，希望有较大的Rs Rs值 开通损耗，希望有较大的Rs值，但必须保证在 IGBT导通期中,Cs中电荷能沿Rs释放完毕 导通期中,Cs中电荷能沿Rs释放完毕。 IGBT导通期中,Cs中电荷能沿Rs释放完毕。为此 放电回路的时间常数应满足