《半导体物理学》参考书：《半导体物理学》刘恩科1 近十年来考过的名词解释：这些概念都是在复试或者初试被考过的，因此非常重要，不但要理解，还要能够很好地表达出来，可以自己试着说一说简并与非简并半岛体非平衡载流子的寿命热载流子二维电子气重空穴与轻空穴迁移率直接禁带与间接禁带半导体俄歇复合扩散电容复合截面费米能级与准费米能级扩散长度霍耳效应调制掺杂布里渊区本征激发陷阱效应半导体发光欧姆接触半导体超晶格能带齐纳击穿空穴状态密度禁带宽度多能谷散射少子寿命本征吸收Pn结回旋共振钠离子对mos结构的c-v效应压阻效应有效质量散射势垒电容雪崩击穿磁阻效应共有化运动单电子近似施主/ 受主能级冻析效应禁带变窄效应p-n结隧道效应半岛体的缺陷同型/反型异质结Pn结光生伏特效应原理本征半导体替位式杂质和间隙杂质表面复合速度表面势直接复合/间接复合半导体主要散射机构半岛体中的深能级杂质受主杂质/施主杂质空间电荷区接触电势差异质结As掺入si中属于什么类型杂质形成什么类型半导体Pn二极管与肖势垒二极管的异同第一章：半导体中的电子状态1 本章重点看前5节，后三节只需要掌握轻/重空穴的概念，闪锌矿的结构，砷化镓的能带结构，什么是间接带隙半导体的概念2 本章重点掌握能带理论3 本章可能考的知识点1 单电子近似2 什么是共有化运动3 什么是有效质量？为什么要引入有效质量的概念？空穴的意义？（重点）有效质量是指在半经典的理论模型下,粒子在晶体中运动时具有的等效质量.4 表述能带理论能带理论是一种解释金属内部结构的一种理论在固体金属内部构成其晶格结点上的粒子，是金属原子或正离子，由于金属原子的价电子的电离能较低，受外界环境的影响(包括热效应等)，价电子可脱离原子，且不固定在某一离子附近，而可在晶格中自由运动，常称它们为自由电子。

正是这些自由电子将金属原子及离子联系在一起，形成了金属整体。

这种作用力称为金属键。

当然固体金属也可视为等径圆球的金属原子(离子)紧密堆积成晶体。

这时原子的配位数可高达8至12。

金属中为数不多的价电子不足以形成如此多的共价键。

这些价电子只能为整个金属晶格所共有。

所以金属键不同于离子键；也不同于共享电子局限在两个原子间的那种共价键(定域键)。

广义地说，金属键属于离域键，即共享电子分布在多个原子间的一种键，但它是一种特殊的离域键，既无方向性，也无饱和性。

为阐明金属键的特性，化学家们在MO理论的基础上，提出了能带理论。

现仅以金属Li为例定性讨论。

Li原子核外电子为1s22s1。

两个Li互相靠近形成Li2分子。

按照MO理论，Li 分子应有四个MO。

其中(σ1s)2与(σ1s*)2的能量低，紧靠在Li是空着的(LUMO)。

参与成键的Li原子越多，由于晶格结点上不同距离的Li核对它们的价电子有不同程度的作用力，导致电子能级发生分裂，而且能级差也越来越小，能级越来越密，最终形成一个几乎是连成一片的且具有一定的上、下限的能级，这就是能带。

对于N个Li原子的体系，由于1s与2s之间能量差异较大，便出现了两条互不重叠或交盖的能带。

这种具有未被占满的MO的能带由于电子很容易从占有MO 激发进入空的MO，故而使Li呈现良好的导电性能。

此种能带称为导带。

在满带与导带之间不再存在任何能级，是电子禁止区，称为禁带。

电子不易从满带逾越此空隙区进入导带。

显然，原子在形成简单分子时，便形成了分立的分子轨道，当原子形成晶体时，便形成了分立的能带。

不同的金属，由于构成它的原子有不同的价轨道和不同的原子间距，能带(空带)部分叠合，构成了一个未满的导带，因而容易导电，呈现金属性。

由此看来，只要存在着未充满的导带(不管它本身是未充满的能带，还是由于空带—满带相互交盖而形成的未充满的能带)在外电场作用下便会形成电子定向流动，从而使材料呈导电性。

