3. 与非门的逻辑功能要求：（p113）
按与非门真值表逐项验证即可。 4. 动态测试TTL与非门逻辑功能（p115）
SW1
&L
SW2
(1) SW1接1kHz正方波，SW2接+5V电压时，画出L的波 形。
(2) SW1接1kHz正方波，SW2接地时，画出L的波形。
YANGTZE NORMAL UNIVERSITY
实验十 多位LED显示器的动态扫描驱动电路
2
YANGTZE NORMAL UNIVERSITY
数字电路实验
主讲：李金田
YANGTZE NORMAL UNIVERSITY
实验一 与非门测试
一、实验目的
熟悉数字万用表和数字电路实验箱的使用方法。 学会使用TTL、CMOS逻辑电路芯片。 掌握TTL、CMOS与非门主要参数的测试方法。 掌握TTL、CMOS与非门电压传输特性的测试方法。
5、CMOS与非门的主要参数
(1)输出高电平VOH
输出高电平VOH是指在规定的电源电压(例如5V)下，输 出端开路时的输出高电平．通常VOH≈VDD。
(2)输出低电平VOL
输出低电平VOＬ是指在规定的电源电压(例如5V)下，输 出端开路时的输出低电平．通常VOＬ≈０。
YANGTZE NORMAL UNIVERSITY
加深理解用SSI(小规模集成电路）构成的组合逻 辑电路的分析与设计方法
二、预习要求
１、按设计步骤，根据所给器件设计实验内容１、２的 逻辑电路图，并设计相应的表格。
２、弄懂P118图5.16.3的工作原理与设计思想。 ３、在附录Ｃ查出74LS00和74LS10的外引线排列图。
YANGTZE NORMAL UNIVERSITY
Байду номын сангаас
100Ω
RP
mA 1KΩ
+ V
Vo≤0.4V
-
为合格
图1.4
YANGTZE NORMAL UNIVERSITY
2 .测量TTL与非门的电压传输特性
在示波器上用X-Y显示方式观察曲线，并用坐标
纸描绘出特性曲线，在曲线上标出VOH、VOL、VON、
VOFF，计算VNH、VNL。如图1.5 所示。
正三角波 500Hz 4V
电平VDD或低电平VSS。
六、思考题 YANGTZE NORMAL UNIVERSITY
1、TTL与非门和CMOS与非门有何异同点？ 2、如何将与非门作为非门使用？ 3、TTL或非门（或门）不用的输入端应如何
处理？
YANGTZE NORMAL UNIVERSITY
实验二 SSI组合逻辑电路
一、实验目的
YANGTZE NORMAL UNIVERSITY
数字电路实验
1
YANGTZE NORMAL UNIVERSITY
目录
实验一 与非门测试
实验二 SSI组合逻辑电路
实验三 MSI组合逻辑电路 实验五 计数译码显示电路
实验四 触发器 实验六 555集成定时器及应用
实验七 数－模转换器
实验八 电子秒表
实验九 智力竞赛抢答的设计
&
Y
CH2
示
5.1k
波
器
CH1
如图1.5
YANGTZE NORMAL UNIVERSITY
测试要点：
1、首先：观察Vi、VO波形 （直流耦合方式）。 2、 示波器作为“X/Y”显 示方式。 3、找到电压传输特性的坐 标原点。 4、画出特性曲线并标上 出所有参数。
如何找“X、Y”轴坐标原点？
YANGTZE NORMAL UNIVERSITY
CMOS与非门的电压传输特性曲线测试方法与TTL 与非门的 电压传输特性曲线测试方法基本一样．只是将不用的输入端接 到电源＋VDD上即可，不得悬空。测试电路如图5.15.8所示。
YANGTZE NORMAL UNIVERSITY
从特性曲线上可知，CMOS与非门输出的高电接近电源电 压VDD，输出低电平接近０V。VT为CMOS与非门的转换电 压，也称阈值电压，即当输入电压vi超过VT时，输出为低电 平；当输入电压vi低于VT时，输出为高电平．如果的参数完 全对称，阈值电压VT≈VDD/2
YANGTZE NORMAL UNIVERSITY
三、实验内容与要求
1、测量TTL与非门的主要参数
（1）输出高电平VOH测试（图1.1）
（2）输出低电平VOL测试（图1.2）
+VCC （+5V）
& 5V
RL 500
VOL
图1.2
+VCC （+5V）
&
VOH
RL 5.1k
图1.1
YANGTZE NORMAL UNIVERSITY
将其中任一输入端接地，其余输入端接高电平时测VOH；输 入端全部接高电平时测VOＬ。如图1.6所示。
CMOS VSS
+ V VO
-
图1.6
YANGTZE NORMAL UNIVERSITY
6、CMOS与非门的电压传输特性
CMOS与非门的电压传输特性是指与非门输出电压vo随输 入电压vi而变化的曲线。这个特性曲线很接近理想的电压传输 特性，是目前其它任何逻辑电路都比不上的，电压传输特性曲 线如图Ｐ1145.15.7所示。
YANGTZE NORMAL UNIVERSITY
四、实验报告要求（P115） 五、实验注意事项
1、 TTL与非门不用的输入端不能接低电平。 2、 TTL与非门的输出端不能直接接+5V或地，也不能与其它
输出端并联。 3、CMOS门的电源电压为3～18V， 4、CMOS与非门不用的输入端不能悬空，应按逻辑功能接高
YANGTZE NORMAL UNIVERSITY
二、预习要求
1.复习示波器的使用方法。
2.写出TTL、CMOS与非门主要参数（VOH、VOH、IIS、 N、电压传输特性）的定义和意义。
3. 熟悉各测试电路，了解测试原理及测试方法。 4.熟悉TTL与非门74LS00、CMOS与非门CC4011的
外引线排列。 5.自拟实验步骤和测试数据表格。
三、实验内容
1. 设计“大小比较电路”
• 设计一个能判断1位二进制数A与B大小比较电路 。
– 写出设计过程，画出逻辑电路图请老师检查。
•TTL与非门的电源电压只能是+5V •TTL与非门多余输入端处理：接+5V、并联 、悬空。 （3）输入短路IIS测试（图1.3）
空 载
VOH VOL
带载 带载 (5.1K) (510)
IIS
mA
图1.3
YANGTZE NORMAL UNIVERSITY
（4）扇出系数N的测试（图1.4）
N＝IOL/IIS>8为合格