电力电子技术在轨道交通牵引系统中的发展电力电子技术在轨道交通牵引系统中的发展第一组电力牵引传动与电力电子器件存在相互促进和相互依存的密切关系,电力传动是按照直一直传动、交一直传动再到交一直一交传动的过程发展的,而为了满足这一发展历程,离不开电力电子器件和现代计算机控制技术的高速发展。
现代电力电子器件的发展迅猛,开发周期愈来愈短,如快速晶闸管、GTO晶闸管、GIBT、IPM等,每种新器件的诞生都迫使我们加快了对新器件的基础应用研究,从而促进了牵引传动方式的进步。
1轨道车辆牵引领域电力电子器件的发展1.1 电力电子器件的发展自1957 年晶闸管问世,标志着电力电子技术的诞生,从此电子技术向两个分支发展。
一支是以晶体管集成电路为核心形成对信息处理的微电子技术,其发展特点是集成度愈来愈高,集成规模越来越大,功能越来越全。
另一支是以晶闸管为核心形成对电力处理的电力电子技术,其发展特点是晶闸管的派生器件越来越多,功率越来越大,性能越来越好。
传统的电力电子器件已发展到相当成熟的阶段,但在实际中却存在两个制约其继续发展的致命因素。
一是控制功能上的欠缺,因为通过门极只能控制其开通而不能控制其关断,属于半控型器件。
二是此类器件立足于分立元件结构,开通损耗大,工作频率难以提高,一般情况下难以高于400Hz,因而大大地限制了其应用范围。
因此,半控制器件的发展已处于停滞状态。
到了70 年代末,可关断晶闸管(GTO)器件日趋成熟,标志着电力电子器件已经从半控型器件发展到全控制型器件。
进入80 年代以后,伴随着GTO器件的发展及成熟,MOS 器件的开发则繁花似锦。
绝缘栅双极晶体管(IGBT)独占鳌头。
至此电力电子器件又从电流控制型器件发展到电压控制型器件。
90 年代,电力电子器件又在向智能化、模块化方向发展,力求将电力器件与驱动电路、保护电路、检测电路等集成在一个芯片或模块内,使装置更趋小型化、智能化,其典型器件是IPM。
而IGCT 器件既具有IGBT 器件的开关特性,同时又具有GTO 器件的导通特性,且制造成本较低(与GTO和IGBT相比),可以获得和GTO晶闸管一样的产量,即其集IGBT与GTO二者优势于一身,预计今后会在更多的工业和牵引领域中发挥作用。
总之,电力电子器件的发展经历了从半控到全控、从电流控制型到电压控制型、从单个元件到模块化再到智能化的发展过程。
1.2电气牵引控制技术的发展1.2.1 牵引/ 制动特性轨道运输装备的牵引/ 制动特性是其最基本、最重要的性能,是运输装备设计首要考虑的重要因素之一,它包括了运输装备的持续运行速度、最高运行速度、牵引/制动力特性以及装备的加速性能,以满足铁路运输的需求。
在轨道运输装备减速制动时通常优先采用再生制动,将电机回馈的电能通过变流装置回馈给电网,达到绿色环保节能的目的。
在系统研究与实际工程应用中,采用高功率密度变流装置、变压器、牵引电机和直接转矩控制等先进电机控制策略,在实现对电机的牵引/ 制动特性准确控制的同时,获得毫秒级的转矩阶跃动态响应性能。
电气牵引传动粗分为以下几种方式:1)直流电网供电——直流电动机传动,即直——直传动。
2)直流供电——交流异步传动,即直——交传动。
3)单相交流供电——直流(脉流)电动机传动,即交——直传动。
4)单相交流供电——三相交流异步电动机传动, 即交——交传动。
1.3 控制技术1.3.1 PWM控制技术脉冲宽度调制技术(PWM)是现代变流技术广泛应用的起点,是奠定绿色变频节能的基础。
其通过改变输出脉冲的占空比来实现等效的输出电压与频率,从而实现交流到直流,直流到交流的能量变换。
