第4章常用半导体器件-选择复习题
1．半导体的特性不包括。
A. 遗传性
B.光敏性
C.掺杂性
D. 热敏性
2．半导体中少数载流子在内电场作用下有规则的运动称为。
A.漂移运动
B. 扩散运动
C.有序运动
D.同步运动
3．N型半导体中的多数载流子是。
A.自由电子
B.电子
C.空穴
D.光子
4．P型半导体中的多数载流子是。
A.空穴
B.电子
C. 自由电子
D.光子
5．本征半导体中掺微量三价元素后成为半导体。
A.P型
B.N型
C.复合型
D.导电型
6．本征半导体中掺微量五价元素后成为半导体。
A. N型
B. P型
C.复合型
D.导电型
7．在PN结中由于浓度的差异，空穴和电子都要从浓度高的地方向浓度低的地方运动，这就是。
A.扩散运动
B.漂移运动
C.有序运动
D.同步运动
8．将一个PN结两端各加一条引线，再封装起来，就成为一只。
A.二极管
B. 三极管
C.电子管
D.晶闸管
9．当外电场与内电场方向相同时，阻挡层，电子不容易通过。
A.变厚
B.变薄
C. 消失
D.变为导流层
10．当外电场与内电场方向相反时，阻挡层，电子容易通过。
A.变薄
B. 变厚
C. 消失
D.变为导流层
11．PN结的基本特性是。
A.单向导电性
B. 半导性
C.电流放大性
D.绝缘性
12．晶体三极管内部结构可以分为三个区，以下那个区不属于三极管的结构。
A.截止区
B. 发射区
C.基区
D.集电区
13．稳压二极管一般要串进行工作，以限制过大的电流。
A 电阻 B电容 C电感 D电源
14．下图电路中，设硅二极管管的正向压降为0V，则Y= 。
A．0V B．3V C．10V D．1.5V
15．下图电路中，设硅二极管管的正向压降为0V，则Y= 。
A．0V B．3V C．10V D．1.5V
16．下图电路中，设硅二极管管的正向压降为0V，则Y= 。
A． 3V B．0 V C．10V D．1.5V
17．下图电路中，设硅二极管管的正向压降为0V，则Y= 。
A．0V B．3V C．10V D．1.5V
18．下图电路中，设硅二极管管的正向压降为0V，则Y= 。
A． 3V B．0V C．10V D．1.5V
19．下图电路中，设硅二极管管的正向压降为0V，则Y= 。
A．3 V B． 0V C．10V D．1.5V
20．三极管各极对公共端电位如图所示，则处于放大状态的硅三极管是 C 。
21．在单管固定偏置共射极放大电路中，若测得三极管的静态管压降U CE近似等于电源电压U CC，I C 近似等于零时，则该管的工作状态为。
A. 截止
B. 饱和
C.放大
D.不能确定
22．在单管固定偏置共射极放大电路中，若测得三极管的静态管压降U CE近似等于0，I C近似等于U CC/R C，则该管的工作状态为。
A.饱和
B.截止
C.放大
D.不能确定
23．在如图所示的稳压电路中，稳压管D1与D2相同，其稳压值U Z=5.3V、正向压降0.7V，输出电压U0为。
A. 6V
B. 4.6V
C. 5.3V
D. 1.4V
24．在如图所示的稳压电路中，稳压管D1与D2相同，其稳压值U Z=5.3V、正向压降0.7V，输出电压U0为。
A. 10.6V
B. 1.4V
C. 5.3V
D. 0V
25．在如图所示的稳压电路中，稳压管D1与D2相同，其稳压值U Z=5.3V、正向压降0.7V，输出电压U0为。
A. 1.4V
B. 4.6V
C. 5.3V
D. 6V
26．在如图所示的稳压电路中，稳压管D1与D2相同，其稳压值U Z=5.3V、正向压降0.7V，输出电压U0为。
A. 0.7V
B. 4.6V
C. 1.4V
D. 6V
27．在如图所示的稳压电路中，稳压管D1与D2相同，其稳压值U Z=5.3V、正向压降0.7V，输出电压U0为。
A. 5.3V
B. 4.6V
C. 1.4 V
D. 6V
28．二极管的用途不包括。
A. 放大
B.钳位
C.保护
D.整流
29．工作在放大状态的NPN三极管，其发射结电压U BE和集电结电压U BC应为。
A. U BE>0，U BC<0
