4．数据存储器空间配置 （TMS320LF2407型号芯片） 2） DARAM(B0)
2．程序存储器的配置
1) MP/MC引脚： • MP/MC = 0（接地）： 微控制器方式， 配置为片内ROM/Flash • MP/MC = 1（接高电平）： 微处理器方式，
配置为片外ROM
2．程序存储器的配置
2）CNF位：
决定片内DARAM(B0)的地址映射
• CNF = 1：
256字的片内DARAM(B0)被配置到 程序存储器空间(FF00～FFFFh) • CNF = 0： 无可访问的片内程序DARAM （B0被配置到数据存储器空间） 注意： B0 无论是被配置到程序空间，还是 被配置到数据存储器空间，都是同 一物理存储器块
第三章 存储器与I/O空间
• TMS320C2000器件有4种可独立选择的空间，共224K字： (1) 64K字的程序存储器空间：存放要执行的指令及程序执 行时使用的数据 (2) 64K字的局部数据存储器空间：存放指令使用的数据。 (3) 32K字的全局数据存储器空间：通过扩展外部存储器得 到，用来存放与其他处理器共用的数据。 (4) 64K字的I/O空间：用于与外部的设备接口和片内外设寄 存器。
（4）闪速存储器(Flash)：
可被配置为数据存储器，也可配置为程 序存储器。 （只对 B0块）
§ 3.1 存储器的类型
TMS320C2000器件的片内存储器有4种类型：
（1）片内双访问存储器(DARAM)
（2）片内单访问程序/数据存储器(SARAM)
（3）掩模型片内ROM存储器 SARAM：每个机器周期仅能访问一次的存 储器。
0000～003Fh： 中断向量地址
0040～0043h： 保留地址 0044～7FFFh： 片内Flash （32K字）
8000～87FFh： 片内SARAM（2K字）
8800 ～FDFFh：片外ROM FE00～FEFFh： 保留区或片外ROM FF00～FFFFh： 片内DARAM（B0） （256字）或片外ROM
（4）闪速存储器(Flash)：
C2000的有些器件内含有SARAM 。
SARAM可配置为程序存储器或数据存储器。
配置为内部程序存储器SARAM时，程序代 码可以从片外ROM调入，并被全速执行。
§ 3.1 存储器的类型
由生产厂家已写好程序的存储 器，用户只能读不能写。
TMS320C2000器件的片内存储器有4种类型：
数据写地址总线(DWAB)。
• 3组总线的操作是独立的，因此可以同时访问程序空间和 数据空间，即在一个给定的机器周期里，中央算术逻辑单 元(CALU)可执行3种存储器操作。
§ 3.1 存储器的类型
TMS320C2000器件的片内存储器有4种类型：
（1）片内双访问存储器(DARAM) （2）片内单访问程序/数据存储器(SARAM) （3）掩模型片内ROM存储器 （4）闪速存储器(Flash)
§ 3.1 存储器的类型
TMS320C2000器件的片内存储器有4种类型：
（1）片内双访问存储器(DARAM)
电可擦除与编程的非易失性程序存储器。 （2）片内单访问程序/数据存储器 (SARAM) 适合系统应用开发。 （3）掩模型片内ROM存储器
（4）闪速存储器(Flash)
§ 3.2 程序存储器
2．程序存储器的配置
3）PON位（SCSR2-D0）
PON = 1 ： SARAM被映射到片内程序空间 （8000～87FFh）； PON = 0 ： SARAM不被映射到片内程序空间。 （SARAM可能被映射到片内数据空 间）
§ 3.3 局部数据存储器
1．C2000器件片内都有3个DARAM块：B0、B1、B2。 B0块有256个字，可配置为数据存储器或程序存储器。§ 3.1 Nhomakorabea储器的类型
TMS320C2000器件的片内存储器有4种类型：
（1）片内双访问存储器(DARAM)
DARAM：单个机器周期可被访问两次 （2）片内单访问程序/数据存储器 (SARAM)
的存储器。
（3）掩模型片内ROM存储器
所有C2000器件都有片内DARAM，分 为三块：B0，B1，B2。
• 程序存储器存放应用程序的代码、表格信息和固定操作数
• TMS320C2000器件可寻址的程序存储器地址有64K字。
• C2000器件的程序存储器类型： 片内DARAM (B0块） 片内SARAM 片内ROM / Flash 片外ROM
1．程序存储器地址分配 （TMS320LF2407型号芯片）
4．数据存储器空间配置 （TMS320LF2407型号芯片）
1）数据存储器第0页地址映射
(地址0000～007Fh)
0000-0003h 0004h 0005h 0006h 0023-0027h 002B-002Fh 0060-007Fh B2 IMR 保留 中断屏蔽寄存器
GREG 全局存储器分配 寄存器 IFR 中断标志寄存器 保留 测试/仿真保留区 DARAMB2 （32字）
有些C2000器件片内有掩模型 ROM作为程序存储器。
（1）片内双访问存储器(DARAM) 如果用户需要定制掩模型片内
（2）片内单访问程序/数据存储器(SARAM)
ROM，可按目标文件格式提供 程序代码或数据，由芯片生产 厂家对ROM进行掩模。
（3）掩模型片内ROM存储器
（4）闪速存储器(Flash)
• 这224K字空间包括 片内存储器、外部存储器和I/O设备。
片内存储器操作的优点：速度快，功耗小。 外部存储器操作的优点：可以访问更大的地址空间。 • TMS320C2000器件设计以改进的哈佛结构为基础，存储 空间可由3组16位的并行总线访问，即 程序地址总线(PAB)， 数据读地址总线(DRAB)，
B1块有256个字，只能作为数据存储器。
B2块有32个字，只能作为数据存储器。 2．有些C2000器件还有片内SARAM块，它们可用做程序和／或数据 存储器。 3．访问数据存储器有直接寻址模式和间接寻址模式。 使用直接寻址时，将数据有储器按地址分块，每块128个字为一页。 64K数据存储器可分为512个数据页，记为0—511页。页地址由页 地址指针DP决定。