通常采用的空间矢量脉宽调制(SVPWM)技术在三相对称正弦波电压供电时,以合成旋转的空间电压矢量为参考,三相逆变器8 种不同开关模式电压矢量合成参考电压矢量,形成PWM波。
1.3.2 传动控制技术传动控制技术是牵引传动系统的核心技术,传动控制技术已经由转差电流控制发展成矢量控制和直接转矩控制等。
1)转差电流控制技术转差电流控制技术是一种早期的用于控制交流异步电机的方法,基于异步电动机的稳态数学模型,控制性能远不能与直流调速系统相媲美,系统的动态性能差。
2)矢量控制技术矢量控制,又称为磁场定向控制(FOC),其基本原理是将异步电动机的定子电流正交分解为产生磁场的电流分量(励磁电流)和产生转矩的电流分量(转矩电流)分别加以控制,并同时控制两分量的幅值,从而达到控制异步电动机转矩的目的。
矢量控制策略存在一些固有缺点,比如转子磁链难以准确观测,对电机参数比较敏感,实际工程应用时矢量控制必须具备异步电动机参数自动辨识功能。
与直接转矩控制相比,矢量控制具有直接的电流闭环控制特点,电流控制的稳定性高,有独立的PWM调制单元,决定其转矩控制结果是一个开关周期内的平均值。
如果在大功率低开关频率应用时,高速区必须采用同步调制技术。
同步调制技术与直接转矩控制相比,开关频率利用不充分,在逆变器峰值电流、电机谐波损耗、转矩脉动、直流侧电流谐波等重要性能指标上比直接转矩控制差。
而直接转矩控制PWM调制在磁链和转矩控制中直接实现,转矩动态性能高,但在低速高开关频率区性能比矢量控制差。
通常在小功率高开关频率场合应用矢量控制,在大功率低开关频率场合应用直接转矩控制。
3)直接转矩控制技术直接转矩控制技术是继矢量控制技术之后发展起来的一种高性能异步电动机变频调速技术。
与矢量控制不同,直接转矩控制通过直接控制转矩和磁链来间接控制电流,不需要复杂的坐标变换,因此具有控制结构简单、转矩响应快以及对参数鲁棒性好等优点,它在很大程度上解决了矢量控制中结构复杂、计算量大、对参数变化敏感等问题。
直接转矩控制可以充分利用逆变器的开关频率,从而特别适用于大功率牵引传动领域。
2 轨道车辆牵引领域电力电子器件的应用2.1 电力电子器件在轨道车辆牵引中的应用发展80 年代以前,在轨道车辆牵引领域,电力电子器件主要用于直流传动系统中的整流器和斩波器以及辅助传动系统。
电力电子器件主要是晶闸管。
进入80 年代以后,随着交流传动技术日趋成熟,电力电子器件又有了新的用武之地,其在牵引领域的应用主要包括:整流器、斩波器、电力制动、逆变器以及辅助传动系统。
这一时期在这些应用领域采用的电力电子器件主要是晶闸管和GTO。
进入90 年代以后,交流传动在电力机车、内燃机车及动车组上得以大量地推广应用,使电力电子器件在轨道车辆牵引领域中有了更广阔的应用前景。
这一时期其在牵引领域的应用主要是牵引变流器,主要采用的电力电子器件是GTO 和IGBT。
根据电力电子器件的发展现状及趋势,预计在今后几年,电力电子器件将在以下方面取得进展:(1)已进入实用化的全控型器件将在功率等级、易于驱动和更高工作频率这三个方面继续改善和提高。
(2)由于MCT、IGBT、IGCT 等器件的大容量化及实用化,在更多的领域,IGBT 和IGCT 将取代GTO。
(3)IGCT 等新型混合器件将逐步得以推广应用。
(4)功率集成电路将会有更进一步的发展。
这将预示着电力电子技术将跃入一个新的时代。
(5)新型半导体材料SiC 的问世,将预示着在不远的将来会诞生一种集高耐压、大电流、高开关速度、无吸收电路、简单的门极驱动、低损耗等所有优点于一身的新型SiC 电力器件。
