Cell Process II
PI塗佈
清洗基板 檢查
PI
進料檢驗
PI預烤
Inspection
硬烤
配向
TFT & CF 之配向共製程 CF 清 洗
分製程
TFT 清 洗
Cell 前制程
CF 框 胶 CF 烘烤 TFT 点 银 胶
Spacer 撒布 & 计 数 撒布
封胶
对准,定位
贴 合
组合
热 压 合
Cell 后制程
Dip method Yarn method
Touch method
Dispense method
Drop & Bond method
Injection type比较
Dispense Dip Þ N ø ö × §³ à § « G ¹ Ï Î Ä v ² ´ ¨¥ ® ² ¾ G ¹ à V Ê ¨² ´ ¦ ¬ § j Ø o ï ³ Ê ¤¤¤¹ À § q £ ] Æ o i ¶ ² ³ ³ µ ® û ×P Á « º ­ » ¤´ î X º ¦ ö § t ® t ® i ¥ ¨ } ¨ } i ¥ Yarn ö § i ¥ i ¥ ¨ } ¨ } i ¥ i ¥ Touch ö § i ¥ i ¥ i ¥ ¨ } ¨ } ¨ } ø à ¨ } ¨ } ¨ } i ¥ ø à i ¥ Drop & Bond t ® ¨ } ¨ } ¨ } t ® t ® t ®
面板切裂
目的：将组立后基板分割成所需尺寸的面板
切割刀輪
玻璃基板
裂片棒
切割示意圖
裂片示意圖
配向组 (A unit) 投入工程
TFT一次切断面取
ち澄 近 吊
縤娩 à
縤娩 glass ホ
à
glass
ホ
面板切裂工程不良
1.裂伤 2.突出
3.破裂
4.碰伤 5.缺口(贝壳状) 6.刮伤 7.面板表面异物
液晶注入-4
• 不是大好就是大坏 • 一切都可以再补救 只除了最危险的Dip时间 • 设计的OEM • 注入未满/气泡/框胶剥离 • 注入口Gap/污染
End-seal
液晶擠出擦拭 封口膠塗佈
封口膠硬化 封口膠滲入
End-seal type
(1)接触式加压压合 (2)非接触式加压压合 (3)加热压合 (4)冷却压合
R Conveyor
R
R
CF
USC(CF) USC(TFT)
R R CPD36K CPD
Tso2
TFT
R
TFT
R USS R SPS USC SPS
R
R CPD
ISP/
ISC
CPD
NG品
Flow
LIFTER R R
HPS36K TSO/TSH R HPO R HPO R R R HPS AMO HPS R AMO
分断及磨边、导角
目的：将 shorting bar切除，并将玻璃边缘钝角化
分断
切割刀轮
砥石
R G
B
玻璃侧视图
玻璃上视图
磨边
导角
S/R面取-1
• 玻璃,切裂后的修饰
S/R面取-2
• 对面板Short-ring的磨边导角 • 砥石的管理 • 磨边/导角量的控制
S/R面取-3
• 模组的声音磨边导角端子部正反两 面要兼顾 • 面板外观贝壳状或破损 • 静电气相关的注意事项
表面洗净/BRUSH洗净-1
• • • • 表面清洁和Brush清洁装置 洗剂/刮刀/研磨 纯水/毛刷/风刀 偏贴前PANEL的最终洗净
偏光片贴附
上下偏光片滤光角度差90度
偏光板贴附
目的：将偏光板贴附在玻璃表面上
偏光板
偏光板贴付-1
• MEDEC • 难缠复杂的设备
偏光板贴付-2
• 以压力Roller贴付装置使面板和偏光 板/位相差板贴合 • 偏光板材料 • 面板显示
偏光板贴付-3
• • • • • • 偏贴小组群策群力从过年到暑假 偏贴Table和Roller之间的平行度 贴附Roller押入量 贴付Roller压力 偏光板材料 Tact time和带静电量的平衡点
偏光板贴付-4
• 无解的习题设备/材料/人 • 14.1“/15＂保持一定比例不良的偏 贴异物 • 犬足乎Gap乎 吸着Pad真空压力或面板结构先天不 良 • 偏贴气泡 • 静电气
Transmission(%)
100 90
50
10 0
Applied Voltage
液晶物理性质
Sample Data Sheet
