RD
WE
--- 外部读信号线
--- 外部写信号线
3.片选信号线：
访问外部器件时，利用信号线来区分: 内部/外部访问 程序/数据空间 局部/全局数据空间 I/O空间
• DS --数据存储器选择信号：当执行访问外部（局部/全局）数据存储器指 令时，该引脚信号低电平有效。 • BR --总线请求信号：当执行访问外部全局数据存储器指令时，该引脚信 号低电平有效。 • P S --程序存储器选择信号：当从外部程序存储器全取指令代码时，该引 脚信号低电平有效。 •
2．程序存储器的配置
3）PON位（SCSR2-D0）
PON = 1 ： SARAM被映射到片内程序空间 （8000～87FFh）； PON = 0 ： SARAM不被映射到片内程序空间。 （SARAM可能被映射到片内数据空 间）
§ 3.3 局部数据存储器
1．C2000器件片内都有3个DARAM块：B0、B1、B2。 B0块有256个字，可配置为数据存储器或程序存储器。
数据写地址总线(DWAB)。
• 3组总线的操作是独立的，因此可以同时访问程序空间和 数据空间，即在一个给定的机器周期里，中央算术逻辑单 元(CALU)可执行3种存储器操作。
§ 3.1 存储器的类型
TMS320C2000器件的片内存储器有4种类型：
（1）片内双访问存储器(DARAM) （2）片内单访问程序/数据存储器(SARAM) （3）掩模型片内ROM存储器 （4）闪速存储器(Flash)
(1)用两组RAM(32K × 16)， 一组作为局部数据存储器， 一组作为全局数据存储器 (每组可由两块32K×8的RAM 组成)， 地址均为8000h—FFFFh。
2）与外部数据存储器的接口
(2)用GREG作为控制切换信号： 当GREG = xx00h时， 8000h—FFFFh 地址区域被配置为 局部数据存储器， RAM2禁止， RAM1 两个使能信号或门打开，选 中RAM1。 指令举例： LDP SPLK LDP SACL #0 #0000h, GREG #100h 0000h ;ACCL ->8000h
4．数据存储器空间配置 （TMS320LF2407型号芯片）
5） 片外数据存储器 （地址：8000h～FFFFh）
4．数据存储器空间配置 （TMS320LF2407型号芯片）
6） 片内外设寄存器地址： 7000～7FFFh
片 内 外 设 的 存 储 器 映 射 配 置 图
§ 3.4 全局数据存储器
3）与I/O端口的接口
指令举例：
LDP
#04 ；B0
IN 05h, xxx0h
指令举例：
LDP
#06; B1Βιβλιοθήκη OUT 05h, xxx1h
与SACL 0001h区别
4．数据存储器空间配置 （TMS320LF2407型号芯片） 4） SARAM
DON位（SCSR2-D1）：
DON = 1 SARAM被映射到片内数据空间 （地址：0800～0FFFh）； DON = 0 SARAM不被映射到片内数据空间。
TMS320LF2407型号芯片的片内数据存储器容量 32字(B2)+256字(B0)+256字(B1)+2048字(SARAM) =2592字
IS
-- I/O空间选择信号：当执行I/O指令时，该引脚信号低电平有效。 --外部访问有效选通信号：当访问外部程序、数据或I/O空间时，该引
• ST RB
脚信号低电平有效
扩展外部存储器和I/O空间的接口：
1）与外部程序存储器的接口
由两块8K×8的
RAM组成 8K×16的 程序存储器
2）与外部数据存储器的接口
第三章 存储器与I/O空间
• TMS320C2000器件有4种可独立选择的空间，共224K字： (1) 64K字的程序存储器空间：存放要执行的指令及程序执 行时使用的数据 (2) 64K字的局部数据存储器空间：存放指令使用的数据。 (3) 32K字的全局数据存储器空间：通过扩展外部存储器得 到，用来存放与其他处理器共用的数据。 (4) 64K字的I/O空间：用于与外部的设备接口和片内外设寄 存器。
例： IN 05h, 0C000h
写：OUT dma， PA 例： OUT 05h, 0E000h
§ 3.6 外部存储器和I/O空间的扩展
• C2000对四个独立空间的外部访问采用相同的16位地址空 间，即采用相同的数据总线和地址总线。因此，必须通过 控制线来加以区分。 • 外部扩展所需的信号线有三类： 1. 外部数据/地址总线：四个空间共用 数据总线 D0～D15 地址总线：A0～A15 2. 读/写信号线：
§ 3.1 存储器的类型
TMS320C2000器件的片内存储器有4种类型：
（1）片内双访问存储器(DARAM)
电可擦除与编程的非易失性程序存储器。 （2）片内单访问程序/数据存储器 (SARAM) 适合系统应用开发。 （3）掩模型片内ROM存储器