2.2 IGBT在轨道车辆牵引变流器的应用由于IGBT 器件属电压驱动的全控型开关器件,脉冲开关频率高,性能好,损耗小,且自保护能力也强。
为此,目前世界上无论是干线铁路还是城市轨道的电动车辆的电气系统中均采用IGBT 模块来构成。
随着IGBT 性能的迅速发展,IGBT 模块的电压等级和电流容量在不断提高,从1991 年生产出了小型IGBT 模块,其电压等级为1200V/300A,很快取代了在工业上通用变频器中所用的双极型晶体管;1993年出现了1700V/300A 的IGBT,并已开始在城市电车上获得推广应用;到2000 年后更出现了1700V/2400A , 3300V/1200A和6500V/600A的高压IGBT,这些高压HV IGBT 很快地应用到铁道与城市地铁轻轨车辆中,由于其性能优越,加之其为绝缘型模块,整机的结构设计紧凑轻巧,且采用了低感母线技术与软门极的驱动技术并解决了热循环的寿命问题,目前,HV IGBT 模块已成为轨道电力牵引系统中应用的主导元件。
随着城市发展,城轨交通供电网压制也从早期的600V DC 和750V DC 发展为1500V DC 网压制,以适应大城市大客流量发展的需要。
网压的提高对电力电子器件的电压等级提出了更高的要求,IGBT 模块的电压等级也从1200V 发展到L700V, 3300V 以及4500V和6500V电压等级水平。
3 轨道车辆牵引变流器的发展3.1 车辆用IGBT 逆变器的开发当电压等级不够高时,在德国和日本曾用1200V 和1700V 等级IGBT 构成三点式(三电平)逆变器用于750V和1500V 电网。
随着新一代IGBT 迅速发展,尤其是3300V 等级IGBT 的批量生产,用这类电压等级的模块(器件)构成两电平(两点式)逆变器能够满足在3300V 电网当中的应用,因而在上世纪末国外生产的地铁轻轨电动车辆以及部分干线电力机车动车都已采用这类高压HV IGBT 模块。
虽然三电平逆变器较两电平逆变器具有输出波形好、脉冲频率低、电压上升率也低及损耗小等优点,但是其主电路结构复杂,所用器件多出一倍,这是它不足之点。
所以在城轨车辆中目前都采用IGBT 构成的两电平逆变器,而在干线电力机车中,采用4500V 等级或6500V等级的HV IGBT 来构成两电平逆变器。
当然,由于三电平逆变器输出的谐波分量低的突出优点,目前在日本仍有不少的应用。
3.2 无吸收电路式逆变器在轨道车辆上要求结构紧凑、重量轻和体积小的装置,采用绝缘式IGBT 模块比那些非绝缘式的GTO 器件就更能体现出满足这一要求的特点。
通过采用低感母线技术以尽量降低母线的寄生电感来达到抑制关断时的尖峰电压的目的,使逆变器可以取消吸收电路,这样进一步简化了结构,减轻了重量,缩小了体积。
在1500V网压下,采用上述技术可以使其尖峰电能押制在2300V以内。
应用了低感母线技术的主电路结构不仅在器件数量上有明显减少,而且重量和损耗也降低了。
3.3 软门极驱动技术一般高压IGBT 模块在关断时其电压上升率陡峭可达5000V/μS,通过应用软门极驱动技术可以大大抑制电压上升率dV/dt,将其降低到2000V/ μS, 尖峰电压也控制2300V 之内。
此外,这电压上升率dV/dt 的降低对装置中工作的各类器件都是大为有利的。
由于采用了软门极驱动技术同时也降低了IGBT 的损耗。
4 未来技术的发展4.1 功率器件碳化硅(SiC)是一种物理化学特性仅次于金刚石的化合物半导体材料,有着非常优秀的物理特性。