主要公司有SEIKO EPSON CORP（精工爱普生），MURATA MFG CO LTD（村田制作所），TOYO

COMMUNICAYION EQUIP CO，KYOCERA CORP（京瓷）国内主要有

村田 JP7254835-A：在X切112°Y方向的钽酸锂基片上电极厚度为波长的2-5%时器件具有好的温度特性。（1995）

精工爱普生JP9275326-A：晶体的光轴在右手直角坐标系中，晶体的光轴垂直于Z轴，电轴平行于X轴，机械轴平行于Y轴。插指电极在晶体的（100）面上的两个反射栅之间。激发的声波绕着X轴转16°30′的漏表面传播。反射栅与插指电极之间的距离与指条间的距离一样。当电极电导最大时激发的中心频率在反射栅的反射带宽之中。汇流条的宽度是插指宽度的十倍。漏波的速度在插指电极，汇流条和自由表面区域达到一定的值时。可以限制波的能量损失并且获得较好的频率温度特性。（1998）

日本电气EP0678973B1：在接收电路中设置另外的谐振器，通过接收电路的设计去除温度的影响。而不要成本高昂的微处理器。（2001）

村田EP682408A1：通过设计器件的输入和输出电极间的距离大于插指电极最外圈距离的3.5倍。可以减小器件的频率温度系数。实例中实现了从7ppm/℃提高3.35ppm/℃。（1995）

村田EP734120A1：在Y切X方向传播的36°钽酸锂基片上电极厚度为波长的2.6%-4.8%，氧化硅厚度为波长的22%-38%时且氧化硅覆盖住pad和反射栅时具有±10%ppm/℃的频率温度系数。（1996）

村田EP2288025A1：电极用两层金属，上面一层是比较耐腐蚀的金属或者合金。然后用一层与电极总厚度相等的绝缘层填在插指之间。最后用一层绝缘层覆盖住整个器件上。金属可以是Al，Au，Ag， Cu， W，Ta，Pt，N，或者 Mo。绝缘层可以是氧化硅。金属电极的密度必须要是第一层绝缘层的1.5倍以上。（2011）

SPTS Technologies EP 2871259A1：使用脉冲直流反应磁控溅射在Kr气和氧气的混合气体中沉积氧化硅有利于得到密度大于2.35g/cm³的氧化硅材料。有利于得到更好的温度补偿特性。（2014）

村田JP02096405 A：在温度补偿电路中使用与声表面波器件中相同的薄膜材料得到相同的温度电阻变化，从而去除温度对电阻变化的影响得到更好的温度补偿特性。（1990）

精工爱普生 JP2000188521 A：设计谐振器各个插指电极和反射栅之间的距离使得当辐射电导最大时的频率大于反射系数最大时的频率。有利于得到较好的温度特性。（2000）

MARUYASU INDUSTRIES JP2001153782 A：电路中采用温度传感器和存储器，微处理器来测量，计算补偿声表面波器件的温度漂移。（2001）

精工爱普生 JP2001185988 A：通过控制一种压电材料和顺电材料（铌酸钾）的的固溶体压电薄膜材料的相变温度来得到较好的温度特性和高的机电耦合系数。（1999）

村田JP2003198323 A:在欧拉角为 (0°±3°, 110° to132°, 0°±3°)的钽酸锂基片上Al电极厚度为漏声表面波长的0.04-0.12时，用厚度为波长的0.15-0.4的氧化硅盖住插指换能器能得到温度频率特性比较好，机电耦合系数比较大，阻尼常数比较小的器件。（2003）

精工爱普生 JP2003204260 A：通过比较温度补偿震荡回路的相位和电压控制声表面波器件的相位来控制电压从而在一个宽的温度范围内得到稳定的频率。（2003）

精工爱普生 JP2003224448 A：在氧化锌多层膜器件中，氧化硅介电层在氧化锌与基片之间。当氧化锌厚度与波矢的乘积在0.1-1之间且氧化硅厚度与波矢乘积在0.12-0.45之间时能得到较好的频率温度系数。（2003）

村田 JP2003324334 A：在专利所示的声表面波器件中，插指电极的汇流条上设置沿着汇流条长度方向的突起。通过这个突起和倒装芯片工艺封装到一个线膨胀系数比压电基片小的外壳上来减小器件的温度系数。（2003）

