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聚碳硅烷低温烧结碳化硅泡沫陶瓷的制备木 陈璐 ,黎阳 ,刘卫 (1.贵州大学材料与冶金工程学院,贵州贵阳55( ̄25;2.贵州师范大学材料与建筑工程学院,贵州贵阳550014) 摘要:采用聚碳硅烷(Polycarbosilane,PCs)陶瓷先驱体作为粘结剂,SiC微粉作骨料,在惰性气氛中1 000 ̄C下低温烧结制备 出碳化硅泡沫陶瓷。运用扫描电镜研究了固相含量、聚碳硅烷含量对碳化硅泡沫陶瓷的微观形貌的影响。 关键词:聚碳硅烷碳化硅泡沫陶瓷低温烧成 电子扫描电镜 中图分类号:TQ050 文献标识码:A 文章编号:lO02—6886(2oH)06 ̄-0060—03 Preparation of Silicon Carbide Foam Ceramic at Low Temperature with PCS 。 CHENLu,LIYang,LIUWei Abstract:Silicon carbide foam cer ̄llCS were fabricated from SiC powders,polycarbosilane(PCS)at low temperature of 1000 ̄:in inert atmosphere.Microstmcture were tested,results showed that the effect by PCS content. Key words:PCS;silicon carbide foam ceramic;low——sintering temperature;SEM 碳化硅泡沫陶瓷的发展始于20世纪70年代。作为 一种内部结构中有很多孔隙的新型无机非金属过滤材料, 碳化硅泡沫陶瓷具有重量轻、强度高、耐高温、耐腐蚀、再 生简单、使用寿命长及良好的过滤吸附性等优点。在冶 金、化工、环保、能源、生物等领域具有广泛的应用前 旦[1—3] 尿 0 传统的碳化硅泡沫陶瓷制备工艺复杂,其主要以碳 化硅粉体与流变剂、粘结剂体系、烧结助剂等共 昆制成浆 料,进而与有机泡沫模版浸渍,最后经干燥、排除有机物等 工序烧成得到碳化硅泡沫陶瓷。由于碳化硅属于共价键 很强的化合物,自扩散系数小,导致碳化硅泡沫陶瓷的烧 结温度较高,即使在加入烧结助剂的情况下其烧成温度也 高于l 600℃,而烧结助剂的引入也不利于制备SiC物质 量比相近的碳化硅泡沫陶瓷。过高的烧结温度会生成大 量的方石英相,从而在以后的冷却过程中出现微裂纹,影 响材料的强度 。 近几十年来发展起来的用聚合物裂解制造陶瓷材料 的方法大大降低了陶瓷材料的烧结温度问题。聚合物先 驱体,如聚碳硅烷(PCS)、聚硅氮烷等,作为制备陶瓷材料 的前驱体近年来引起人们极大的兴趣,其中聚碳硅烷是裂 解转化为碳化硅陶瓷的重要前驱体。PCS用于制备碳化 硅网眼多孑L陶瓷 、碳化硅陶瓷 。。和碳化硅纤维¨ 的 研究非常多,并已取得了良好的进展。但PCS用于制备 碳化硅泡沫陶瓷的研究很少。 本工作拟采用聚碳硅烷(Polycarbosilane,PCS)做为陶 瓷先驱体,SiC微粉作骨料,在惰性气氛中1 000 ̄C下低温 烧结制备出SiC泡沫陶瓷。 1实验过程 1.1主要原料 碳化硅微粉(W0.3);聚碳硅烷(PCS,国防科技大学, 长沙);有机溶剂四氢呋喃(THF,分析纯,纯度>99.0%, 天津市科密欧化学试剂开发中心)作为PCS的溶剂。 1.2泡沫陶瓷浆料的制备 将聚碳硅烷陶瓷先驱体和平均粒度为0.3 Ixrn的碳 化硅微粉溶于四氢呋喃溶液中,使PCS含量介于5~20 %之间,固相含量介于10~40 %之间。 1.3浸渍工艺 选择具有三维网状结构和连通孑L道的高弹性聚氨酯 海绵作模板,按要求制成一定形状的试样,然后放人配制 好的SiC陶瓷浆料中反复按压,使陶瓷浆料比较均匀地涂 覆在海绵体的三维网状骨架结构上。在室温下自然干燥 24 h,使有机溶剂挥发。 1.4干燥烧结工艺 将干燥后的泡沫体放入烘箱升温至190 ̄C,保温4 h。 进行空气不熔化处理,使PCS充分交联以便得到较高的 陶瓷产率。 将不熔化处理的泡沫体置于管式热处理炉内,在氮 气气氛下进行烧结。以一定的速率升温到1 O00 ̄C,保温2 h,自然冷却得到黑色SiC陶瓷泡沫块体。 1.5显微结构分析 采用KYKY2
800B型扫描电镜(中国)分析烧成产物 ・87・ 兰 芒。. 呈 中使用了移位寄存器,所以时序仿 4结语 真结果中存在延时现象。 一
dk() (1k data HI)H3 Oll 图6 HDB3编码器的顶层设计原理图 UUUU UUUU J UUU 川UUUU JUUU 川IJDlflJ 1II UU IU U UU UU UUU【 nn J_ f J_ L厂L厂U 一厂『 ’ _厂L厂 几n L I ]_ l 1 1 \ r]j ;广] } f l I ・ : } j l j }lI-r .上 } i l f 图7仿真结果 本文通过硬件描述语言VHDI 对HDB3编码器进行 建模和设计,提出J,一种在一块可编程芯片上实现HDB3 编码器的具体方案,并通过仿真软件Quintus II进行仿真, 并且得到了正确的仿真结果。文中设汁的编码器集成度 高、速度快、可移植性强,使得HDB3编码在很多复杂的环 境中能够得到更广泛的应用。 参考文献 [1]樊昌信,曹丽娜.通信原理[M].国防工业出版社,2007年 [2]曹志刚.现代通信原理【M].清华大学出版社,2008年 [3]汉泽西,孙燕妮.基于FPGA的tlDB3编译码fJ].电子科技,2(聊 _缸 [4]江思敏.VHDL数字电路及系统设计lM].机械工业出版社,2006 正 [5]高有堂.EDA技术及应用实践[M J.清华大学出版社,2006年 作者简介:赵秋实(1985一),现就读于贵州大学理学院09级电路与 系统,研究方向为电子系统设计及自动化 收稿日期:2011—6—22
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20¨一6—2