北大微电子专业考研数模电专业课（科目代码938）中考试的主要内容是数电和模电。
该科目从2005年设立，之前微电子专业只能考半导体物理专业课。
所以目前市面上只有2006、2007、2008的真题，2008年以后学校不再公布真题，因此2009年真题在市面上从未出现，而2010年真题只有我自己的回忆版。
由于北大本专业不提供参考教材和考试大纲，所以以上这些真题具有极大的参考价值，同学们在复习时要认真分析试卷中的题目，把握考试重点。
有重点，有区别的进行复习，以避免浪费宝贵的备考时间。
这里我将结合自己的复习经验对历年的真题考点进行总结，这些真题考点也可以做为大家复习时的大纲参考。
下面我们就数模电分别进行总结。
模电考点分析
2006年真题涉及到的考点：
1、三极管的工作原理（填空题）
2、三极管构成的基本放大电路（计算题）
3、负反馈技术（填空题）
4、信号的运算与处理（计算题）
5、信号产生电路（填空题）
2007年真题涉及到的考点：
1、三极管构成的基本放大电路（计算题）
2、MOSFET基础知识（判断题）
3、负反馈技术（判断题、计算题）
4、MOS基本放大电路（计算题）
5、信号的运算与处理---滤波内容（计算题）
2008年真题涉及到的考点：
1、MOS基本放大电路（计算题）
2、运放的特性（简答题）
3、信号产生电路---LC谐振（简答题）
4、信号的运算与处理（计算题）
5、负反馈技术---频率补偿技术（计算题）2
2010年真题涉及到的考点：
1、信号的运算与处理---滤波器、调制解调（简答题、计算题）
2、负反馈技术（简答题、计算题）
3、信号产生电路（计算题）
4、运放的特性（计算题）
数电考点分析
2006年真题涉及到的考点：
1、门电路基本概念（名词解释）
2、进制基础（计算题）
3、组合逻辑设计（计算题）
4、时序逻辑设计（计算题）
2007年真题涉及到的考点：
1、进制基础（判断题）
2、触发器基本概念（判断题）
3、CMOS组合逻辑（计算题）
4、组合逻辑设计（计算题）
5、时序逻辑设计（计算题）
2008年真题涉及到的考点：
1、触发器特性（简答题）
2、CMOS组合逻辑---CMOS反相器（简答题）
3、组合逻辑设计（计算题）
4、时序逻辑设计（计算题）
2010年真题涉及到的考点：
1、进制基础（简答题）
2、CMOS组合逻辑（简答题）
3、组合逻辑设计（计算题）
4、时序逻辑设计（计算题）
5、存储器扩展（计算题）
6、触发器---触发器的构成（计算题）
综合分析：以上模电考点分析中列出的知识点均是以康华光教材中对应的知识点所在章的标题命名的。
这里强烈建议模电复习以高教社康华光主编的模电教材作为复习参考书。
同时要对书中重点章节（从考点确定重点章节，而不是大家本科学习的重点章节！）中的每一个知识点都要认真复习，尤其不要忽视带星号的内容。
这些内容也在真题中考过，如：模拟乘法器的应用。
数电考点是以真题的题型特征命名的。
因为数电的知识比较固定，具体采用哪本教材根据自己的实际情况决定，只要知识点相符即可，比如：高教社阎石第四版数电。
首先，我们分析一下这几年考点的变化趋势。
1、MOS取代三极管从2006年到2010年，涉及到三极管的考点逐渐退出了试卷。
这一点可能和当前工业应用有关。
MOS在很多地方得到了广泛的应用，成了IC设计的主流。
因此，在北大微电子专业课考试中，三极管的内容从08年消失被MOS取代。
MOS 主要考点有MOS基础知识、MOS基本放大电路。
2、集成电路知识崭露头角在三极管知识淡出的同时，集成电路知识代替了它的位置。
而从近几年的真题来看，集成电路的知识都是很基础的内容，并没有涉及太难的内容。
在模拟部分，主要出现了基本的MOS放大电路。
在数字部分，主要出现了CMOS组合逻辑设计的基本内容。
3、题量有所增加分析近年来的真题会发现，数模电题的数量在不断增多。
在2010年变得比较明显，尤其是数电部分题目比以前多了。