村田 JP2004228901 A：在欧拉角为(0±2°, 90°-160°, 0±2°)的钽酸锂基片上，用Pt做电极厚度为波长的0.005-0.054时，氧化硅沉积在插指电极上厚度为波长的0.1-0.4时。具有小的传播损耗，大的机电耦合系数和小的传播损耗。（2004）

村田 JP2004228901 A：在插指电极的指条上沉积氧化硅而不沉积在指条之间可以使器件具有小的温度系数同时具有小的插入损耗。（2004）

村田 JP2004266631 A：压电基片通过6个固定点固定到封装盒上。六个固定点的中间两个具有比两端的4个具有更高的热膨胀系数。这样能够使器件得到更小的温度频率系数。（2004）

村田 JP2004266632 A：压电基片的下表面复合了一层有机物膜，这层有机物膜具有比压电基片更大的热膨胀系数。压电基片通过位于压电基片中间的两个固定点固定到封装盒上。这样能使器件得到更小的温度频率系数。（2004）

精工爱普生 JP2004312198 A：在基片上有接地层，接地层上面是压电层，压电层上由插指电极。然后再在上面沉积两层温度补偿层。与插指电极接触的温度补偿层可以减小器件的频率温度系数，最上面一层温度补偿层又比下面一层温度补偿层温度特性更小。（2004）

村田 JP2005039867 A：在压电基片上沉积插指电极，电极材料为密度大于Al的金属。然后进行频率调节再进行氧化硅的沉积。进行温度补偿。这样得到的氧化硅层具有大的机电耦合系数且氧化硅不容易开裂.(2005)

精工爱普生 JP2005086233 A：在压电单晶基片上沉积插指电极和温度补偿层。调节插指间的距离P和晶体的切角，插指电极的厚度宽度。或者它们的组合能得到更好的温度特性。

精工爱普生 JP2005176357 A：用外围电路的设计来补偿温度系数的变化。（2005）

精工爱普生 JP2005184340 A：在压电基片上，反射栅的材料为比插指电极密度更大的金属材料能够得到较好的温度系数。和小的尺寸。（2005）

村田 JP2005244359 A：在压电基片上沉积了插指电极，在插指部分沉积了一层氧化硅，在pad部分又沉积了一部分金属。后面沉积的金属区域的边缘离指条顶端的边缘距离为波长的1.05到2.6倍。这种办法可以减小电极电阻同时减小温度频率特性。（2005）

村田 JP2005311230 A：一种隔热导热的封装方法，两个器件都包裹在树脂中与高导热的载体相接触。热量从一个原件的导热载体流出而很少会通过辐射影响到另外一个原件。（2005）

村田 JP2005348139 A:在压电基片上做好插指电极后沉积一层氧化硅材料。当氧化硅材料表面的截面形状和插指电极材料的截面相似时可以提高插指的反射系数同时减小频率温度特性。（2005）

精工爱普生 JP2006005434 A：在压电基片上制作插指电极然后再上面盖上绝缘层。然后在变形的过程中用激光照射又插指的区域可以改变器件的频率温度特性。（2006）

精工爱普生 JP2006060531 A：在器件中设置两个声表面波谐振器，两个器件频率不同。通过一系列的比较和反馈控制得到温度特性比较好的震荡频率。（2006）

精工爱普生 JP2006067079 A：在器件中得到设置三个声表面波器件用第一个和第二个的频率差转换得到的电压控制第三个声表面波器件可以得到比较好的声表面波器件。（2006）

精工爱普生 JP2006074096 A：把两个声表器件背靠背封装而温度补偿电路在两个器件的中间区域。这样既可以补偿温度变化又可以节省面积。（2006）

村田 JP2006121743 A：在Y切X方向传播的钽酸锂基片上。以铝做电极或者以铝为主的合金做电极。沉积氧化硅在插指电极上时当氧化硅的厚度和基片的切向在某个设定的范围内时可以同时减小器件的插入损耗好温度系数。（2006）

村田 JP2006166466 A：在Y切X方向传播的钽酸锂基片上。至少一个插指电极是有铝或者铝为主的合金制作的。当氧化硅覆盖住插指电极和一个反射栅时。且氧化硅的厚度和基片的切角是在一定方向时。反射栅在基片的边缘时可以减小器件的频率温度特性和抑制插入损耗的恶化。（2006）