B. U BE>0，U BC>0
C. U BE<0，U BC<0
D. U BE<0，U BC>0
30．在如图所示的二极管电路中，二极管Ｄ1导通；Ｄ2截止。
设二极管正向压降为0V，则ＵAB为_______V。
Ａ. ０Ｂ.12 Ｃ. 15 D.27
31．晶体三极管工作在截止区的特点是_______。
Ａ.发射结和集电结均反偏Ｂ. 发射结和集电结均正偏
Ｃ.集电结正偏,发射结反偏Ｄ.集电结反偏,发射结正偏
32．晶体三极管工作在饱和区的特点是_______。
Ａ.发射结和集电结均正偏Ｂ.发射结和集电结均反偏
Ｃ.集电结正偏,发射结反偏Ｄ.集电结反偏,发射结正偏
33．晶体三极管工作在放大区的特点是_______。
Ａ.集电结反偏,发射结正偏Ｂ.发射结和集电结均反偏
Ｃ.集电结正偏,发射结反偏Ｄ.发射结和集电结均正偏34．适宜在低频电路工作的二极管是________。
Ａ. 面接触二极管Ｂ. 点接触二极管Ｃ.随便哪种均可35．适合在高频电路工作的二极管是________。
Ａ.点触型二极管Ｂ.面触型二极管Ｃ.随便哪种均可
36．稳压管的正常工作区域就是它的反向击穿区，在这个区域里电流幅度变化很大，而电压变化
______。
Ａ.很小Ｂ.很大Ｃ.不会变Ｄ.不定37．某放大器中晶体三极管三个极的电位分别是：2V，1.8V，9V。
则可以判断此三极管为 ________。
Ａ..锗NPN管Ｂ锗PNP管Ｃ.硅PNP管Ｄ.硅NPN管38．某放大器中晶体三极管三个极的电位分别是：2V，1.3V，5V。
则可以判断此三极管为：______。
Ａ. 硅NPN管Ｂ.锗NPN管Ｃ.硅PNP管Ｄ. 锗PNP管39．某放大器中晶体三极管三个极的电位分别是：-2V，-1.8V，-5V。
则可以判断此三极管为：______。
Ａ.锗PNP管Ｂ.锗NPN管Ｃ.硅PNP管Ｄ.硅NPN管40．某放大器中晶体三极管三个极的电位分别是：-2V，-1.3V，-5V。
则可以判断此三极管为：______。
Ａ.硅PNP管Ｂ.锗NPN管Ｃ. 锗PNP管Ｄ.硅NPN管
41．适宜在低频工作的二极管是________。
A.面接触二极管
B.点接触二极管
C.随便哪种均可
42．适合在高频工作的二极管是________。
A.点触型二极管
B.面触型二极管
C.随便哪种均可
43．在图示电路中，U Z1=2V，U Z2=5V，正向导通时U D＝0.7V，其输出电压为________V。
A. 7
B. 2.7
C. 5.7
D. 3.7
44．在图示电路中，U Z1=2V，U Z2=5V，正向导通时U D＝0.7V，其输出电压为________V。
A. 5.7
B. 7
C. 2.7
D. 3.7
45．在图示电路中，U Z1=2V，U Z2=5V，正向导通时U D＝0.7V，其输出电压为________V。
A. 2.7
B. 7
C. 5.7
D. 3.7
46．稳压管的正常工作区域就是它的反向击穿区，在这个区域里电流幅度变化很大，而电压变化______。
A.很小
B. 很大
C.不会变
D.不定
47．电路如图所示，二极管正向导通时U D＝0.7V，输出的电压应为：________V。
A.0.7
B. 4.7
C. 3.3
D. 12
48．图示电路中，稳压管的稳压值为U Z1=2V，U Z2=5V，稳压管正向导通时U D＝0.7V，则输出电压U0为________。
A. 2
B. 7
C. 5
D. 0.7
49．图示电路中，稳压管的稳压值为U Z1=2V，U Z2=5V，稳压管正向导通时U D＝0.7V，则输出电压U0为________。
A. 0.7
B. 7
C. 5
D. 2
50．图示电路中，稳压管的稳压值为U Z1=2V，U Z2=5V，稳压管正向导通时U D＝0.7V，则输出电压U0为________。
A. 0.7
B. 7
C. 5
D. 2
51．图示电路中，稳压管的稳压值为U Z1=2V，U Z2=5V，稳压管正向导通时U D＝0.7V，则输出电压U0为________。
A. 1.4
B.2.7
C. 5.7
D. 7。