Cleaning Point Specific Resistivity Optical Anisotropy TNI（C） TSN（C） n ne no Dielectric Anisotropy Steepness Pitch Elastic Constant V10/V90 （m） K 84 < -20 2.5*10 0.086 1.5721 1.4862 4.95 1.49 76
液晶材料的评价步骤
A. 符合光学特性 : V10 , V90 , Viewing Angle Contrast Ratio B. 高的电压保持率( VHR ) : 高阻值
C. 低的残留DC
D. 应答时间( Response Time ) : ON & OFF
E. 确认T-V Curve
F. 信赖性测试
Panel洗净及ISO处理-2
• 超声波加温纯水洗净注入口封止后 的面板/端子部/两基板间所沾附之 液晶材料或污染 • 混乱液晶分子排列或配向膜经ISO再 配向均匀化
Panel洗净及ISO处理-3
• 洗剂的选择 • 各槽设置时间,温度 • 洗净能力提高
Panel洗净及ISO处理-4
• 端子部残留液晶 • 浸泡过久对封止胶之恶劣影响 • ISO处理影响
未灌满
Corner bubble
封止-1
• ANELVA • 卡匣In-line式作业 • 加压封止或封止
封止-2
• UV胶以Dispenser涂布及UV硬化将注 入口封止 • UV胶涂布量/UV照射时间 • 完美的隔绝
封止-3
• 注入口框胶断面之状况 • 注入口之框胶设计 • 注入口Gap与注入口封止胶吸入量 及注入条件之影响
FLOW
TPI IMM R
LIFTER R
NG品
பைடு நூலகம்
R
DBF
IMP
IMP
FLOW
MFS
NG品 R ALM CSL R SSC CSS
CSS R CSL ALM NG品 R SSC
CSS
SSC
FLOW
36K
43K
LCI*12
LCI*4
PES
LCI
LCI
CRS
PES*6
CRS
PES*2
LCI PES
LCI
切 割 裂 片 切裂
檢 查
注入液晶
封 口 注入＆封口
LC再配向
清洗,急冷
目檢電測
模組廠
1.8“
2.5＂
4“
6.1＂~6.8“
400mm
320mm
面板范围
裁余部份, 抛弃不用
第1代面板:长400mm,宽320mm
13.3“~14.1＂
15“~17＂
19“
22“~32＂
720mm
600mm
面板范围
第3.5代面板:长720mm,宽610mm
VCO*6
36K加一台
FUV CRS PES*4 LCI*8
FLOW
CRS CRS CRS
CRS CRS
FLOW
MCC
VIS
VIS MCC
IPE
ICG
43K
MFA
VIS MCC MCC
Drafter R
WCO
CLO* 3
WES
R
R
WES
R
ISO
液晶评价项目
Cell段制程主要的控制项目
--PI Curing Condition Pretilt Angle --Rubbing Condition --Annealing Condition Cell Gap --Spacer Condition --Hot Press Condition --Injection / End-seal Condition
裁余部份, 抛弃不用
切割&裂片
１４。１“
Scribe the CF Substrate
Break the CF Substrate
Scribe and Break the TFT Substrate
View Inspection
空面板分断: some points
• • • • • • • • • 三星DAIMOND Cluster和直线In-line 切割裂片/切割裂片与搬送机构 经分断使液晶注入口露出 经分断凸显电极部 由多面取的基板分割出各个独立之面板 切割刀轮/刀轮速度/刀轮压力 裂片压力 不同的CF/不同的玻璃与框胶设计
液晶各物理性质的关系
n n 1 Kij/K11 TN-I 1 Kij/K11 X TN-I X
加压脱泡-1
• • • • 偏贴后的补救 偏光板的付着性提高 藉由压力/温度消泡 能力有限 0.5mm以下
TFT
R
conveyor
TFT
暂放
R
conveyor
CF R Tso1 SPB
CF
R ISD CF ISM CF SDP SDP 36K R CF SDP