第六章存储器和可编程器件
6.1 填空 1、按构成材料的不同，存储器可分为磁芯和半导体存储器两种。磁芯存储器利
用 正负剩磁 来存储数据；而半导体存储器利用 器件的开关状态 来存储数据。
两者相比，前者一般容量较 大 ；而后者具有速度 快 的特点。
2、半导体存储器按功能分有 ROM 和 RAM 两种。
3、ROM 主要由 地址译码器 和 存储矩阵 两部分组成。按照工作方式的不同
A A B B C i-1 C i-1
Si Ci
6.6 1、状态转换表
CP Qa Qb Qc Qd Qe 0 1 1000 1 1 1100 2 0 1100 3 0 1110 4 0 0110 5 0 0111 6 0 0011
17
71 81
0011 0001
91 10 1
1001 1000
Da QcQd Qe =0
进行分类，ROM 可分为 固定内容的 ROM 、 PROM 和 EPROM 三种。
4、某 EPROM 有 8 数据线，13 位地址线，则其存储容量为 213×8 。
5、PLA 一般由 与 ROM 、 或 ROM 和 反馈逻辑网络 三部分组成。
D0 A 0
6.2
D1 m(3,6,9,12,15)
QaQb 00 01 11 10
00
0
Qe =1 10 11 01 00
01
01
00
11 1
0
1
10
11
注：卡诺图中的空格为约束项。
所以， ABEL-HDL 程序 MODULE DDD
CLK,CD PIN; Qa，Qb，Qc，Qd，Qe PIN ISTYPE ； COUNT=[ Qa，Qb，Qc，Qd，Qe]； EQUATIONS COUNT.CLK=CLK; COUNT.AR=CD;
DD32
A1 A0 m(0,5,9,13)
6.3
真值表 A1 A0 B1 B0 D3 D2 D1 D0 00000000 00010000 00100000 00110000 01000000 01010001 01100010 01110011 10000000 10010010 10100100 10110110 11000000 11010011 11100110 11111001
16
地
m0
A1
址
A0
译
B1
码
B0
器
6.4 1。 2、
m15
D3 D2 D1 D0
FF12
Q1 Q0 Q2 Q1 Q2 Q1 Q0 Q2 Q1 Q0 Q2 Q1 Q0 Q2 Q1 Q0
F3 Q1 Q0
CP F1
F2
F3
6.5
S ABCi1 ABC i1 ABC i1 ABCi1
C ABC i1 ABC i1 ABC i1 ABCi1
Da Qc ; Db Qd ; Dc Qe ; Dd Qa ; De Qb ;
END
6.7
18
CP
UO
-0.625V
-1.25V
-1.875V
-2.5V
19Leabharlann