精工爱普生 JP2006237750 A：在欧拉角为 (0, θ , ψ )的单晶基片上声表面横波传播方向在晶体X轴的90°±10°且θ在126°到150°之间氧化硅的厚度为波长的0.02-0.4之间仅覆盖住反射栅的时候器件有比较好的温度特性。（2006）

精工爱普生 JP 2006238211 A：在硅基片上生长一层金刚石然后在上面生长氧化锌。然后制作插指电极和氧化硅温度补偿层。然后再氧化硅上溅射一层金颗粒。这样可以精确控制器件的频率和稳定性。得到较好的温度系数。（2006）

精工爱普生 JP2006279798 A：介绍了一种温度补偿振荡器。（2006）

精工爱普生 JP2006333334 A：在光刻板上做几种方向略有不同的图形，在需要不同的温度片频率系数时选用不同的图形。（2006）

村田2006339466 A：当一个温度系数比较大的原件和一个发热原件要封装到一起时。可以把两者在厚度方向叠起来且中间设置一层空腔。这样可以减少发热原件对温度系数的影响。（2006）

精工爱普生 JP2006339786 A:为了保证同一个晶圆上的器件温度系数相同，在制作光刻板时就把不同部位的器件的指条宽度和指条间距宽度设置成不同的间距。（2006）

精工爱普生 JP2007053670 A:在界面波器件中当插指两侧的压电基片的切向为( ψ , θ, Ψ )和

( ψ , θ +180°, Ψ )器件有较好的温度特性。（2007）

精工爱普生 JP2007067787 A：通过控制电压可以得到较好的温度特性。（2007）

村田 JP2007104723 A：在25-55°Y切X方向传播的的钽酸锂器件上沉积一定厚度的氧化硅覆盖住插指电极既可以得到比较好的频率温度系数同时又不容易开裂和高的机电耦合系数。（2007）

村田 JP2007142491 A：一种MEMS的过程方法，有利于得到较好的频率温度系数和简化生产工艺（2007）

村田JP2007143180 A：在欧拉角为(-2.5° ±5°, 116° ±5°, -2.5° ±5°)时在其上制作插指电极然后沉积一层压电薄膜厚度大于等于波长的0.05时瑞利波的能流角为±2.5°，频率温度系数为±5

ppm/°C。可以压制寄生效应得到大的机电耦合系数和好频率温度系数。（2007）

爱普生 JP2007267033 A：在面内旋转欧拉角为(0°,95° < θ < 155°,33° < | Ψ | < 46°),其次是(0°,

θ ,9° < | Ψ | < 46°)，再其次是(0°, θ ,0° < | Ψ | < 90°)。电极厚度为波长的0.085时，在0-70℃内频率温度系数小于25ppm/℃。（2007）

EPSON TOYOCOM CORP JP2007281701A：在面内旋转ST切的压电基片上欧拉角为(0°,

95°≤θ≤155°, 33°≤| ψ |≤46°)时。制作声表面波器件时现将ψ补偿一个角度。然后在激发插指电极上沉积一层保护膜可以提高器件的频率温度系数。（2007）

EPSON TOYOCOM CORPJP2008079211A：将声表面波器件和温度控制电路一起封装到盒子中密封。温度控制电路控制电路加热声表面波器件到特定温度来达到小的频率温度系数。（2008）

EPSON TOYOCOM CORP JP2008227893 A：一种温度补偿振荡器，用外围电路补偿温度变化引起的变化达到较小的温度系数。（2008）

EPSON TOYOCOM CORP JP2009092622 A：一种温度特性好的加速度传感器。（2009）

EPSON TOYOCOM CORP JP 2010081303 A：一种温度补偿的电路减小温度频率特性。（2010）

村田JP2010259005 A：采用膨胀系数比基片小的电极材料和覆盖材材料然后通过器件设计提高器件的温度稳定性。（2010）

村田 JP 2011166259 A：在压电基片上制作插指电极然后覆盖氧化硅，然后再在上面覆盖一层声速比基片高的材料。这层高声速的材料厚度为波长的0.25-0.6。可以方便的调节漏波声速。（2011）