这个在考试的答题过程中应该引起重视，把握好答题时间。
下面，我们对具体考点进行一下分析总结。
模电考点在模电中，有两个重中之重：频率响应和负反馈。
下面我们分别对其进行介绍：
频率响应：北大真题中所涉及到的频率响应与我们平时熟知的三极管多级放大电路中的频率响应是截然不同的。
这一点一定要引起重视，不要盲目复习。
真题中的频率响应有两大特点：1、针对集成运放2、幅频特性均采用经过拉普拉斯变换的方程表示。
对于大多数人，可能更习惯于采用虚数形式表示的幅频特性方程，而对拉普拉斯变化后的方程比较陌生。
但在北大真题中，都将按照这样的方程去求解计算，并且还要根据这种方程去绘制幅频特性和相频特性图，在反馈技术中，还将用这种方程进行频率补偿的计算。
因此，大家必须对这种形式的方程十分熟悉，能够从方程的形式上看出该频响特性方程描述的是一个高频电路还是低频电路，并能从方程中找出该电路的极点分布情况，极点的判断在频率补偿类题目的计算中是很关键的一步。
只有找到了主极点，才可以根据相位裕度或增益裕度进行主极点校正补偿。
2011年真题：
一、简答题20-
1、用补码计算12+7，并对结果做出合理的解释-
2、CMOS与TTL相比有什么优点-
3、什么是BCD码-
4、负反馈五条-
二15、设计两位全加器，先用两级与非门实现，再用一位半加器和一位全加器实现。
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三15、检测110序列，用D触发器实现。
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四、20-
1、画32*32ROM，128*8的存储结构，要求按位读取-
2、画出其译码电路-
3、在某地址的单元内存有某个数据，在存储单元中画出来-
五10、RLC串联，传输函数为R/(R+L+C)，要你写出来，并求零极点。
（貌似是十欧四十毫亨二十皮法，反正极点不是实数）-
六15、DA转换，课本例题。
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七20、给个传输函数和两个极点-
1、画幅频相频响应-
2、求何处衰减为零-
3、如何提高相位浴度-
八15、三极管静态工作点及输入端电容的作用。
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九20、-
NMOS、PMOS构成的波形产生电路，问此电路工作原理，还要画出两个波形，并估算频率。
2012年真题：
一、1简述有符号加减法中的溢出，如何解决2什么是BCD码及两种编码方法3简述RS锁存器的不定态及解决方法4ROM SRAM DRAM 存储单元的差别5三态输出门内部结构及应用
二、用4位集成加法芯片实现16位减法计算
三、写出D触发器和JK触发器的特性方程并用D触发器实现JK触发器
四、画出CMOS异或门电路并说明工作原理
五、用D触发器检测0100序列
六、传输函数分子10000(1+s/wz)分母(1+s/w1)(1+s/w2)
1，w1为1000，w2为100000，wz为10000。
2，w1为1000，w2为10000，wz为100000。
两问都要求用波特图分析幅频响应相频响应，并求HS模为1时的w值。
七、求现实与理想的误差何时为最大（基本就是数学题）
八、左边BJT射极电流nI0，右边m个同样的BJT平分分I0，求(基极电位差)
九、模电第8章普通计算
十、模电第8章普通计算
十一、左上镜像电流源，左边及右边CMOS反相器，其中间有一电容C，右输出反相后接左输入。
去年原题。
补充：2012年第六题，传输函数中有一个零点。
2012年第八题，是拉扎维模拟cmos课本中的例题，只不过考题把MOS换成了BJT。
另外，以前复试的题目中也涉及拉扎维的模拟cmos。