当升温时，晶格上的原子(离子)振动加剧，电子运动受阻，导电能力降低。

离域的电子的运动又可传递热端的振动能使金属具有良传热性。

共享电子的“胶合”作用，使金属在受外力作用晶体正离子滑移时不致断裂，呈现良好延展性和可塑性。

这与离子型晶体的脆性与易碎裂成为鲜明的对比。

此外，金属中的离域电子容易吸收并重新发射很宽波长范围的光，使它不透明并具有金属光泽。

固体材料中全空的导带称为空带。

当满带与空带之间的禁带宽达5～7eV时，电子难以借热运动等跃过禁带进入空带，因此是绝缘体，如金刚石的禁带宽达5.3eV。

但当禁带宽度在1eV(1.602×10-19J或96.48kJ·mol-1)上下，便属于半导体材料。

典型的半导体Si禁带为1.12eV；Ge为0.67eV。

研究固体中电子运动规律的一种近似理论。

固体由原子组成，原子又包括原子实和最外层电子，它们均处于不断的运动状态。

为使问题简化，首先假定固体中的原子实固定不动，并按一定规律作周期性排列，然后进一步认为每个电子都是在固定的原子实周期势场及其他电子的平均势场中运动，这就把整个问题简化成单电子问题。

能带理论就属这种单电子近似理论，它首先由F.布洛赫和L.-N.布里渊在解决金属的导电性问题时提出。

具体的计算方法有自由电子近似法、紧束缚近似法、正交化平面波法和原胞法等。

前两种方法以量子力学的微扰理论作为基础，只分别适用于原子实对电子的束缚很弱和很强的两种极端情形；后两种方法则适用于较一般的情形，应用较广。

孤立原子的能带孤立原子的外层电子可能取的能量状态（能级）完全相同，但当原子彼此靠近时，外层电子就不再仅受原来所属原子的作用，还要受到其他原子的作用，这使电子的能量发生微小变化。

原子结合成晶体时，原子最外层的价电子受束缚最弱，它同时受到原来所属原子和其他原子的共同作用，已很难区分究竟属于哪个原子，实际上是被晶体中所有原子所共有，称为共有化。

原子间距减小时，孤立原子的每个能级将演化成由密集能级组成的准连续能带。

共有化程度越高的电子，其相应能带也越宽。

孤立原子的每个能级都有一个能带与之相应，所有这些能带称为允许带。

相邻两允许带间的空隙代表晶体所不能占有的能量状态，称为禁带。

若晶体由N个原子（或原胞）组成，则每个能带包括N个能级，其中每个能级可被两个自旋相反的电子所占有，故每个能带最多可容纳2N个电子（见泡利不相容原理）。

价电子所填充的能带称为价带。

比价带中所有量子态均被电子占满，则称为满带。

满带中的电子不能参与宏观导电过程。

无任何电子占据的能带称为空带。

未被电子占满的能带称为未满带。

例如一价金属有一个价电子，N个原子构成晶体时，价带中的2N个量子态只有一半被占据，另一半空着。

未满带中的电子能参与导电过程，故称为导带。

固体的能带固体的导电性能由其能带结构决定。

对一价金属，价带是未满带，故能导电。

对二价金属，价带是满带，但禁带宽度为零，价带与较高的空带相交叠，满带中的电子能占据空带，因而也能导电，绝缘体和半导体的能带结构相似，价带为满带，价带与空带间存在禁带。