（4）闪速存储器(Flash)
§ 3.2 程序存储器
2．程序存储器的配置
1) MP/MC引脚： • MP/MC = 0（接地）： 微控制器方式， 配置为片内ROM/Flash • MP/MC = 1（接高电平）： 微处理器方式，
配置为片外ROM
2．程序存储器的配置
2）CNF位：
决定片内DARAM(B0)的地址映射
• CNF = 1：
256字的片内DARAM(B0)被配置到 程序存储器空间(FF00～FFFFh) • CNF = 0： 无可访问的片内程序DARAM （B0被配置到数据存储器空间） 注意： B0 无论是被配置到程序空间，还是 被配置到数据存储器空间，都是同 一物理存储器块
§ 3.1 存储器的类型
TMS320C2000器件的片内存储器有4种类型：
（1）片内双访问存储器(DARAM)
DARAM：单个机器周期可被访问两次 （2）片内单访问程序/数据存储器 (SARAM)
的存储器。
（3）掩模型片内ROM存储器
所有C2000器件都有片内DARAM，分 为三块：B0，B1，B2。
B1块有256个字，只能作为数据存储器。
B2块有32个字，只能作为数据存储器。 2．有些C2000器件还有片内SARAM块，它们可用做程序和／或数据 存储器。 3．访问数据存储器有直接寻址模式和间接寻址模式。 使用直接寻址时，将数据有储器按地址分块，每块128个字为一页。 64K数据存储器可分为512个数据页，记为0—511页。页地址由页 地址指针DP决定。
（4）闪速存储器(Flash)：
可被配置为数据存储器，也可配置为程 序存储器。 （只对 B0块）
§ 3.1 存储器的类型
TMS320C2000器件的片内存储器有4种类型：
（1）片内双访问存储器(DARAM)
（2）片内单访问程序/数据存储器(SARAM)
（3）掩模型片内ROM存储器 SARAM：每个机器周期仅能访问一次的存 储器。
（4）闪速存储器(Flash)：
C2000的有些器件内含有SARAM 。
SARAM可配置为程序存储器或数据存储器。
配置为内部程序存储器SARAM时，程序代 码可以从片外ROM调入，并被全速执行。
§ 3.1 存储器的类型
由生产厂家已写好程序的存储 器，用户只能读不能写。
TMS320C2000器件的片内存储器有4种类型：
• GREG低8位有效，高8位为任意值。
全局数据存储器的配置
例： 需要配置一个8K的全局存储器， 可向GREG的低8位写入11100000b（E0h）， 这样就把E000—FFFFh指定为全局数据地址。
§ 3.5 I/O空间
• I/O空间可寻址64K
• 访问I/O空间的指令：
读：IN dma， PA
有些C2000器件片内有掩模型 ROM作为程序存储器。
（1）片内双访问存储器(DARAM) 如果用户需要定制掩模型片内
（2）片内单访问程序/数据存储器(SARAM)
ROM，可按目标文件格式提供 程序代码或数据，由芯片生产 厂家对ROM进行掩模。
（3）掩模型片内ROM存储器
（4）闪速存储器(Flash)
4．数据存储器空间配置 （TMS320LF2407型号芯片） 2） DARAM(B0)
由CNF位决定片内DARAM(B0)的地址映射
CNF = 0： DARAM(B0)被配置到数据存储器空间 （地址：0200h～02FFh，256字） 占两页地址指针: 000000100b 000000101b LDP LDP #04h ; #05h ; 地址 ：0200 ～027Fh 地址 : 0280 ～02FFh
• 用来存放与其他处理器共用的数据数据存储器， 通过外 部扩展得到。 • 数据存储器可作为局部(或本地)数据存储器和全局数据存 储器使用。
• 数据存储器的低32K字(0000～7FFFh)总是用做局部数据
存储器， • 数据存储器的高32K字(8000～FFFFh)可用做全局数据存 储器，其分布由全局存储器分配寄存器(GREG)确定，范 围在256—32K字之间。
• 程序存储器存放应用程序的代码、表格信息和固定操作数
• TMS320C2000器件可寻址的程序存储器地址有64K字。
• C2000器件的程序存储器类型： 片内DARAM (B0块） 片内SARAM 片内ROM / Flash 片外ROM
1．程序存储器地址分配 （TMS320LF2407型号芯片）
4．数据存储器空间配置 （TMS320LF2407型号芯片）
1）数据存储器第0页地址映射
(地址0000～007Fh)
0000-0003h 0004h 0005h 0006h 0023-0027h 002B-002Fh 0060-007Fh B2 IMR 保留 中断屏蔽寄存器