(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910117332.0
(22)申请日 2019.02.15
(71)申请人 西安明科微电子材料有限公司
地址 710000 陕西省西安市航天基地东长
安街888号2号楼1层厂房南区
(72)发明人 刘昌涛　陈燕　
(74)专利代理机构 深圳市精英专利事务所
44242
代理人 王文伶
(51)Int.Cl.
H01L 21/48(2006.01)
H01L 23/498(2006.01)
(54)发明名称一种铝碳化硅封装基板及其制备方法(57)摘要本发明涉及封装基板技术领域，具体为一种铝碳化硅封装基板及其制备方法。

本发明先通过制备形成具有孔位的碳化硅陶瓷基板以及与孔位匹配的硅片，然后将硅片镶嵌于孔位中形成整体陶瓷基板并向整体陶瓷基板中渗铝形成具有铝碳化硅和铝硅两相材料的铝碳化硅基板，在孔位处的铝硅材料上可轻松实现机加工制作各种形状和尺寸的安装孔，不仅可制作丝孔，且丝孔不易滑牙，解决了铝碳化硅封装基板的安装孔难加工制作的问题，且通过该制作方法，孔位处的铝硅材料与铝碳化硅材料结合稳固，不易开裂和脱落，从而使在铝硅材料上制作的安装孔可靠性
高。

权利要求书2页 说明书7页 附图3页CN 110277318 A 2019.09.24
C N 110277318
A
权　利　要　求　书1/2页CN 110277318 A
1.一种铝碳化硅封装基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S10、分别制作具有孔位的碳化硅陶瓷基板及与碳化硅陶瓷基板上所述孔位匹配的硅片；
S20、将硅片镶嵌在碳化硅陶瓷基板的孔位并对它们进行渗铝处理，形成孔位处由铝硅材料填充的铝碳化硅基板；
S30、在铝硅材料上制作安装孔，形成铝碳化硅封装基板。

2.根据权利要求1所述的铝碳化硅封装基板的制备方法，其特征在于，步骤S10中，所述具有孔位的碳化硅陶瓷基板的制作步骤为：
S111、将粒径分别为0.5-1μm、20-25μm、50-60μm、80-90μm的四种碳化硅粉料混合均匀，得到粉料M1；
S112、向粉料M1中加入氧化铝、高岭土、苏州土并混合均匀，得到混合物M2；
S113、配制溶质的质量百分浓度为5-15％的溶液M5，所述溶质包括以下质量百分比的各组分：羟甲基丙基纤维素钠5-30％、聚乙烯醇50-80％、乳蜡1-10％；
S114、将溶液M5与混合物M2混合均匀，得到坯料M6；然后将坯料M6放入模具中并压制成型，得到坯体M7；
S115、对坯体M7进行烧结处理，得到陶瓷基体M10；所述烧结处理的排胶温度为200-500℃，烧结温度为1000-1500℃；
S116、对陶瓷基体M10进行机械加工钻孔，形成具有孔位的碳化硅陶瓷基板M12。

3.根据权利要求2所述的铝碳化硅封装基板的制备方法，其特征在于，所述粉料M1中，粒径分别为0.5-1μm、20-25μm、50-60μm、80-90μm的四种碳化硅粉料的质量百分比分别为10-30％、10-40％、20-40％、20-60％。

4.根据权利要求3所述的铝碳化硅封装基板的制备方法，其特征在于，所述混合物M2中，粉料M1、氧化铝、高岭土、苏州土的质量百分比分别为85-95％、0.1-1％、0.1-1％、3-15％。

5.根据权利要求1所述的铝碳化硅封装基板的制备方法，其特征在于，步骤S10中，所述硅片的制作步骤为：
S121、将粒径分别为4-6μm、20-25μm、50-60μm、80-90μm的四种硅粉混合均匀，得到粉料M3；
S112、向粉料M3中加入氧化铝、高岭土、苏州土并混合均匀，得到混合物M4；
S123、配制溶质的质量百分浓度为5-15％的溶液M5，所述溶质包括以下质量百分比的各组分：羟甲基丙基纤维素钠5-30％、聚乙烯醇50-80％、乳蜡1-10％；
S124、将溶液M5与混合物M4混合均匀，得到坯料M8；然后将坯料M8放入模具中并压制成型，得到坯体M9；
S125、对坯体M9进行烧结处理，得到陶瓷基体M11；所述烧结处理的排胶温度为200-500℃，烧结温度为800-1300℃；
S126、对陶瓷基体M11进行机械加工，形成与碳化硅陶瓷基板上所述孔位匹配的硅片M13。

6.根据权利要求5所述的铝碳化硅封装基板的制备方法，其特征在于，所述粉料M3中，粒径分别为4-6μm、20-25μm、50-60μm、80-90μm的四种硅粉的质量百分比分别为20-40％、
2。