1.从电子枪同时射出两个电子，初速度为 v和2v，经垂
直磁场偏转后，则
（A） 初速度为 v 的先回到出发点。
（B） 初速度为2v的先回到出发点。
（C） 同时回到出发点。
（D） 不能同时回到出发点。
电子在垂直磁场中做圆周运动
T 2m 与v无关
qB
故同时回到出发点。
2.一铜板厚度为D=1.00mm，放置在磁感应强度为B=1.35T的匀 强磁场中，磁场方向垂直于导体的侧表面，如图所示，现测得
dI I dx dB 0dI
a
2x
B 2a 0I dx 0I ln 2a
a 2a x 2a a
由 df IBdl
df IB 0I 2 ln 2 方向水平向左。
dl
2a
4.如图，匀强磁场中有一矩形通电线圈，它的平面与磁场 平行，在磁场作用下，线圈发生转动，其方向是
（A）ab边转入纸内，cd边转入纸外。
（B）ab边转入纸外，cd边转入纸内。
a
d
（C）ad边转入纸内，bc边转入纸外。
b
c
（D）ad边转入纸外，bc边转入纸内。
根据磁力矩的计算公式：
Mm
pm
B
pm的方向 : 垂直纸面向外 .
0IB 2d
0Ic 2 (2d)
0
BB
0I A 2d
0Ic 2d
3105T
(向内)
Bc
0 I A 2 (2d)
0IB 2d
1.5105T
(向内)
2. 0, 1.5106 N / cm, 1.5106 N / cm
电流与磁场垂直时 df IBd
dfA d
I ABA
0
dfB d
I B BB
5 (310 5 )
M的方向 :
a
d
b
c
M
1. 正电荷，负电荷
1.在一霍耳效应的实验中，通过半导体的电流与磁场方向垂直 （如图）。如果上表面的电势较高，则半导体中的载流子是 电荷，如果下表面的电势较高，则半导体中的载流子是 电荷 。
解：上表面电势较高： 假设载流子是正电荷，则其运动方
向与电流方向一致，此方向运动的载流 子受力向上，与上表面电势较的结论一 致，所以载流了为正电荷。 同理：如果下表面电势较高，则载流子 为负电荷。
铜板上下两面电势差为 U 1.1105V，已知铜板中自由电子 数密度n 4.21028m3 ，电子电量，则此铜板中的电流为
[]
(A) 82.2A. (B) 54.8A.
(C) 30.8A. (D) 22.2A.
根据霍耳效应电压公式：
U 1 IB en D
I UDqn 1.1105 103 (1.6 1019 ) (4.2 1028 ) 54.76 A
解： 线圈的磁矩为：
pmቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
IS
I
R2
2
根据磁力矩的计算公式：
Mm
pm
B
Mm
pm B
IR2 2
B
0.05
0.157 (N
m)
1.将电流平板看成是由许多无限长的线电流组成
1. 无限长直载流导线与一个无限长薄电流板构成闭合回路，导 线与电流板共面。（如图），求导线单位长度上受到的作用力。
解：先计算电流板在直电流处产生的磁场,取
B
1.35
3.如图，无限长直载流导线与正三角形载流线圈在同一平面内， 若长直导线固定不动，则载流三角形线圈将
[] （A）向着长直导线平移。 （B）离开长直导线平移。 （C）转动。 （D）不动。
I1 I2
将三角形右边两段通电导线等 效为向下的一段，左边一段的 通电导线处的磁场强。因此， 整个三角形的受力与左边相同 ，受到无限长直电流的吸引。
1.5104 N
/m
1.5106 N
/ cm
dfc d
I c Bc
10
(1.5
105
)
1.5
104
N
/
m
1.5 106
N
/
cm
3. 0.157(N m)
3.一半圆形闭合线圈，半径R=0.2m，通过电流I=0.5A，放在均 匀磁场中，磁场方向与线圈平面平行，磁感应强度B=0.5T，则 线圈所受磁力矩为 。
2. 0, 1.5106 N / cm, 1.5106 N / cm
2.A、B、C为三根平行共面的长直导线，导线间距d=10cm， 它们通过的电流分别为IA=IB=5A，IC=10A，其中IC与IB、 IA的方向相反，每根导线每厘米所受的力的大小为
dFA dl
dFB dl
dFc dl
解：
BA