U1 U2 U3
且且②②①为为EC极极；；①③为为CE极 极。 。
U1=64-5V.3V，V，，UU2U=2=22=-V12，.V8，V，U3=U1.35=V52.V7V，
共射极NPN放大电路
进入基区少数电子和空穴
复空结合穴集论，与电以电区：及子少进复数IE入合载=发而流I射形B+区成I的电C
IC =IC集N+电IC结BO反发发偏射射结区正多偏数，
C 集电极
BJT的构造( 以NPN为例 )
对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型 半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为 发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三 条引线分别称为发射极E、基极B和集电极C。
集电极C 基极B 发射极E Collector Base Emitter
VCC
VCC
由VBB、VCC保证；
VBB
E
UCB=VCC − UBE < 0，反偏；集电结电场很强。
BJT的管脚与类型判别
①中间电位对应管脚B ； ②NPN管中间电位靠近低电位UE ;
UB −UE ≈0.7V为 Si -NPN管 ; UB −UE ≈0.3V为 Ge -NPN管 ; ③PNP管中间电位靠近高电位UE ; UB − UE ≈-0.7V为 Si -PNP管; UB − UE ≈-0.3V为 Ge -PNP管;
出来的。 ❖ 内部结构
•且基掺区杂很浓薄度，最一低般。在几输回个微入路米至几R十C个微米I，C
BJT的结构特点
IB B
C
VCC
❖ 外部条件
RB
E UCE
发射结正偏， 集电结反偏。
公共VBB端
UBE
共发射极放大电路
共射极NPN放大电路
三极结管论在：工对作于时正必常须工加作上的适N当PN的管直，流必偏然置电压。
若在放大工作状态：
发射有结U正C偏>：UB >UE
IC
由VBB保证；必须使：UBE>0
C
硅管：UBE=UB-UE=0.7（V） 锗管：UBE=UB-UE=0.3（V）
集电结反偏：
由VBB、VCC保证；
N
IB
P JC
B RB
N
JE
VCC
VBB
E
UCB=VCC − UBE > 0，反偏；集电结电场很强。
模拟电子技术基础
晶体管与场效应管
晶体三极管
晶体三极管也称为半导体三极管，简称三极管， 由于工作时，多数载流子和少数载流子都参与 运行，因此，还被称为双极型晶体管简称BJT （Bipolar Junction Transistor）。BJT是一种电 流控制电流的半导体器件。 作用:把微弱信号放大成辐值较大的电信号， 也用作无触点开关. 晶体管促进并带来了“固态革命”，进而推动 了全球范围内的半导体电子工业。
PNP型三极管
C
B E
基极 B
电符路号符号 集电区的杂质浓度：较低
基区的厚度： 非常薄 发射区的杂质浓度：很高
集电极 C
集电区
P
集电结
N
基区ห้องสมุดไป่ตู้
发射结
P
发射区
发射极 E
BJT的组态
三极管在使用时，根据实际需要，可接成三种不同的组 态。不管接成哪种组态，都有一对输入端和一对输出端；
ib 输入
ic 输出
ie 输入
三极管的常见外形
9014
2N2202
三极管的结构
发射结 集电结
发射结 集电结
E
NP
N
-
发射极
发射区 基区 集电区
-
NPN型
基极 B
C
C 集电极
E
-
发射极
PN
P
发射区 基区 集电区
-
PNP型
基极 B
C
B E
符号
三极管的结构特点:
B E
符号
（1）发射区的掺杂浓度＞＞集电区掺杂浓度。
（2）基区要制造得很薄且浓度很低。
共射极PNP放大电路
三 若在极结放管论大在工：工作对作状于时态正：必常须工加作上的适P当NP的管直，流必偏然置电压。
发射有结U正C偏<：UB <UE
由VBB保证；必须使：UBE< 0
硅管：UBE=UB-UE=-0.7（V） 锗管：UBE=UB-UE=-0.3（V）
集电结反偏：
IC
IB
B RB
C
P
N JC P JE
流电IIIEBC子I子电B－ －－N去空流和哪穴I复扩 漂ICBB里形PO，。合散 移了成那？漂运运 运么移I其B 动动动它ICB多形形形O 数成成成的的的C电电电流流流JC ICN
载流子电子 不断向基区 扩散，形成 扩散电流IEN。
基区多数载 流子空穴不 断向基区扩 散，形成扩 散电流IEP。
B
RB IEP
U1
U3
U2
例题1
在晶体管放大电路中，测得三极管的各个电极的电位 如图所示。试判断各三极管的类型（即NPN管或PNP 管，硅管或锗管），并区分B、E、C 三个电极。
因因为为UU13>>UU312>>UU221，， 所所以以③①②为为BB极极；；
又又因因为为UU31--UU23==0-0.7.73VV，， 所所以以该该三三极极管管为为NPNPPN硅 锗硅管管；；
ic 输出
ib 输入
ie 输出
CE
CB
CC
共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示 ；
共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示 ;
共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示。
BJT的电流放大条件
三极管的放大作用是满足自身的内部结构特点的前输提入
下，在一定的•• 发集外射电部区区条的 掺掺 杂件杂 浓控浓 度度 低制最 于下高 发，射( N区通+，)过；且面载积流大子； 传输体回现路
VBB
IBP JE
从发射区扩散来的 电子作为VC基C 区的少
IEN子，在外电场的作
E
用下，漂移进入集
IE =IEN+电 成IEP区电而流被ICN收。集，形
共射极电路电流的放大
对于一个特定的BJT，扩散到集电区的电流ICN和和基区 复合电流IBP的比例关系是确定的，通常把这个比值称为 BJT共射极电路的电流放大系数β。
ICN IC
I BP
IB
RC
IC
β通常在20～100之间，它反
IB B
C
VCC
映了基极与集电极电流之间 RB
E UCE
的分配关系，或者说IB对IC 的控制能力。IB微小的变化 VBB
UBE
会引起IC较大的变化，故
BJT称为电流控制器件。
共发射极放大电路
三极管的特性曲线
金属层
发射区：发射载流子 集电区：收集载流子 基区：传送和控制载流子
P N+ N-Si
N型硅片 （衬底）
强化练习1
NPN型三极管
C
B E
基极 B
电符路号符号 集电区的作用： 收集载流子
基区的作用： 传送、控制载流子 发射区的作用：发射载流子
集电极 C
集电区
N
集电结
P
基区
发射结
N
发射区
发射极 E
强化练习2