半导体的禁带宽度从0.1～1.5电子伏，绝缘体的禁带宽度从1.5～1.0电子伏。

在任何温度下，由于热运动，满带中的电子总会有一些具有足够的能量激发到空带中，使之成为导带。

由于绝缘体的禁带宽度较大，常温下从满带激发到空带的电子数微不足道，宏观上表现为导电性能差。

半导体的禁带宽度较小，满带中的电子只需较小能量就能激发到空带中，宏观上表现为有较大的电导率（见半导体）。

能带理论在阐明电子在晶格中的运动规律、固体的导电机构、合金的某些性质和金属的结合能等方面取得了重大成就，但它毕竟是一种近似理论，存在一定的局限性。

例如某些晶体的导电性不能用能带理论解释，即电子共有化模型和单电子近似不适用于这些晶体。

多电子理论建立后，单电子能带论的结果常作为多电子理论的起点，在解决现代复杂问题时，两种理论是相辅相成的。

5 会用能带理论解释导体，半导体，绝缘体导电的成因6 记住k空间的平均速度和加速度的表达式和意义7理解回旋共振测有效质量的原理，会用回旋共振解释硅的导带结构（重点）第二章半导体中的杂质和缺陷能级本章不是重点，只需要掌握以下概念（只需要看第一节，第二节只需要掌握一个概念——等电子陷阱）1 缺陷的种类和形成原因（重点）2 施主能级受主能级3间隙式杂质替味式杂质4 杂质电离5 非三五族杂质在硅，褚中产生的能级有什么特点第三章半导体中载流子的统计分布（重点）1 全都要看，但是不需要掌握推导过程2 本章的重点在于理解载流子分布的原因以及杂质半导体的五个分区3 本章可能考的问题1 热平衡载流子2 什么是倒格子空间（见固体物理）3 什么是费米能级，费米能级的意义（标志了电子填充能级的水平）4 能量的分布，能量分布受哪些因素影响（特别是温度）5 解释导带禁带中电子和空穴的分布6 什么是本征半导体，本征激发7 为什么半导体器件都有温度限制8 温度对于杂质半导体中费米能级的影响(一条曲线，五个分区)，掺杂的杂质浓度对于费米能级的影响（重点）9 什么是简并半导体，简并化的条件，简并半导体的效应（冻析效应，禁带变窄效应）第三章半导体的导电性1 本章全都要看2 本章的重点在于迁移率的影响因素3 可能问到的问题1迁移率的概念以及迁移率和电导率的关系2 为什么电子的迁移率要大于空穴的迁移率3 半导体有哪几种散射机制4 自由载流子的概念5 迁移率与杂质浓度和温度的关系（重点，经常问）6 电阻率和杂质浓度的关系，电阻率随温度的变化（重点，多次问过）7 波尔兹曼统计和费米统计的区别8 什么是驰豫时间9 强电场下欧姆定律发生偏离的原因，热载流子的概念（韩郑生老师多次问过）10 什么是多能谷散射第五章非平衡载流子1 本章不用看的部分：无2 本章重点在于什么是准费米能级和有哪几种复合方式(问过)3 可能问的知识点1 为什么非平衡载流子可以起到重要的作用2 什么是非平衡载流子的复合3 解释概念：非平衡载流子的寿命，非平衡载流子的复合率4 为什么要引入准费米能级的概念5 非平衡载流子是怎样复合的？复合过程中放出能量有哪些方法？非平衡载流子有哪几种复合方式？什么是直接复合，间接复合，表面复合，俄歇复合？（重点）6 电子陷阱和空穴陷阱，为什么杂质能级与平衡时费米能级重合时，最有利于陷阱效应？第六章pn结（重点）1 本章全都要看，都是重点(最重点的是pn结的电流电压特性，多次考过)2 可能考的知识点1 pn结的空间电荷区2 6.2节的第一部分有关电流电压特性的部分要很熟练，能够熟练地叙述出来3 影响pn结电流电压特性有哪些因素？4 pn结电容的来源，什么是势垒电容？什么是扩散电容？（重点，多次问过）5 pn结击穿有哪几种机制？简述雪崩击穿和齐纳击穿的原理（重点，多次问过）6 pn结的隧道效应（熟练叙述，去年问我的就是这个问题）第七章金属和半导体的接触1本章重点在于肖势垒二极管的原理2 可能考的问题1 什么是接触电势差？2 表面态对接触势垒有什么影响？3肖势垒二极管的原理（重点，一室经常问）4 什么是欧姆接触（重点）第八章半导体表面和mis结构（重点）1 本章是重点，都要看2 本章的重点在于表面电场效应（多子堆积，多子耗尽，反型）（重点，结合mos管的原理，经常问到）3 本章可能考的问题1 表面态和表面能级2 表面势和空间电荷区内电荷随电压变化的情况（三种）（重点，要熟练叙述）3 二维电子气4 快界面态5 什么是表面电导？表面电导与迁移率有什么关系？6 场感应结, 叙述表面电场下pn结的能带图从第九章到最后不是这本书的重点只需要看以下几节9.1 9.3 9.4 10.4 10.5 11.5 12.1 12.2 12.3 12.7这几节的相关概念。