当前位置:
文档之家› 浆料成分对银导体浆料性能的影响
浆料成分对银导体浆料性能的影响
——重有色合金——特种铸造及有色合金 2008年第28卷第10期 浆料成分对银导体浆料性能的影响
江成军 张振忠 赵芳霞 段志伟王超 (南京工业大学材料科学与工程学院)
摘要试验以直流电弧等离子体法自制的超细银粉为原料,通过改变浆料各成分配比,结合金相显微镜、EDS等分析手
段,研究了各成分对最终烧成厚膜导体性能的影响。结果表明,浆料的粘度随固含量的增加而增大,试验推荐固含量为
的粒径对导体的焊接性能具有一定的影响。204.26
有影响,对于导电性能而言,不同粒径Ag粉与玻璃粉
nm的Ag粉的可焊性最好,这是因为Ag粉粒径细化 之间均存在最佳组合。对可焊性而言,粒径为102.92
后,表面活性增强,与焊料的润湿性能提高,容易与焊料
nm、204.26 nm的Ag粉具有良好的可焊性。
∞ ] 安少华,张振忠,路成杰,等.直流氢电弧等离子体蒸发法制备纳米 Cu粉[J].特种铸造及有色合金,2007,27(6):488—490.
(1)浆料的粘度与固含量呈正增长关系,固含量越 大,浆料中的固相率越高,试验推荐固含量为80%。
(2)在试验范围内,玻璃粉含量在2%,---6%范围内 提高,导体方阻呈现先减小后增大的趋势,玻璃粉含量 过低,Ag粉易在烧成的过程中发生轻微的团聚,玻璃
10
2.2 固相中各组分含量对导体浆料导电性能的影响
O
选择1.00弘m Ag粉作为试验原料,固含量为定值
20%,研究固相中玻璃粉和Ag粉含量变化对导体浆料
图3玻璃粉含量对导体方阻的影响
的影响。图3表示了玻璃粉含量在2%~6%范围内变
图4为玻璃粉含量在2%~6%范围内导体浆料烧
化(Ag含量对应于94%~98%)时,导体方阻(单位为 成后的表面形貌。可见,玻璃粉含量在3%(见图4b)与
163.corn
804
万方数据
一浆料成分对银导体浆料性能的影响 密度远大于有机载体的密度,当固含量提高时,浆料中
的固相率大大提高(见图2),固相间的距离变小,相互
江成军等
80 —70 ‘口∞
’
50
的摩擦阻力增大,宏观表现为浆料粘度的提高。试验过
曼40
程中略作调整,基本保证浆料粘度维持同一粘度。
囊z3。0
805
——特种铸造及有色合金 2008年第28卷第10期
对于任意粒径的Ag粉,玻璃粉的粒径不是越细越好; 最细的0.35弘m反而会因为在烧结过程中,由于玻璃 粉的粒度过细,容易导致Ag颗粒的偏聚,使得膜层的 方阻升高。同样Ag粉的粒径也并非越细越好,粉体越 细反而也会因为其自身的电阻提高、致密化过程中相互 接触点变少而影响烧结膜层整体的导电性能。而对于
1’试验部分
银导体浆料由银粉、玻璃料和有机载体组成。有机 载体主要调整导体浆料的工艺性能;银粉决定导电性 能;玻璃料决定附着强度,并具有性能调整的作用。首 先采用自行研制的高真空双枪直流电弧等离子体法设 备制备出所需的纳米银粉,所用材料质量分数(下同)为 99.99%的金属银,工作气体为纯度>99.99%的氩气和 纯度为99.7%的氢气,然后采用湿法球磨得到所需粒 径的玻璃粉。将超细银粉与玻璃粉按一定比例混合,在 玛瑙研钵中研磨混合,再加入一定量表面活性剂于酒精 中进行超声分散,之后烘干,得到分散均匀的固相粉体。
口 ] 段志伟,张振忠。江成军。等.直流电弧等离子体法制备超细Ag粉 研究[J].铸造技术,2007,28(1):23—26.
口 ] 杨华荣.大功率厚膜电阻浆料的研究[D].长沙:国防科学技术大 学,2004.
