X-FAB 公布首款 0.35 微米 100V 高压纯晶圆代工厂技术
X-FAB Silicon Foundries，业界领先的模拟/混合信号晶圆厂及超越摩
尔定律技术的专家，今天公布了业界首款 100V 高压 0.35 微米晶圆厂工艺。它
能用于电池管理,提供新类型的可靠及高性能电池监控与保护系统。它也非常适
合用于功率管理设备，以及用于使用压电驱动器的超声波成像和喷墨打印机的
喷头。此外，X-FAB 加入了新兴改良式 N 类与 P 类双扩散金属氧化物半导体
(DMOS)晶体管，对于达到 100V 的多运作电压，导通电阻可降低 45%，晶片的
占位能够降低 40%，从而降低了晶粒的成本。X-FAB 将于 7 月 27 日至 28 日向
全球提供一次免费的网络讲座,探讨这些新功能，网络讲座的议题是将业界首款
0.35 微米 100V 纯晶圆代工厂工艺应用于高压装置 。
X-FAB 首席技术官 Jens Kosch 说：随著可再生能源越来越流行，混合动
力与电动车、光电池与风力涡轮机等都需要安全高效的能源存储管理方案。當
客户使用 X-FAB 最新的专业高压工艺時,便能够应对这些问题,以及用较低的成
本应对其他一些潜力巨大的新兴设备。例如我们发现锂电池的功率管理解决方
案很受关注，全球的主要汽车制造商都表现出浓厚兴趣。通过 X-FAB 的最新
HV 工艺，他们就能实现更安全、更高性能的电池监控与保护系统。
各功能的平均成本更低
X-FAB 最新改良型 N 类与 P 类 DMOS 晶体管门氧化物厚度为 14 纳米或
40 纳米，客户根据其设备的要求有 5V 或 12V 驱动能力可选，操作电压为
55V、75V 和 100V。通过大幅降低导通电阻，将 EEPROM 功能集成到基线工
艺，进行修整和程序存储，并使用一个厚金属层作为第三个金属层，X-FAB 已
经大大降低了各功能的平均成本。此外，新加入的独立 5V NMOS 与 PMOS 设
备能够操作于 0V 至 100V 之间的电压。其他设备改良包括肖特基(Schottky)二