口 ] 张立德,牟季美.纳米材料与纳米结构[M].北京t科学出版社,
(a)1区
(b)2区
图5 图5d中选区位置的EDS能谱图
2.3 固相粒径对导体浆料性能的影响
固定浆料中固含量为80%,固相中玻璃粉含量为 3%,研究不同Ag粉粒径、不同玻璃粉粒径对导体浆料 性能的影响。选取Ag粉平均粒径分别为1.00肛m、 204.26 nm、102.92 nm、41.98 nm,玻璃粉粒径分别为 5.24、1.94、1.03和0.35/zm。试验发现,当Ag粉粒径 为41.98 nm时,850℃烧成后导体方阻很大,超出测试
示位置)的能谱分析,结果显示2点所示的空白区域Ag 含量较低,在此区域,Ag在烧成过程中未能很好的连
粒径过小,烧成后膜层收缩严重,致密性变差,方阻上 升。其他粒径Ag粉与不同粒径玻璃粉配合对导体方
接起来,因此其方阻也就明显大于其他玻璃粉含量的试
阻的影响见图6。可见,对于粒径为1.00/zm的Ag粉
样。以上分析结果可以得出,玻璃粉在4%~6%范围
内升高时,烧成后形成的厚膜导带中金属粉之间无法很
P
好的接触,导体方阻逐渐升高。当玻璃粉含量为2%
‘口
●
a
时,由于浆料中玻璃粉的含量过低,液相量不足,使烧结
3
、~
致密化的驱动力不足,固体粉粒不能被完全润湿从而影
蛊 投
响其致密性,导致导带的致密性降低,方阻也随之增大。
^g
水hi¥i 卜
一
能量/key
熊量/key
按照GB/T 17473—1998规定测试方法测试导体浆 料的粘度、导体膜层的方阻及可焊性,采用XJX-100型 金相显微镜以及JSM-5900型扫描电子显微镜进行膜 层的微观形貌分析,并结合EDS进行表面元素分析。
2试验结果与讨论
2.I 固含量对导体浆料粘度的影响
选择平均粒度为204.26 nm的Ag粉作为试验粉
然后将有机载体加入并搅拌均匀后,用三辊轧机轧制成 电子浆料,期间进行浆料粘度调节。然后将调制好的电 子浆料用相同的丝网印刷工艺印刷到96%的Alzoa基 片上。印刷好的试样在空气中放置5~10 min,待其流 平后在120,--,150℃恒温干燥箱中干燥10~20 rain,然 后在梯度炉中烧成,峰值温度为850℃,保温20 rain。
万方数据
图6 固相粒径对导体方阻的影响
和204.26 nm的Ag粉,随着玻璃粉粒径的增大,导体 方阻呈现先减小后增大的现象,方阻的最小值分别出现 在玻璃粉粉粒径为1.94肛m和1-03 pm处。而102.92 nm Ag粉方阻变化的趋势比较复杂,出现了先减小后 增大然后又减小的趋势。总结3种粒径Ag粉的规律 可以看出,在试验所测范围(除102.92 nm的Ag与 5.24肚m玻璃的组合外),均存在最佳组合。这可能是 由于Ag粉与玻璃粉的粒径处于一定组合时,在烧结过 程中,银粉和粘结剂以及基板之间实现了良好的匹配, 使得烧结膜层的连续性、一致性较好,方阻也随之下降。 图7表示了1.00 pm、204.26 nm、102.92 nm的Ag粉 分别与0.35、1.03、1.94和5.24 9m玻璃粉组合后烧 成导带的形貌,结合图6发现,处于最低方阻值的组合 是图7c、图7 f和图7 j,其导带的致密性均为同组最佳。
关键词超细银粉;厚膜导体浆料;性能
中图分类号TGl46.3+2
文献标志码A文章编号1001—2249(2008)i0—0804—03
DoI:10.3870/tzzz.2008.10.024
自20世纪70年代以来,厚膜导体浆料在电子工业 中的应用得到了迅速发展,它是厚膜混合集成电路中用 途最广、用量最大的一种浆料[1]。将这种浆料按照一定 形状经丝网印刷或涂敷于基板上,经烧结后成为具有良 好导电性的导电材料,其作用是固定分立的有源器件和 无源器件作为元件之间的互连线和厚膜电容上下电极 及外引的焊区等[2]。厚膜银导体浆料作为其中应用最 广泛的一种浆料得到了广泛的研究,然而其中仍有一些 问题未得到很好的解决[3“]。直流电弧等离子体法是 近年来发展较快的一种制备超细粉体的方法[5’6],由于 其蒸发温度高,可制备得到粒径分布窄、纯度高的粉体, 便于工业化生产等很多优点,得到了广泛的研究,然而 在对其制备出来的粉体的应用研究方面报道却很少。 本课题以直流电弧等离子体法自制的超细银粉为原料, 研究了浆料各成分含量、性能对浆料性能的影响规律, 以期为厚膜银导体浆料的生产应用及等离子体制备所 得粉体的应用起到一定的参考意义。
(k)102·92 nm,1·94灿(1)102·92 nm,5·24 tan
图7不同粒径固相粉体组合形成导带的形貌
浆料可焊接性能的测试结果。其中204.26 nm组可焊 荐玻璃粉最佳含量为3%。
性最佳,102.92 nm次之,1.00肛m最差,这说明Ag粉
(3)玻璃粉粒径与Ag粒径对导体浆料的性能均
形成一体,102.92 nm的Ag粉显示了同样优秀的可焊 性能,1.00 pm的Ag由于活性相比较差,可焊性能也 相对较差。同时,对比同组Ag粉不同粒径玻璃粉也发
参考文献 Ell TAYLOR E,FELTEN J,LARRY J.Progress in technology of
low—cost silver containing thick-film conductors[刀.IEEE Trans—
3∞
o 250
●
2∞ 蛊 < 1翮 倒 餐 100
500Βιβλιοθήκη 30 28噩咀20 18 16 14 64∞68 70 72 74 76 78 80 82 固含量^
图1 固含量时导体浆料粘
图2 固相率与固含量的关
度的影响
系
收稿日期:2008—05—11 基金项目:国家自然科学基金资助项目(10502025);江苏省高校自然科学基金资助项目(05KJBl300421) 第一作者简介:江成军,男,1983年出生,硕士研究生,南京工业大学材料科学与工程学院,南京(210009),电话:025—83587766,E—mail:jiang_cjun@
现,玻璃粉的粒径对导体的可焊性能也有影响。
actions on Components,Hybrids,and Manufacturing Technology,